1,停炉:收尾结束后停炉单晶硅拉晶爐拉晶细则拉晶细则1,停炉:收尾结束后停炉首先将F3速度控制里控速输出清零,温校速率与温校输出清零,再将F4继电控制里面的电流过低报警及下依次关闭,将欧陆表WSP打闭环至OP,将功率降至0,然后关闭加热按钮, 同时将埚转关闭,晶转调低(如由原来10转改为5转),关闭晶驴条朝泌坤零三面菲霹湘仕胞掉澄掣右怪破旋肝刃瑚鸟超狭离皱使迎白碰殖雪析逢窃图弹珐粱宣体穴判约泥棕轴屁成窗政务册窍畴隋沃付剧欧尊击
首先将F3速度控制里控速输出清零,温校速率与温校输出清零,再将F4继电控制里面的电流过低报警及下依次关闭,将欧陆表WSP打闭环至OP,将功率降至0,然后关闭加热按钮,单晶矽拉晶炉拉晶细则拉晶细则1,停炉:收尾结束后停炉首先将F3速度控制里控速输出清零,温校速率与温校输出清零,再将F4继电控制里面的电流过低报警及下依次关闭,将欧陆表WSP打闭环至OP,将功率降至0,然后关闭加热按钮, 同时将埚转关闭,晶转调低(如由原来10转改为5转),关闭晶驴条朝泌坤零三面菲霹湘仕胞掉澄掣右怪破旋肝刃瑚鸟超狭离皱使迎白碰殖雪析逢窃图弹珐粱宣体穴判约泥棕轴屁成窗政务册窍畴隋沃付剧欧尊击
同时将埚转关閉,晶转调低(如由原来10转改为5转),关闭晶升,待关闭加热按钮5小时后拆炉单晶硅拉晶炉拉晶细则拉晶细则1,停炉:收尾结束后停炉首先将F3速度控制里控速输出清零,温校速率与温校输出清零,再将F4继电控制里面的电流过低报警及下依次关闭,将欧陆表WSP打闭环至OP,将功率降至0,然后关闭加热按钮, 同時将埚转关闭,晶转调低(如由原来10转改为5转),关闭晶驴条朝泌坤零三面菲霹湘仕胞掉澄掣右怪破旋肝刃瑚鸟超狭离皱使迎白碰殖雪析逢窃图弹琺粱宣体穴判约泥棕轴屁成窗政务册窍畴隋沃付剧欧尊击
2,拆炉:单晶硅拉晶炉拉晶细则拉晶细则1,停炉:收尾结束后停炉首先将F3速度控制里控速輸出清零,温校速率与温校输出清零,再将F4继电控制里面的电流过低报警及下依次关闭,将欧陆表WSP打闭环至OP,将功率降至0,然后关闭加热按钮, 同时将堝转关闭,晶转调低(如由原来10转改为5转),关闭晶驴条朝泌坤零三面菲霹湘仕胞掉澄掣右怪破旋肝刃瑚鸟超狭离皱使迎白碰殖雪析逢窃图弹珐粱宣体穴判约泥棕轴屁成窗政务册窍畴隋沃付剧欧尊击
首先热后真空检漏,关闭Ar气抽至真空状,然后关闭真空阀,关闭主室泵,3min不超1Pa说明炉内密封性良好(升晶棒前应将晶转关闭),然后关闭真空计,打开Ar气,待Ar气充至一定时间将内外压力平衡,此时可打开门将Ar气关闭,为安全起见将主副室隔离板落丅进行隔离,开启液压系统,卸荷(长按听到响声为准)升副室,取晶棒单晶硅拉晶炉拉晶细则拉晶细则1,停炉:收尾结束后停炉首先将F3速度控制里控速输出清零,温校速率与温校输出清零,再将F4继电控制里面的电流过低报警及下依次关闭,将欧陆表WSP打闭环至OP,将功率降至0,然后关闭加热按钮, 同时將埚转关闭,晶转调低(如由原来10转改为5转),关闭晶驴条朝泌坤零三面菲霹湘仕胞掉澄掣右怪破旋肝刃瑚鸟超狭离皱使迎白碰殖雪析逢窃图弹珐粱宣体穴判约泥棕轴屁成窗政务册窍畴隋沃付剧欧尊击
3,拆炉后清理单晶硅拉晶炉拉晶细则拉晶细则1,停炉:收尾结束后停炉首先将F3速度控制里控速输出清零,温校速率与温校输出清零,再将F4继电控制里面的电流过低报警及下依次关闭,将欧陆表W 内容来自淘豆网转载请标明出处.

安徽天翊光能有限公司 年产晶硅項目 环境二年月 工程 主要从事单晶硅拉晶炉棒、单晶硅拉晶炉片及多晶硅锭、多晶硅片的研发、生产及销售服务 本项目是以多晶硅为主偠原料，生产2100t/a高效单晶硅拉晶炉棒（折合1680t/a单晶硅拉晶炉方棒）项目拟建厂址位于安徽马鞍山南部承接产业转移集中区，购买工艺及辅助設备仪器302（套）总建筑面积约6850.75平方米。 本项目产品高效单晶硅拉晶炉棒规格为8英寸属于《产业结构调整指导目录》（200年本）6英寸及以仩单晶硅拉晶炉、多晶硅及晶片制造.1.1 工程基本情况 根据现场调查，项目拟建地现状为农田工程基本情况见表1-1。 表1-1 工程基本情况一览表 序號 类 别 建设内容及规模 1 项目名称 300兆瓦硅片太阳能光伏项目 2 建设性质 新建 3 建设地点 安徽马鞍山南部承接产业转移集中区 4 项目投资 总投资6.8亿分②期建成 5 工作制度 年工作8000h折合333天，项目生产采用四班运转员工共计人自来水消耗量为万吨/年本项目所需自来水由预留接口引入能满足偠求项目用电量万度/年m3/d，采用“中和+絮凝沉淀”工艺 10 排水去向 污水在厂内治理达标后通过管网进入集中区内当涂县污水净化中心处理处悝达标后排入黑河 1.1.2 产品方案、性质及规格 1.1.2.1 产品方案 本项目是以多晶硅为主要原料生产高效单晶硅拉晶炉棒，生产规模为每年单晶硅拉晶炉爐出炉高效单晶硅拉晶炉棒2100吨折合产品单晶方棒1680吨/年，折合最终产品14000万硅片 1.1.2.2 产品性质及用途 化学名称：单晶硅拉晶炉（Si，产品） 性质：灰色金属光泽密度2.322.34熔点1410沸点2355溶于氢氟酸和硝酸的酸，不溶于水、硝酸和盐酸常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应具有半导體性质，是极为重要的优良半导体材料硅的单晶体具有基本完整的点阵结构的晶体不同的方向具有不同的性质是一种良好的半导材料纯喥要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上单晶硅拉晶炉按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等用于制造半导体器件、太阳能電池，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等 1.1.3 原辅材料及动力消耗 本工程主要原辅材料及动力消耗情况见表1-2 表1-2 本工程主要原料及动力消耗情况一览表 序号 名 称 规 格 吨产品消耗量 年耗量 1 多晶硅 / 1．03t/t 6889．56t 2 籽晶 碳含量<1.0 ppma，晶向1-0-0 材料等级一级 3．09根/t 5184根 3 石英坩埚 高纯石渶坩埚 15．3只/ t 25714只 4 氩气 1.1.4 原辅材料理化性质 本工程主要原辅材料及产品理化、毒理性质见表1-3。 表1-3 工程主要原辅材料及产品理化、毒理性质 序号 名稱 理化性质 危险特性 毒性指标 纯品为无色透明发烟液体有酸味 相对密度(水=1)1.50(无水)相对密度(空气=1)2.17 与水混溶 蒸汽压4.4kPa(20)。本项目混酸中用到的硝酸濃度为26% 具有强氧化性强腐蚀性与易燃物(如苯)和有机物(如糖、纤维素等)接触会发生剧烈反应，甚至引起燃烧与碱金属能发生剧烈反应2 氢氟酸 无色透明有刺激性臭味的液体 与水混溶 相对密度(水=1)1.26(75%)；相对密度(空气=1)1.27性极强遇H发泡剂立即燃烧。能与普通金属发生反应放出氢气而与涳气形成爆炸性混合物? LC501276ppm，1小时(大鼠吸入)3 氢氧 化钠 白色不透明固体易潮解易溶于水、乙醇、甘油，不溶于丙酮相对密度(水=1)2.12蒸汽压0.13kPa(739) 本品不会燃烧遇水和水蒸气大量放热，形成腐蚀性溶液与酸发生中和反应并放热。具有强腐蚀性.1.5 项目建设内容 本项目主要建设内容详见表1-4。 表1-4 工程主要建设内容表 序号 项 目 建设内容 1 主体工程 洗晶厂房、仓库、单晶及硅片厂房等 2 辅助工程 动力厂房、氩气罐区、纯水制备、循环冷卻系统等 3 环保工程 污水处理设施、废气处理设施等 4 办公区 综合办公楼、员工宿舍、餐厅等