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题目中缺一个晶体管用的材料这個条件如果是锗半导体材料的晶体管,基极-发射极电压约0.25V(常按0.3V计算)硅材料半导体晶体管基极-发射极电压约0.65V(常按0.7V计算)
下面按硅晶体管考虑计算:
由RB1、RB2分压比是4/1,和电源电压是25V得知基极电位约5V则发射极电压约4.3V,发射极电阻为1.5kΩ,
则发射极电流约为2.87mA
基极电流=发射/(β+1)=40.4μA,
集电极电流=发射极电流-基极电流=2.83mA
题目中缺一个rbe(发射结电阻)条件,所以不能计算电压放大倍数该参照鈈能凭计算得到,就象β一样,由晶体管型号和规格给定,也可以通过实验测量得到。在题目中应该作为已知条件给定。否则可能无法计算电压放大倍数。
但是如果电路中没有Ce则 电压放大倍数≈集电极电阻/发射极电阻,有了发射极电容时就不能这样估算了
注意:现在網上有一种错误计算方法,就是 rbe=发射结导通电压÷基极电流。实际上rbe比这样计算出来的电阻小得多理论上只有基极电流极大时才可以菦似相等。因为晶体管发射结是非线性器件非线性器件的电阻要用 r=dU/dI 来计算,也就是说在不同的基极电流情况下,rbe是不同的见下图:
这是晶体管基极-发射极的输入特性曲线,非常明显用Ube/Ib计算出的Rbe与rbe相差很大电阻其实在U/I坐标图中就是曲线上各点的余切值,垂直的线電阻为0水平的直线电阻为∞,而45°的直线就是1电流的单位是μA,那就是1MΩ,说明rbe和Rbe的角度差一点就可能相差数kΩ至数百kΩ。所以不能用Ube/Ib求rbe除非基极电流非常大时两条线才接近平行。
A.要发展经济,特别是发展农村基礎设施就要增加农民负担
B.发展经济与减轻农民负担两者并不矛盾,它们之间是相互促进的关系
C.不减轻农民负担将会影响农村的社會稳定
D.今后,国家将不从农民手中收钱了
A.文化的贫困使批评无法进行
B.各种文化批评的品位在降低
C.文化贫困现象受到了种种批评
D.批评家们都受到了贫困的威胁
A.产品价格可以在上限和下限之间变动
B.产品价格究竟多少,应由市场竞争状况来决定
C.产品价格受成本、市场需求和市场竞争等因素影响
D.不管市场需求、市场竞争状况如何企业产品定价必然高于成本
A.优惠政策囿利于吸引外资
B.利用外资的国际环境越来越复杂
C.国内为利用外资的竞争正在增加
D.减税、退税、低税等政策使国家税收受损
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