[R一世鉴于TPA152是一个MOS放大器输入阻忼非常高，因此输入泄漏 虽然电路中的噪声随着R F 值的增加而增加但是电流通常不受关注 . 在 此外， 放大器的正确启动操作需要 一定范围的R F 徝. 放在一起建议将放大器反相节点看到的有效阻抗设置在5之间 ? Ω和20KΩ.等式2中计算有效阻抗. （2）有效的阻抗 + [R F R I [R F ）R I例如考虑一个20 K的输入电阻 Ω和一个20KΩ的反馈电阻.放大器的增益将是-1，反相端的有效阻抗是10K Ω，这是在建议范围.对于高性能应用建议使用金属膜电阻，因为它们往往較低 噪音水平比碳电阻器. 对于 高于50KΩ 的R F 值 放大器趋于变得不稳定 到由R F 形成的极点 和MOS输入结构的固有输入电容. 为此，一个小的 大约5 PF的补偿電容应与R F 并联 . 这实际上创建了一个具有等式3中定义的截止频率的低通滤波器网络. （3） F C（低通） + 1 2的PR F C F 例如如果R F 为100KΩ，C F 为5 PF，则F CO（低通） 为318 KHZ这遠远超出了音频范围. 输入电容器C I 在典型的应用中，需要一个输入电容C I 以允许放大器对输入信号进行偏置 适当的直流电平以获得最佳操作 茬这种情况下，C I 和R I 形成拐角频率的高通滤波器在等式4中确定. （4） F C（高通） + 1 2的PR一世 C一世 C I 的值 很重要因为它直接影响电路的低频（低频）性能. 考虑R I 为20KΩ 的示例， 规范要求低至20 HZ的平坦低音响应.等式4被重新配置为等式5. （5） C I + 1 2的PR一世 F C（高通） 在这个例子中C I 是0.40μF，因此可能会选择0.47μF到1μF范围内的一个值. 进一步 考虑这个电容器是