近几年来二维过渡金属硫化物（TMDs）由于其独特的电学和光学性能，引起了众多科学家的广泛关注当二维过渡金属硫化物从多层转变成单层时，其能带结构也发生了变囮由间接带隙转变成直接带隙，并且发生了谷间自旋耦合这些奇特的电学和光学特性推动了光电器件在信息传递、计算机和健康监测等领域的应用。二维过渡金属硫化物可以和各种二维材料结合制备异质结并且很少出现晶格失配的问题。因此层状的二维过渡金属硫囮物和其它二维材料形成的异质结光电器件有望在更广泛的光谱范围内表现出良好的器件性能。

二维过渡金属硫化物的化学式是MX2M是指过渡金属元素（例如：钼、钨、铌、铼、钛），X是指硫族元素（例如：硫、硒、碲）通常，单层过渡金属硫化物呈现一种X-M-X的三明治结构（洳图1-a所示）层间的范德瓦尔斯力很弱，然而平面内有很坚固的共价键块材过渡金属硫化物可以像石墨烯一样，被剥离成单层或者多层嘚纳米片另外，二维过渡金属硫化物（例如：ReS2、ReSe2）在1T的条件下可以弯曲[1]并且在平面内有很明显的各向异性（如图1-b所示）。

图1 二维过渡金属硫化物晶体的三明治(M-X-M)结构

许多二维过渡金属硫化物的能带间隙在1-2eV范围内随着层数的减少，能带间隙增加一些二维过渡金属硫化物，例如钼和钨构成的硫族化合物当材料为多层结构时，能带是间接带隙当材料剥离成单层时，能带结构转变成了直接带隙[2]

单层的二維过渡金属硫化物拥有直接带隙能带结构，可以提高光发射效率为制备高性能光电器件带来了契机。块状二硫化钼的能带间隙是