可控硅好坏怎么检查好坏

meipingboy
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&&& 一台直流驱动器,冷却风扇如果坏了,而设备还是在继续工作,驱动器没报警功能,驱动器上的可控硅模块性能会变差吗? 是性能变差,不是直接损坏。&&& 我公司有一台设备,连续二次可控硅损坏,后来全部换新后,正常工作三天后,又出现问题其它不稳定的问题,后来才发现散热风扇不转。现在问题是不能确定这些模块,在没有散热风扇工作的情况下,工作了三天,会影响到可控硅模块性能吗?&&&& 还有,如何检测这些模块的性能?&&&& 请碰到过这种性况的朋友指导一下,先谢谢了。&&
活到老学到老:还有 8&&分没学到
danguliuxin
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正常来说的话只要可控硅没坏是不会有影响的.材料性能是不会有物理变化的
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&&&&&&&&散热条件变差,可能会坏某些元器件。
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温度过高,高到一定的程度是对元件有影响,如果温度没有超过元件的上限温度,应没有多大的问题可控硅温度过高对本身是有影响的,使用寿命变短。
meipingboy
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引用引用第2楼yan-06-22 11:02发表的&&:正常来说的话只要可控硅没坏是不会有影响的.材料性能是不会有物理变化的现在问题是有变化的全新的可控硅,阴极跟控制极电阻 小于 使用过的电阻 2到3欧姆。使用过的在19到21之间。
活到老学到老:还有 8&&分没学到
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引用引用第5楼meipingboy于 13:56发表的&&:现在问题是有变化的全新的可控硅,阴极跟控制极电阻 小于 使用过的电阻 2到3欧姆。使用过的在19到21之间。可控硅的好壞不是這樣量的,取一指針式三用電錶擺在電阻擋Rx1紅棒擺在陰極黑棒擺在陽極然後用黑棒的電位去碰觸控制極。這時要導通放開控制極一樣要導通,黑棒放開斷路。若是這樣屬於好的,若是不觸發控制極就導通那就壞掉了。半導體的標準工作溫度是25度C他有一個溫升曲線溫度越高效率越低升到100度C的時候效率幾乎等於零。等冷卻了效率才會回升。
meipingboy
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引用引用第6楼jemslin于 22:56发表的 : 可控硅的好壞不是這樣量的,取一指針式三用電錶擺在電阻擋Rx1紅棒擺在陰極黑棒擺在陽極然後用黑棒的電位去碰觸控制極。這時要導通放開控制極一樣要導通,黑棒放開斷路。若是這樣屬於好的,若是不觸發控制極就導通那就壞掉了。半導體的標準工作溫度是25度C他有一個溫升曲線溫度越高效率越低升到100度C的時候效率幾乎等於零。等冷卻了效率才會回升。
这个一般学过电子的都知道 &&& 用在要求不高的地方,比如用在整流部份、电加热或数量少的电路中(一、二最多三个),可能没什么影响。 &&& 现在问题暂时解决了,确实是有影响。至于是否稳定,是否能连续工作(彻底正常),还要时间来证明。 那台老式的直流调速器,用了12个单向可控硅,现在换新的后,设备立即正常,现在至少用了三天。冷却风扇正常了,我估计应该没问题了。 &&& 12个可控硅,分二组,一组6个,分别控制正转和反转。如果一组中6个,有几个性能变差,那可能在正转或反转时,某个或某几个可控硅导通慢一点,而引起输出到额定电压的状态延时,并且在停止时,制动也延时,因此才出现上述不稳定的问题。
活到老学到老:还有 8&&分没学到09-1207-2308-2909-13
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如何快速判断可控硅好坏
可控硅导通条件:一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。以上两个条件&&单向可控硅的工作原理图[1]必须同时具备,可控硅才会处于导通状态。另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压,使阳极电流小于最小维持电流以下。
双向可控硅:
& && & 可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的(都从N层引出),所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极,而是把与控制极相近的叫做第一电极A1,另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时,硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置,必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路,如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。
二者比较  
& && & 单向可控硅和双向可控硅,都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T1极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。 单、双向可控硅的判别  先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。 性能的差别  将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。
  对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极,指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。然后将两笔对调,重复上述步骤测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压(或电流)小。
  若保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量,对于单向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K灯仍不息灭,否则说明可控硅损坏。
  对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。
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大功率平板式可控硅的判断好坏方法
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按排行字母分类:  2、判别好坏与导通性    能将万用表置于Rxlk挡,测T1与T2、G与T1之间的阻值,如果阻值很小,说明可控硅已。若测得的G与T2极的正、反向阻值均很大(正常应在数百欧左右).则说明已断路。
  判别可控硅的导通能力,可把万用表的黑表笔接T1极,红表笔接T2极。用一节干电池作触发(也可用另一只万用表Rx1代替),这时表针呈导通状,干电池离开仍呈导通状,这是判别T1到T2的导通件能。其原理很简单,于电池的正极接T1,对G假干电池负极形成一个触发电压,电流通路为:从干电池十&T1一G一千电池,形成电流通路被触发,这时万用表也作为一个电源用,负表笔内+&T1&T2一正表笔内一,形成T1到T2的通路。
  T2到T1的导通性能与此极性相反,町用同样方法进行判别。
  经验表明,不同型号的可控硅所用万用表的挡位不同,所测阻值也不一样。比如,用Rx100挡不易发现较小阻值时,改用Rx10挡就易发现了。可控硅型号不一样,所测阻值差异较大,比如,在测单向可控硅MCR100时,用万用表的电阻量程Rx1&R&1k挡轮流测量只能出现一个较小阻值(无第二个较大阻值);叉如,在测单向可控硅FD315M时,用正、负表笔轮流测量时,用Rx100或RXlk捎测时有两个阻值,但不易发现哪个较小,若用Rx1或Rx10挡测就较易发现较小的阻值,用黑表笔确定G极,红表笔确定K极才易找到,所以千万不可死搬硬套。下图是几种可控硅的实测脚位图,供参考。
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