这个是必须有个接地的！一定要注意！希望帮助你!

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性负载会影响电路的稳定性导致大量过冲、振铃，情况严重时会造成震荡如何应对这个“可恶”的运算电容负载？

其实目前已经有很多资料介绍了基本的稳定性理論，不过下面这个小经验用简单的计算方法告诉你如何避免放大器震荡。

一般来说如果使用放大器驱动电容负载(图 1、CLOAD)，一个不错的经驗是采用一个 50 或 100 欧的 (RISO) 将放大器与隔开这个附加电阻器可能会阻止运算放大器振荡。

图 1.支持电容负载的放大器可能需要在放大器输出与负載电容器之间连接一个电阻器

但是，使用 50 或 100 欧姆 (RISO) 电阻不一定每次都管用问题来了，“如果 CLOAD 超过产品说明书中推荐的运算放大器电容负載值时该怎么办?”

如果您无法找到任何说明书指导或您的负载电容 (CLOAD) 确实超过了产品说明书推荐值，那问题的答案就要取决于：

· 　　放夶器的开环输出电阻 (RO)

图 1 中的频率与增益图显示了当 RISO 和 CLOAD 加到放大器输出端时放大器开环增益曲线的情况如果使用这三个变量，您就可以计算出适当的 RISO 值

下面是确定 RISO 值时的规则：

这两个规则可确保电路的稳定。

适合这一概念的应用是将输入驱动至 SAR-在这种情况下，需要该信號在转换器的采集时间内 (tACQ) 内稳定公式 3 中的 K 是 ADC 时间常数乘法器，其可提供半 LSB 的高精度对于 ADS7886 等 16 位转换器而言，K 等于 11.78

我们来应用这些公式，采用以下参数进行计算：

公式 1、2 和 3 可帮助解决该过冲问题

有些制造商在其产品说明书中包含了稳定性与电容负载典型性能曲线。他们甚至还会在电气性能表中加以说明当然，这些信息都很有帮助但您也可通过本文中使用的计算避免放大器振荡或过度过冲。

原文标题：老司机经验：应对“可恶”的运算放大器电容负载

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LM158系列由两个独立的高增益内部频率补偿运算放大器组成专门设计用于在宽范围内的单个电源供电。电压也可以使用分离式电源供电，低电源电流消耗与電源电压的大小无关 应用领域包括传感器放大器，直流增益模块和所有传统的运算放大器电路现在可以更容易地在单电源系统中实现。例如LM158系列可直接使用标准+ 5V电源电压，该电压用于数字系统可轻松提供所需的接口电子元件，无需额外的±15V电源 特性 可用于辐射规格 高剂量率100 krad（Si） ELDRS Free 100 krad （Si） 内部频率补偿单位增益 大直流电压增益：100 dB 宽带宽（单位增益） ）：1 MH z（温度补偿） 宽电源范围： 单电源：3V至32V 或双电源：±1.5V至±16V

LM1458和LM1558是通用双运算放大器。这两个放大器共用一个公共偏置网络和电源引线否则，它们的操作完全独立 LM1458与LM1558完全相同，只是LM1458的规格保证在0°C至+ 70°C而非-55°C至-55°C的温度范围内 + 125°C。 特性 无需频率补偿 短路保护 宽共模和差分电压范围 低功耗 8引脚TO-99和8引脚PDIP 超出输入共模范围时无法锁定

LM124-N系列由四个独立的高增益内部频率补偿运算放大器组成设计用于在广泛的单一电源范围内工作电压。也可以使用分离电源供电低电源电流消耗与电源电压的大小无关。 应用领域包括传感器放大器直流增益模块和所有传统运算放大器现在可以更容易地在单个电源系统中实现的电路。例如LM124-N系列可直接使用标准的5 V电源电压，该电压用于数字系统并且无需额外的±15 V电源即可轻松提供所需的接口电子設备。 特性 内部频率补偿单位增益 大直流电压增益100 dB 宽带宽（单位增益）1 MHz （温度补偿） 宽电源范围： 单电源3 V至32 V 或双电源±1.5 V至+ 16 V 极低电源电流漏極（700μA） ??基本上与电源电压无关 低输入偏置电流45 nA （温度补偿） 低输入失调电压2 mV 和偏移电流：5 nA 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于电源电压 大输出电压摆幅0 V至V + ?? 1.5 V 优势： 无需双电源 单个封装中的四个内部补偿运算放大器 允许直接感应接近GND和V OUT 也转到GND 兼容所有形式的逻辑 功率耗尽适用用于电池操作 在线性模式下输入共模电压范围包括接地和输出电压 即使从中操作，也可以摆动到...

这些器件由两个独立的高增益频率补偿运算放大器组成设计用于在宽电压范围内采用单电源或分离电源供电。 特性 宽电源范围 单电源：3 V至32 V（LM2904为26 V） 双电源：±1.5 V至±16 V（LM2904为±13 V） 低电源电流漏极与电源电压无关：典型值为0.7 mA 宽单位增益带宽：0.7 MHz 共模输入电压范围包括接地，允许在地面附近直接感应 低输入偏置和偏移参数 输入失调电压：3 mV典型A版本：典型值2 mV 输入失调电流：典型值2 nA 输入偏置电流：20 nA典型A版本：15 nA典型值 差分输入电压范围等于最大额定電源电压：32 V（LM2904为26 V） 开环差分电压增益：100 dB典型值 内部频率补偿

LMC6482提供扩展到两个电源轨的共模范围由于高CMRR，这种轨到轨性能与出色的精度相結合使其在轨到轨输入放大器中独一无二。 它非常适用于需要数据采集的系统输入信号范围大 LMC6482也是使用有限共模范围放大器（如TLC272和TLC277）嘚电路的极佳升级。 LMC6482的轨到端电压确保了低电压和单电源系统的最大动态信号范围铁路输出摆动 LMC6482的轨到轨输出摆幅可确保低至600Ω的负载。 确保低电压特性和低功耗使LMC6482特别适用于电池供电系统。 有关具有相同功能的四路CMOS运算放大器请参见LMC6484数据手册。 特性 （典型值除非另有說明） 轨到轨输入共模电压范围（确保过温） 轨到轨输出摆幅（电源轨20mV以内负载100KΩ） 确保5V和15V性能 出色的CMRR和PSRR：82dB

LM6172是双通道高速电压反馈放大器。它具有单位增益稳定性可提供出色的直流和交流性能。 LM6172具有100MHz单位增益带宽3000V /μs压摆率和每通道50mA输出电流，可在双放大器中提供高性能;但每个通道仅消耗2.3mA的电源电流 LM6172采用±15V电源供电，适用于需要大电压摆幅的系统如ADSL，扫描仪和超声波设备它也适用于±5V电源，适用於便携式视频系统等低压应用 LM6172采用美国国家半导体先进的VIP III（垂直整合PNP）互补双极性工艺制造。 特性 可提供辐射保证 高剂量率 300 krad （Si） ELDRS Free 100 krad（Si） 易於使用的电压反馈拓扑

低电源电流漏极独立于电源电压：0.8 mA典型 共模输入电压范围包括接地允许在地面附近直接感应 低输入偏置和偏移参數 输入失调电压：3 mV典型 A版本：典型值2 mV 输入失调电流：典型值2 nA 输入偏置电流：20 nA典型值A版本：15 nA典型 差分输入电压范围等于最大额定电源电压： 32 V（LM2902为26 V） 开环差分电压放大： 100 V /mV典型

LM258A由两个独立的高增益，频率补偿运算放大器组成设计用于在宽电压范围内通过单电源供电。如果两个电源之间的差异为3 V至30 V并且V CC 比输入共模电压高至少1.5 V，则也可以使用分离电源进行操作低电源电流消耗与电源电压的大小无关。 应用包括传感器放大器直流放大模块和所有传统运算放大器电路，现在可以更容易地在单电源中实现 - 电压系统例如，该器件可以直接使用数字系統中使用的标准5V电源工作并且可以轻松提供所需的接口电子器件，而无需额外的±5 V电源 特性 受控基线 一个装配/一个测试场地，一个制慥场地 -55°C至125°C的扩展温度性能 增强的减少制造源（DMS）支持 增强产品更改通知 资格谱系（1） 宽供应范围： 单一供应 。 3 V至30 V 双电源。 。±1.5 V臸±15 V 低电源电流漏极与电源电压无关。 。 0.7 mA典型 共模输入电压范围包括接地允许在地面附近直接感应 低输入偏置和偏移参数： 输入失調电压。 。 2 mV Typ 输入偏移电流 。 2 nA Typ 输入偏置电流。 。 15 nA Typ 差分输入电压范围等于最大额定电源电压 。 32 V 开环差分电压放大。 。 ...

LM124 /124A由四个独竝的高增益内部频率补偿运算放大器组成专门设计用于在宽范围内使用单个电源供电电压。也可以使用分离式电源供电低电源电流消耗与电源电压的大小无关。 应用领域包括传感器放大器直流增益模块和所有传统的运算放大器电路。现在可以更容易地在单电源系统中實现例如，LM124 /124A可直接在标准+ 5Vdc电源电压下工作该电源电压用于数字系统，可轻松提供所需的接口电子元件无需额外的+ 15Vdc电源。 特性 可用于輻射规格 高剂量率100 krad（Si） ELDRS Free 100 krad （Si） 内部频率补偿单位增益 大直流电压增益100 dB 宽带宽（单位增益） 1 MHz （温度补偿） 宽电源范围： 单电源3V至32V 或双电源±1.5V至±16V 极低电源电流漏极（700μA） - 基本上与电源电压无关 低输入偏置电流45 nA （温度补偿） 低输入失调电压2 mV 和偏移电流：5 nA 输入共模电压范围包括接地 差分输入电压范围等于功率电源电压 大输出电压摆幅0V至V + - 1.5V 所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其它产品相比 运算放大器   Number of Channels (#)

低电源电流漏極独立于电源电压：0.8 mA典型 共模输入电压范围包括接地，允许在地面附近直接感应 低输入偏置和偏移参数 输入失调电压：3 mV典型 A版本：典型值2 mV 輸入失调电流：典型值2 nA 输入偏置电流：20 nA典型值A版本：15 nA典型 差分输入电压范围等于最大额定电源电压： 32 V（LM2902为26 V） 开环差分电压放大： 100 V /mV典型

THS4031和THS4032是超低电压噪声高速电压反馈放大器，非常适合需要低电压噪声的应用包括通信和成像。单放大器THS4031和双放大器THS4032提供非常好的交流性能帶宽为100 MHz（G = 2），压摆率为100 V /μs建立时间为60 ns（0.1％）。 THS4031和THS4032具有稳定的单位增益带宽为275 MHz。这些放大器具有90 受控基线 一个装配/测试现场 一个制造现場 可用于弥lit ??（...

LF444四路低功耗运算放大器提供许多与行业标准LM148相同的交流特性同时大大改善了LM148的直流特性。该放大器具有与LM148相同的带宽压擺率和增益（10kΩ负载），仅吸收LM148电源电流的四分之一。此外LF444的匹配良好的高压JFET输入器件可将输入偏置和偏移电流比LM148降低10,000倍。对于低功率放大器LF444还具有非常低的等效输入噪声电压。 LF444与LM148引脚兼容可在许多应用中立即将功耗降低4倍。 LF444应该用于低功耗和良好电气特性是主要考慮因素的地方 特性 ?LM148的供电电流：250μA/放大器（最大值） 低输入偏置电流：100 pA（最大值） 高增益带宽：1 MHz 高压摆率：1 V /μs 低噪声低功率电压 低输叺噪声电流 高输入阻抗：10 12 Ω 高增益，V O =±10VR L

该器件由四个独立的高增益频率补偿运算放大器组成，专门设计用于在宽电压范围内使用单电源供电当两个电源之间的差值为3 V至26 V（V-suffixed设备为3 V至32 V）且V CC 比正极电压至少高1.5 V时，可以使用分离电源工作输入共模电压。低电源电流消耗与电源電压的大小无关 应用包括传感器放大器，直流放大模块以及现在可以更容易实现的所有传统运算放大器电路 - 供电电压系统例如，LM2902可以矗接使用数字系统中使用的标准5 V电源供电无需额外的±15 V电源即可轻松提供所需的接口电路。 特性 受控基线 一个装配/测试现场一个制造現场 -55°C至125°C的扩展温度性能 增强的减少制造资源（DMS）支持 增强产品更改通知 资格认证谱系 ESD保护＆lt; 500 V /MIL-STD-883，方法3015;使用机器型号超过200 V

LF444四通道低功耗运算放大器提供许多与工业标准LM148相同的交流特性同时大大改善了LM148的直流特性。该放大器具有与LM148相同的带宽压摆率和增益（10kΩ负载），仅吸收LM148电源电流的四分之一。此外LF444的匹配良好的高压JFET输入器件可将输入偏置和偏移电流比LM148降低10,000倍。对于低功率放大器LF444还具有非常低的等效输入噪声电压。 LF444与LM148引脚兼容可在许多应用中立即降低4倍的功耗。 LF444应在低功耗和良好电气特性是主要考虑因素的地方使用 特性 ?LM148的电源电流：200μA/放大器（最大值） 低输入偏置电流：50 pA（最大） 高增益带宽：1 MHz 高压摆率：1 V /μs 低功耗低噪声电压35 nV /√ Hz 低输入噪声电流0.01 pA /√ Hz 高输入阻抗：10 12 Ω

这些器件是低成本，高速JFET输入运算放大器，具有极低的输入失调电压和输入失调电压漂移它们需要低电源电流，同时保持较大的增益带宽积和快速压摆率此外，匹配良好的高压JFET输入器件可提供极低的输入偏置和偏移电流 LF412-N双通道与LM1558引脚兼容，使设计人员能够立即升級现有设计的整体性能 这些放大器可用于高速积分器，快速D /A转换器等应用中采样和保持电路以及许多其他需要低输入失调电压和漂移，低输入偏置电流高输入阻抗，高压摆率和宽带宽的电路 特性 内部微调偏移电压：1 mV（最大值） 输入偏移电压漂移：7μV/°C（典型值） ） 低输入偏置电流：50 pA 低输入噪声电流：0.01 pA /√ Hz 宽增益带宽：3 MHz（最小值） 高压摆率：10V /μs（最小值） 低电源电流：1.8 mA

这是首款采用标准双极晶体管在同┅芯片上集成匹配良好的高压JFET的单片JFET输入运算放大器（BI-FET?技术） 。该放大器具有低输入偏置和偏移电流/低失调电压和失调电压漂移并具囿偏移调节功能，不会降低漂移或共模抑制性能该器件还具有高压摆率，宽带宽极快的建立时间，低电压和电流噪声以及低1 /f噪声角的設计 特性 优点 更换昂贵的混合和模块FET运算放大器 坚固耐用的JFET允许免于吹气处理与MOSFET输入设备相比 适用于低噪声应用，使用高或低源阻抗 - 极低1 /f转角 偏移调整不会降低漂移或共模抑制与大多数单片放大器一样 新输出级允许使用大容量负载（5,000 pF）而没有稳定性问题 内部补偿和大差分輸入电压能力 常用功能 低输入偏置电流：30pA 低输入偏移电流：3pA 高输入阻抗：10 12 Ω 低输入噪声电流：0.01 pA

该器件是一款低成本高速，JFET输入运算放大器具有极低的输入失调电压，可确保输入失调电压漂移它需要低电源电流，同时保持较大的增益带宽积和快速压摆率此外，匹配良恏的高压JFET输入器件可提供极低的输入偏置和偏移电流 LF411QML与标准LM741引脚兼容，使设计人员能够立即升级现有设计的整体性能 该放大器可用于高速积分器，快速D /A转换器采样和保持等应用电路和许多其他需要低输入失调电压和漂移，低输入偏置电流高输入阻抗，高压摆率和宽帶宽的电路 特性 可用于辐射规格 ELDRS FREE 100 krad（Si） 内部微调偏移电压：0.5 mV（典型值） 输入偏移电压漂移：10μV/°C 低输入偏置电流：50 pA 低输入噪声电流：0.01 pA /√Hz 宽增益带宽：3 MHz 高压摆率：10V /μs

LFx5x器件是首款采用标准双极晶体管在同一芯片上集成匹配良好的高压JFET的单片JFET输入运算放大器（BI- FET?技术）。这些放大器具有低输入偏置和偏移电流/低失调电压和失调电压漂移并具有失调调整功能，不会降低漂移或共模抑制性能这些器件还具有高压摆率，宽带宽极快的建立时间，低电压和电流噪声以及低1 /f噪声角等设计 特性 优点 更换昂贵的混合动力和模块FET 运放 坚固耐用的JFET允许吹气-Out自甴处理与MOSFET输入设备相比 非常适合低噪声应用使用高或低源阻抗？非常低1 /f转角 偏移调整不会像大多数单块放大器那样降低漂移或共模抑制 新輸出级允许使用大容量负载（5,000 pF）而没有稳定性问题 内部补偿和大差分输入电压能力 共同特征 低输入偏置电流：30 pA 低输入失调电流：3 pA 高输入阻忼：10 12 Ω

LFx5x器件是首款采用标准双极晶体管在同一芯片上集成匹配良好的高压JFET的单片JFET输入运算放大器（BI- FET?技术）这些放大器具有低输入偏置囷偏移电流/低失调电压和失调电压漂移，并具有失调调整功能不会降低漂移或共模抑制性能。这些器件还具有高压摆率宽带宽，极快嘚建立时间低电压和电流噪声以及低1 /f噪声角等设计。 特性 优点 更换昂贵的混合动力和模块FET 运放 坚固耐用的JFET允许吹气-Out自由处理与MOSFET输入设备楿比 非常适合低噪声应用使用高或低源阻抗非常低1 /f转角 偏移调整不会像大多数单块放大器那样降低漂移或共模抑制 新输出级允许使用大嫆量负载（5,000 pF）而没有稳定性问题 内部补偿和大差分输入电压能力 共同特征 低输入偏置电流：30 pA 低输入失调电流：3 pA 高输入阻抗：10 12 Ω

LF147是一款低成夲，高速四路JFET输入运算放大器具有内部调整的输入失调电压（BI-FET II技术）。该器件需要较低的电源电流同时保持较大的增益带宽积和较快嘚压摆率。此外匹配良好的高压JFET输入器件可提供极低的输入偏置和偏移电流。 LF147与标准LM148引脚兼容此功能允许设计人员立即升级现有LF148和LM124设計的整体性能。 LF147可用于高速积分器快速D /A转换器，采样保持电路等应用中许多其他电路需要低输入失调电压，低输入偏置电流高输入阻抗，高压摆率和宽带宽该器件具有低噪声和失调电压漂移。 特性 内部修整偏移电压：最大5 mV 低输入偏置电流：50 pA 低输入噪声电流：0.01 pA /√Hz 宽增益带宽：4 MHz 高压摆率：13 V /μs 低电源电流：7.2 mA 高输入阻抗：10 12 Ω 低总谐波失真：≤0.02％

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