镀银最早始于1800年第一个镀银的專利是1838年由英国伯明翰的Elkington兄弟提出的，所用的镀液为碱性氰化物镀液与他们发明的碱性氰化物镀黄金体系很类似。一个多世纪以来镀銀液的基本配方和当年的配方差别不大，仅仅是提高了银配位离子浓度以达到快速镀银的目的而已氰系镀液过去的主要缺点是使用的电鋶密度小，现在这个问题也解决了高效镀银使电流密度可高达10A/dm，光亮镀银可达1.5~3A/dm其镀面光滑而无需再打光，也可镀厚近年来快速发展起来的电子元器件的高速选择性镀银，如引线框架的选择性镀银采用喷射镀的方法。所用的电流密度高达300~3000A/dm镀液中氰化银钾[KAg(CN)2]的浓度 也高達40~75g/L，阳极采用白金或镀铂的钛阳极这样在1s内即可镀上约4~5μm的银层，它已能满足硅芯片和银焊垫之间用铝线来键合(Bonding)

用二硫化碳做光亮剂並不能得到全光亮的银层，且加入镀液后要等一段时间才会发生作用估计真正的光亮剂是二硫化碳与镀液中的CN一反应生成的取代尿素、硫脲、胍、硫化物、氰胺化物(cyanamide)及其他种硫化物中的某些化合物。