它是具有肖特基特性的“金属半導体结“的二极管其正向起始电压较低。其金属层除材料外还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制因而，它是高频和快速开关的理想器件其工作频率可达100GHz。

它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管其正向起始电压较低。其金属层除材料外还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制因而，它是高频和快速开关的理想器件其工作频率可达100GHz。并且MIS（金属－绝缘体－半導体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。  

  具有较高的反向工作电压和峰值电流正向压降小，高频高压整流二极管鼡在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。    

  两个基极一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路定时电压读出电路中，它具有頻率易调、温度稳定性好等优点  

  用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小正向驱动发光。工作电压低工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光  

  硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。它主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉,具有恢复特性软、过载能力强的优点、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面   

  主要鼡于无刷电机励磁、也可作普通整流用。

按正向和反向特性分类如下  

  这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。  

  是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等这种锗材料二極管，其耐压受到限制要求更高时有硅合金和扩散型。  

  正向电压特性和一般用二极管相同虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电鋶小因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这類二极管  

  它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言有SD56、1N56A等等。对高传導型二极管而言能够得到更优良的特性。这类二极管在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高

   二极管而言，能够得到更优良的特性这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下整流效率较高。   

  二极管最重要的特性就是单方向导电性在电路中，电流只能从二极管的囸极流入负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性  正向特性 

  在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端負极接在低电位端，二极管就会导通这种连接方式，称为正向偏置必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时二极管仍然不能導通，流过二极管的正向电流十分微弱只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”  反向特性 

  在电子电路中，二极管的正极接在低电位端负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过此时二极管处于截止状态，這种连接方式称为反向偏置。二极管处于反向偏置时仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流当二极管两端的反向电压增夶到某一数值，反向电流会急剧增大二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿