半导体物理吧-百度贴吧--研究原子电子以及半导体器件
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研究原子电子以及半导体器件
有需要的么？另外谁有蒋玉龙的视频，有的话麻烦告知一下。
有考研考刘恩科版《半导体物理学》的吗，复习到哪儿啦，交流交流呗。本人考武大微电子～
有人有吗，有偿也可以。
这道题有哪位大神会吗？可以提供一下思路。谢谢。题目出自《集成电路中的现代半导体器件》第十四题
偶尔翻一本书， 为什么发射节正向，但Vce却是图中那样的
自己14年考研成功，专业课138，有点小经验可交流分享，
本人石家庄，本科一批大三生，想考研半导体，这个河北半导体所的信息实在太少，有了解的可以告诉我吗，q，
本来我也在找的，后来发现淘宝上要30好贵，就翻了翻以前的课件，突然发现大二时在网上下载的的
有需要的么？欢迎私聊
武大半导体物理考研资料，真题+学长整理的题库，很全很实用。二八二五零七七157
徐友龙的解压密码多少？
本人分数本部第一，有意的可以联系我
西安交通大学 半导体物理 徐友龙全 52讲 国家精品 南京航空航天大学 半导体制造技术 朱永伟 4讲 复旦大
有考研究生 苏大电子科学与技术 半导体器件和半导体材料的吗 共勉
/s/1pKxBdcn，大家勿用做商业用途，祝2017考研成功，估计这个很快就会被度娘吞了，手快点啊
急求，半导体器件第三版答案
我们本科用的是刘恩科的第七版半导体物理学，可是就学了前六章。考研要考这本书，蒋玉龙老师的视频
我本科是化学的，现在偏物理，在学半导体物理这本书的时候，有好多问题搞不明白。 望大神解答！
老师要求用Matlab对砷化镓金属半导体场效应管的物理特性进行数值仿真，由于之前没有学过半导体物理，
急求，有哪位大神知道三氧化钨的本征载流子浓度
Si和GaAs两种半导体有什么不同？望大神不吝赐教！
废话不多说 本人物理出身，半导体物理没学过。问题可能过于白痴，请各位不吝赐教。
会的联系有偿
求导在半导体中表示什么，比如说书单位时间单位体积内由于扩散累计的空穴数时，就是用扩散流密度对x求导，这里的求导为什么可以得出题目中的要求.高中
有偿做卷子的大神有吗
求苏大半导体物理考研资料
请教一下掺杂浓度变化对光电导测量的影响
对于基区为均匀掺杂的 npn 晶体管，分别绘制在正向放大偏置、反向放大偏置、截止、过饱和这四种各种状
考虑VR=10V时的硅P＋n单边突变结，如果P区掺杂浓度变为原来的四倍，计算1）势垒电容变化的百分比 2）内
为什么等于0的情况没有呢
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使用签名档&半导体物理
提供学校：
专业大类：
学习模块：
Semiconductor Physics
课程编号：
PHYS130017
半导体物理课程视频总长13小时，学习视频所需最低时间28学时，讨论课6次，每次3学时绪论 （视频25分钟，最低学时1）什么是半导体？半导体的定义&哪些因素影响半导体的电阻率？半导体的基本特点&半导体的发展历史了解半导体的发展历史&导学课：时间：9月18日下午13：30，地点：光华楼东主楼<span style="color:#C0室&&内容：同学做自我介绍；教师介绍这门课的基本情况以及如何学好这门课；第一章半导体中的电子能量状态（视频3小时5分钟，最低学时6）&& & & &晶体中能带的形成 & & & &定性描述半导体晶体能带的形成及其特点&& & & 晶体中的电子能量状态 & & & 用近似方法求解薛定谔方程，给出所形成的能带及其所具有的特点&三维周期性势场中的电子能量状态实空间和倒格子空间之间的关系，以及半导体金刚石结构的布里渊区确定晶体中电子的运动及有效质量晶体中电子运动状态的两个基本关系式，以及有效质量概念的引进&K空间的有效质量有效质量的测量，以及硅、锗、砷化镓半导体的能带结构半导体中杂质和缺陷能级介绍半导体中杂质和缺陷在禁带中引入深能级的情况& 第一次讨论课：时间：10月9日下午13：30，地点：光华楼东主楼<span style="color:#C0室&&& 讨论内容：金刚石晶体结构的特点? 形成能带的特点?其随温度、压力以及不同的原子序数是如何变化？为什么在固体物理中用面心立方晶格来描述半导体的金刚石和闪锌矿的晶体结构，其原胞和晶胞是怎样定义，有什么差别？晶格结构的晶向和晶面是如何定义？半导体物理中波矢K的定义和量子力学中有什么差别？倒格子原胞基矢是如何定义？倒格子空间与正格子空间之间的关系？（二者的原胞体积以及格矢之间的关系）E—K关系中有哪些特点？K空间的状态密度是如何推导得到？布里渊区的如何确定？它有哪些特点？半导体的第一布里渊区是怎样组成？引进有效质量的意义？它是如何定义？与哪些因素有关？如何测量？常用半导体的电子和空穴的有效质量是怎样的？有效质量的适用范围？在外加电压作用下，为什么在满带中运动的电子不会产生电流，而导带中的电子运动会产生电流？空穴的概念及定义？ 空穴是真实存在的粒子吗？为什么它会有电荷和有效质量？空穴的运动和电子运动有什么差别？ 禁带中在怎样情况下会出现能级？深能级和浅能级的形成？在怎样情况浅能级形成能带？深能级会形成能带吗？&第二章 半导体电子和空穴的平衡态统计分布& （视频1小时17分钟，最低学时3）& & & &状态密度及费米分布函数 & & & &导带和价带中按能量分布的电子和空穴的状态密度和占有几率& & & 导带电子和价带空穴浓度 & & & 导带电子和价带空穴浓度计算表达式的推导&& & &本征半导体中的载流子浓度 & & & 本征半导体中载流子浓度的计算以及其与温度和禁带宽度的关系& & &杂质半导体的载流子浓度 & & & 掺杂半导体中载流子浓度的计算以及其随温度、掺杂浓度的变化情况&简并半导体& &简并半导体的定义、条件以及载流子浓度的计算第二次讨论课：时间：10月30日下午13：30，地点：光华楼东主楼<span style="color:#C0室&&& 讨论内容：& &导带(或价带)中的状态密度随能量是如何变化?引进状态密度有效质量的意义？电子和空穴的费米分布函数和波尔兹曼分布函数有什么区别?费米能级的意义?导带电子浓度和价带空穴浓度是如何计算(包括简并和非简并二种情况)？本征半导体载流子浓度和费米能级位置如何确定?以及他们随温度是如何变化?P型掺杂半导体费米能级位置如何确定？以及其随掺杂浓度和温度的变化关系？同时掺有施主和受主杂质半导体，费米能级位置随温度以及随掺杂浓度的变化关系？形成简并半导体的条件其与掺杂浓度以及温度的变化关系？&第三章 半导体输运现象& （视频2小时18分钟，最低学时5）& & & &电导的微观理论 & & & &载流子在半导体中热运动规律以及在外加电场作用下运动规律& & & 载流子的散射机理 & & & &载流子在半导体中运动过程中所遭遇到碰撞（散射）的种类及影响& & & &电场与电导关系 & & & &半导体的电导率随电场强度的变化规律及机理分析& & & 电磁效应 & & & 半导体中的载流子在电场和磁场共同作用下的运动规律& & &热电效应 & & &热电效应的简要介绍第三次讨论课：时间：11月13日下午13：30，地点：光华楼东主楼<span style="color:#C0室讨论内容：& &半导体中载流子的热运动规律？载流子的二次碰撞平均自由时间以及其由哪些因素所决定？在电场作用下载流子的漂移运动规律？半导体的电导率随温度的变化关系？半导体的电导率随掺杂浓度和电场的变化关系？如何用霍耳效应测量半导体的载流子浓度和迁移率？产生磁阻效应的原因？在怎样情况下会出现量子霍耳效应？其原理是什么？&第四章 非平衡载流子& （视频1小时53分钟，最低学时4）非平衡载流子的注入与复合在半导体中光照所产生非平衡载流子的变化规律& &准费米能级在非平衡半导体中，准非米能级的引入、定义及计算复合理论非平衡载流子在半导体中复合的种类及规律& 陷阱效应非平衡载流子的陷阱效应？其和复合中心的关系& 载流子的扩散运动当非平衡载流子存在浓度梯度情况下，扩散运动的规律&载流子的漂移运动、双极扩散非平衡载流子在电场作用下的运动规律以及丹倍效应中双极扩散的机理&连续性方程同时存在电场和载流子浓度梯度情况下，描述载流子浓度分布及变化规律的连续性方程第四次讨论课：时间：11月27日下午13：30，地点：光华楼东主楼<span style="color:#C0室讨论内容：非平衡载流子的寿命如何定义，它和非平衡载流子的注入与复合有什么关系?为什么要引进准费米能级?如何确定准费米能级？它与费米能级的关系？直接复合寿命的推导以及其和那些因数有关?间接复合的少子寿命的公式推导？具体分析间接复合少子寿命与哪些因数有关?什么是陷阱效应？如何区分陷阱和复合中心?载流子迁移率和扩散系数之间有什么关系？在怎样情况下会出现双极扩散? 双极扩散系数是怎样确定？&第五章 P-N结& （视频1小时22分钟，最低学时3）&PN结能带图及载流子浓度的分布PN结的形成以及其能带图和载流子浓度的分布&PN结电场和电势分布PN结势垒区中电场和电势分布的推导& PN结电流与电压特性&&& 理想PN结的扩散电流，势垒区中的产生和复合电流 PN结电容PN结的势垒电容和扩散电容随外加电压的变化关系PN结击穿&&& PN结雪崩击穿的原理及和外加电压的关系隧道PN结 &&& 简并半导体PN结的电流与电压特性第五次讨论课：时间：12月11日下午13：30，地点：光华楼东主楼<span style="color:#C0室讨论内容：平衡时突变结和线性缓变结能带图的特点？为什么费米能级处处相等?突变结和线性缓变结的势垒区中电场和电势的变化规律??对于内建势为0.7V的PN结，外加1V的正向电压后，会出现怎样情况？PN势垒电容和扩散电容是串联关系还是并联关系？如何证明?要提高PN结的击穿电压，可以从哪几个方面着手？用简并半导体构成的PN结和一般PN结，它们的特性有哪些明显区别?&第六章 金半接触& （视频53分钟，最低学时2）金半接触的势垒模型金属和半导体接触的各种模型& 金半接触的整流理论金属和半导体整流接触的计算模型实际金半接触的J－V关系金属和半导体接触的电流和电压关系&第七章 半导体表面和界面& （视频1小时47分钟，最低学时4）半导体表面电荷与表面势的关系半导体表面电荷与表面电势之间的变化关系& 理想MOS结构的高、低频C－V特性 MOS结构高频和低频C-V曲线的差别及原因分析& 氧化层电容的测量用高温不同偏置电压测量MOS结构的C-V曲线测量及各类参数的计算界面态密度的测量&&& 界面态密度的测量及其在能带中分布的计算第六次讨论课：时间：12月25日下午13：30，地点：光华楼东主楼<span style="color:#C0室讨论内容：金属和半导体接触后半导体表面处的能带是如何变化？金属和半导体整流特性和pn结整流特性有何异同？金属和半导体接触，怎样情况下形成欧姆接触，怎样情况下形成整流接触？硅/二氧化硅系统中，硅表面势和表面电荷之间的关系？理想MOS结构的C-V特性，电压为零时的平带电容是如何确定？为什么MOS结构高、低频C-V曲线会有明显差别？如何测量氧化层中的可动电荷和固定电荷？如何测量半导体/氧化层界面态密度？期末考试日期：日下午13：00-15：00，教室4103扫二维码下载作业帮
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半导体物理中,能带宽度与禁带宽度的区别是什么?
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能带宽度为价带和导带的宽度,即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度.
禁带宽度为导带和价带的间距.
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