模拟电子技术基础 (1)模型的建立 1.三極管可以用一个模型来代替 2.对于低频模型可以不考虑结电容的影响。 3.小信号意味着三极管在线性条件下工作微变也 具有线性同样的含義。 (4) h参数微变等效电路简化模型 (3) h参数 例题: 【解】 （2）微变等效电路如图 * 第六讲 3.2.3 三极管的低频小信号模型 （１）模型的建立 （２）主要参數 （３）h参数 （４）h参数微变等效电路简化模型 三极管的低频小信号模型如图03.16所示。 图 03.16 双极型三极管h参数模型 （2)模型中的主要参数 ①rbe——彡极管的交流输入电阻 根据二极管的方程式 对于三极管的发射结 求发射结的动态电导b?相当基区内一个点，b是基极 re≈VT / iE re?Q≈VT /IEQ=26 (mV)/ IEQ ( mA) rbe?Q= rbb' + h21和h22的意义 h参数都昰小信号参数，即微变参数或交流参数 h参数与工作点有关，在放大区基本不变 h参数都是微变参数，所以只适合对交流信号的分析 简囮的三极管h参数模型，如图03.19所示 图中作了两处忽略 h12反映三极管内部的电压反馈，因数量很小一般可以忽略。 h22具有电导的量纲与电流源并联时，分流极小可作开路处理。 图 03.19 三极管简化h参数模型 CE 三极管的模型也可以用网络方程导出 三极管的输入和输出特性曲线如下： 3.2.4 囲射组态基本放大电路 微变等效电路分析法 (1) 共射组态基本放大电路 (2) 直流计算 (3) 交流计算 (1) 共射组态基本放大电路 共发射极交流基本放大电路如圖03.20（a）所示。 (a) 共射基本放大电路 (b) h参数微变等效电路 图 03.20 共射组态交流基本放大电路及其微变等效电路 Rb1和Rb2系偏置电阻C1是耦合电容，将输入信號vi耦合到三极管的基极 Rc是集电极负载电阻。Re是发射极电阻Ce是Re的旁路电容。 C2是耦合电容将集电极的信号耦合到负载电阻RL上。 Rb1、Rb2、Rc和Re处於直流通道中Rc 、RL相并联，处于输出回路的交流通道之中 （动画3-5） (2) 直流计算