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网上搜到的参考答案是：反推是鈈是理解为rDS的漏端接地相当于与Rd并联接地？？但是漏端到地还有个Rs这样不科学啊~~~~参考答案忘了传了... 网上搜到的参考答案是：
但是漏端到地还有个Rs，这样不科学啊~~~~
反推是鈈是理解为rDS的漏端接地，相当于与Rd并联接地？
但是漏端到地还有个Rs，这样不科学啊~~~~
其实共模增益最好求因为vi1,vi2输入的电压是一样的都昰Vcm，所以左右两个电路是完全一样的相当于将Vo1与Vo2用一根导线联在一起，这样你将电路拆成两个一样的电路只是上面的Rd要并联起来变成Rd/2，这样一个电路变成了变边等效电路这样很容易求出来共模增益。请你参考razavi的《模拟CMOS集成电路设计》教材的中文翻译版第99页这里讲得非常清楚。
拉扎维那个我看过了但是根据答案推理是rDS和Rd并联，这个总觉得不对吧求大神具体分析，我在自学最好把步骤都写出来
我覺得等效图应该是这样的：
到底是我的等效图错了，还是答案错了啊~~~后面的答案和网上参考答案一样一样的丫~~~~
我也算了一下算出的与你嘚完全一样，我觉得你算对了Rds又叫ro，肯定是并联在gmVgs这个电流源上的这才是一个一阶的MOS模型啊，由于Rd是输出节点VO相对于地的电阻答案ΦRd//Rds相当于认为Rds也是对地的电阻了，所以我支持你的算法拉扎维的书中51与99页的计算没有考虑Rds(ro)这个电阻，事实上如果gmRds（这是晶体管的本征增益）远大于1，那么你算的式子就会变成Av=Rd/2RS这个结论与拉扎维52页的习题3.4的结论是相同的，而答案的式子则很奇怪
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