内容提示:半导体波长光催化材料光致发光光谱的研究
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摘要: 利用分子束外延技术制备叻InAlGaAs/AIGaAs高密度(1.21×1011cm-2)量子点,并对其变温(4~320K)和变激发功率(0.05~50mW)光致发光性质进行了研究实验发现,随着激发光功率的增加,量子点发光峰位发生大幅蓝移。该现象源于紧密相邻量子点间的势垒降低导致的载流子在量子点间的直接转移
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