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优质商品推荐可控硅元件
可控硅元件概述
可控硅元件的参数
可控硅元件保护
可控硅元件的应用
可控硅简介
&&& ( Ctrolled Rectifier, SCR)也被称作,从20世纪50年代研究发现出来之后,到现在已经发展成为品种繁多的一个产业了,主要有:、、光控晶闸管、逆导晶闸管、、快速晶闸管等.单向晶闸管也就是大家常说的,是由四层组成,有三个PN结,对外友三个电极,第一层P型半导体引出的电极叫做阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K.从晶闸管的符号可以看到,它和一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性.
可控硅元器件的工作原理及基本特性
&&& 是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1所示
&&& 图1 可控硅等效图解图
&&& 当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态.此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2.因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2.此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2.这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通.
&&& 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的.
&&& 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表1
&&& 表1 可控硅导通和关断条件
&&& 2、基本伏安特性
&&& 可控硅的基本伏安特性见图2
&&& 图2 可控硅基本伏安特性
&&& (1)反向特性
&&& 当控制极开路,阳极加上反向电压时(见图3),J2结正偏,但J1、J2结反偏.此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,图3的特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫"反向转折电压".此时,可控硅会发生永久性反向击穿.
&&& 图3 阳极加反向电压
&&& (2)正向特性
&&& 当控制极开路,阳极上加上正向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,图3的特性发生了弯曲,如特性段所示,弯曲处的是UBO叫:正向转折电压
&&& 图4 阳极加正向电压
&&& 由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区.进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图3的虚线AB段.
&&& 这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图2中的BC段
&&& 3、触发导通
&&& 在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT.在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快.
&&& 图5 阳极和控制极均加正向电压
可控硅元件的结构
&&& 以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于年,因为它的特性类似于真空,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称T,又因为晶闸管最初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为SCR.
&&& 在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态.
&&& 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件损耗显着增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用.
&&& 可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等.
&&& 可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通.
&&& 可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形.
&&& 可控硅元件的结构
&&& 不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构.见图1.它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件.
&&& 图1、可控硅结构示意图和符号图
晶闸管的工作原理
&&& 在中频炉中整流侧关断时间采用KP-60微秒以内,逆变侧关短时间采用KK-30微秒以内这也是KP管与KK管的主要区别
&&& T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与和负载连接,组成晶闸管的主,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的.
&&& 晶闸管的工作条件:
&&& 1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受和种电压,晶闸管都处于关短状态.
&&& 2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通.
&&& 3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用.
&&& 4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断.
&&& 从晶闸管的内部分析工作过程:
&&& 晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型和一个NPN型三极管的复合管图2
&&& 当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导铜,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用.图2中每个的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流.因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门机电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通.
&&& 设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,
&&& 晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:
&&& Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
&&& 若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig
&&& 从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1-1)式
&&& 硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示.
&&& 当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1-1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态.当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结.这样强烈的正反馈过程迅速进行.从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1-1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路决定.晶闸管已处于正向导通状态.
&&& 式(1-1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通.晶闸管在导通后,门极已失去作用.
&&& 在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态.
如何鉴别可控硅的三个极
&&& 鉴别三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用测量一下三个极之间的值就可以.
&&& 阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通).
&&& 控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大.可是控制极特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好.另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿.
&&& 若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏.
KP5A—500A 螺栓型 普通晶闸管参数
KP200A—500A 平板型 普通晶闸管参数
KP2000A—4500A 平板型 普通晶闸管参数
KK5A—100A 螺栓型 快速晶闸管
KK200A—1000A 平板型 快速晶闸管
KK1200A—3000A 平板型 快速晶闸管
可控硅整流器件
大功率可控硅晶闸管系列
中频电源的过电流和过电压的保护
&&& 装置的主采用半导体器件,这类器件承受过电压,过电流的能力很差,而中频的运行情况比较复杂,负载变化剧烈,出现短路,开路,过电压,过电流的几率较高,必须采取妥善保护措施,以确保装置安全运行.
&&& 晶闸管中频电源的过流,一种是在适当的地方安装件如在工频电源进线侧安装RC吸收电路,用以抑制由外电路涌入中频电源的雷击过电压和操作过电压,在晶闸管上串接快速熔短器用以保护过电流对晶闸管的损坏,另一种是检测中频电源的输出电压和输入电流,当电压或电流超过允许值时 借助整流触发使工作于有源逆变状态,或封锁整流输出脉冲使整流桥输出电压为零.
整流晶闸管阻容吸收元件的选择
&&& 电容的选择:
&&& C=(2.5-5)×10的负8次方×If
&&& If=0.367Id
&&& Id-直流电流值
&&& 如果整流侧采用500A的
&&& 可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5μF
&&& 选用2.5μF,1kv 的
&&& 的选择:
&&& R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
&&& 选择10欧
&&& PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2
&&& Pfv=2u(1.5-2.0)
&&& u-三相电压的有效值
晶闸管的保护措施
&&& 元件的主要弱点是承受过电流和国电压的能力很差,即使短时间的过流和过电压,也可能导致晶闸管的损坏,所以必须对它采用适当的保护措施.
&&& 1. 过电流保护
&&& 晶闸管出现过电流的主要原因是过载、短路和误触发.过电流保护有以下几种:
&&& 快速容断器 快速容断器中的溶丝是银质的,只要选用适当,在同样的过电流倍数下,它可以在晶闸管损坏前先溶断,从而保护了晶闸管.
&&& 过 当电流超过过电流的整定值时,就会动作,切断保护.但由于继电器动作到切断电路需要一定时间,所以只能用作晶闸管的过载保护.
&&& 过载截止保护 利用过电流的信号将晶闸管的触发信号后移,或使晶闸管得导通角减小,或干脆停止触发保护晶闸管.
&&& 2. 过电压保护
&&& 过电压可能导致晶闸管的击穿,其主要原因是由于电路中元件的通断、熔断或晶闸管在导通与截止间的转换.对可采用两种措施
&&& 阻容保护 阻容保护是和电容串联后,接在晶闸管电路中的一种过电压保护方式,其实质是利用两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使耗能元件的特性,把过电压的能量变成电场能量储存在电场中,并利用电阻把这部分能量消耗掉.
&&& 第二种是硒堆保护.
可控硅交流调压器
&&& 是一种新型的半导体器件,它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点,目前交流多采用可控硅调压器.这里介绍一台简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器,这可用作家用电器的调压装置,进行照明灯调光,电风扇调速、电熨斗调温等控制.这台调压器的输出功率达100W,一般家用电器都能使用.
&&& 1:电路原理:电路图如下
&&& 可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成,其电路原里图如下图所示. 从图中可知,D1-D4组成桥式整流电路,双基极二极管T1构成张弛作为可控硅的同步触发电路.当调压器接上市电后,220V交流电通过负载RL经二极管D1-D4整流,在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压,该电压由电阻R1降压后作为触发电路的.在交流电的正半周时,整流电压通过R4、W1对电容C充电.当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时,T1管由截止变为导通,于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电,结果在R2上获得一个尖脉冲.这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极, 使可控硅导通.可控硅导通后的管压降很低,一般小于1V,所以张弛振荡器停止工作.当交流电通过零点时,可控硅自关断.当交流电在负半周时,电容C又从新充电……如此周而复始,便可调整负载RL上的功率了.
&&& 2:选择
&&& 调压器的调节选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成,这种电位器可以直接焊在电路板上,电阻除R1要用功率为1W的外,其佘的都用功率为1/8W的.D1-D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等.SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅件,如国产3CT系例.
用可控硅控制的功放动态电源
&&& 如下图所示,交流输入经T1进行滤波后分成两路输出,一路去降压T3,在T3的初级回路中串入了双向KS,用来改变变压器T3的初级交流功率.另一路通过电容C1降压后进行整流,并由D1稳压后给触发控制提供直流工作电压.R3、C3、Q3与变压器T2组成一弛张振荡电路.R2、R4与Q1、Q2组成,给电容C3恒流充电.当C3两端的电压被充至Q3击穿电压时,C3即通过Q3的发射极e、基极b1和变压器T2的初级放电,在变压器T2的次级得到可控硅KS的触发脉冲,控制可控硅KS导通,使变压器T3工作.在变压器T3的次级,经整流、滤波后得到所需正、负对称的直流电压.电容C3两端的电压放电至Q3的谷点电压时,Q3的发射极e与基极b1间关闭,并准备下一周期电容C3的充放电.
&&& R6～R9、Q4、D2与W1等组成电压比较放大电路,调整W1可改变输出电压,并通过IC1去控制Q1、Q2电流源的电流达到改变C3的充放电时间,控制可控硅KS的导通角,从而改变变压器T3的初级交流功率,在次级得到恒定的输出电压,保证了功率的瞬间功率.
&&& 元件选择与调试:变压器T2用5×5mm的E型铁芯自制,初级可用∮0.15mm的漆包线绕200圈,次级绕135圈.变压器T3可用40mm×60mm的铁芯绕制,初级用∮0.9mm的漆包线绕352圈,次级用∮1.26mm的漆包线绕176圈,88圈处抽头.
&&& 调试很简单,先不用接上功率放大器,检查无误后,可先接通电源,用测量变压器T2初级的两端,应有尖脉冲波形,用测量输出端电压,调节W1使输出电压为正、负45V.然后接上功率放大器,此时可看到可控硅的导通角前后移动,输出电压稳定在正、负45V,调试即告完成.本动态电源静态时的功耗约1W,输出功率大于250W,电压稳定率小于0.15%.
&&& 编者按:这个动态电源是否适合音响功放使用值得讨论.利用可控硅改变交流电导通角来获得稳压输出,尽管简单直观,但严重的电磁干扰和波形畸变,对音响功放会产生什么影响,欢迎广大发烧友来稿评论.
使用四比较器的恒温控制器
&&& 使用一个负温度系数(NTC)的热敏,用如图1a的可以用最少的元件、成本和复杂性将温度控制到1℃或更好的精度.该电路含有保护以防止温度短路或开路,且所有的都是常用件.
&&& 该控制器是PWM类型的,但它有指数的传递特性,而不是线性的.这个设计是基于一个LM339(四),并包含了温度补偿.由于比较器的温漂会产生的Vos的变化,并导致了输出改变.然而,在产生工作周期的比较器上,也发生了同样的变化,两者相抵消从而消除了控制器的温漂.
&&& 该控制器的核心是由IC1a、IC1b和相关元件组成的振荡器.振荡器输出的电压峰值和最小电压值是决定控制器精度的主要因素.关于这个振荡器有以下一些公式:
&&& PERIOD=[R5×R6/(R5+R6)+R4]×C1×Ln[(Vas-Vmin)/(Vas-Vmax)] secds
&&& DutyCycle=Ln[(Vas-Vtemp)/(Vas-Vmax)] / Ln[(Vas-Vmax)/(Vas-Vmin)]
&&& Vmax=Vcc×R3/(R1+R3)
&&& Vmin=Vcc×R2×R3/[R2×R3+R1×(R2+R3)]
&&& Vas=Vcc×R6/(R5+R6)
&&& Vtemp=Vcc×(R7+R8)/(Rtherm+R7+R8)
&&& 振荡器的输出直接接到产生工作周期的比较器IC1c的输入端.R8决定温度的设置点.R8到Rtherm的分压为产生工作周期的比较器提供比较电压,比较的输出驱动一个光隔离的双向.
&&& 图1所示出的元件参数值的温度系列是25～115℃.D1和D2用于错误和工作周期指示.R9和R10设置IC1d的反相端电平,用以检测到温度传感器的开路.
声控音乐彩灯
&&& 彩灯控制器的如下图,R1、R2、D和C组成降压半波整波电路,输出约3V的直流电供SCR的控制回路用.压电陶HTD担任声-电,平时调W使BG集电极输出低电平,SCR关断,彩灯不亮.当HTD接收到声波信号后,BG集电极电平升高,SCR即开通,所以彩灯能随室内收录机播出的音乐节奏而闪烁发光.
&&& W可用来调节声控灵敏度,W由大调小时,声控灵敏度愈高,但W过小时,电灯常亮,这时就失去声控作用,使用调试时,将W由大逐渐调小至某一阻值时,电灯即点亮,再将W退回少许(即稍微调大),电灯就熄灭,这时声控灵敏度最高,离HTD二三米远处普通谈话声就能使彩灯闪烁.如嫌灵敏度太高,只要将W调大些即可,电灯长亮不熄,表示BG的放大倍数β值过小,应更换β大些的.电阻均为1/8W.
七彩循环装饰灯
&&& 该灯设计新颖,结构简单,成本低廉,趣味性强,可用在宾馆、酒楼作广告灯,也适用作节日彩灯.
&&& 该彩灯是根据三基色原理,以红、绿、蓝三种基色组成一个可变色彩单元.将三种基色灯装入磨砂玻璃罩内,通过灯罩的混色作用(混色原理是:红色+绿色=黄色,蓝色+红色=紫色,绿色+蓝色=青色,红色+蓝色+绿色=白色)对外循环显示七种颜色,即红、蓝、绿、紫、青、黄、白.
&&& 工作原理:七彩装饰灯的电路如图所示:
&&& 220V交流电经C1降压、DW稳压、VD整流、C2滤波后输出12V直流电压供工作.IC1时基NE555和R1、RP、C3组成一个可的时钟脉冲,为后级电路提供所需的时钟脉冲信号.IC2为C180,它是一块具有同步加法计数功能的COMS集成电路,在它的复位端(R)连接C5、R2,使电路每次连通瞬间自动清零复位.CP是时钟脉冲输入端,Q1～Q4为输出端,其输出逻辑状态见真值表.从表中可以看出,当从C180的CP端输入第一个时钟脉冲时,其Q1端输出为高电平,V1导通,触发双向SCR1导通,第一个基色H1点亮,灯罩显示红色;当第二个时钟脉冲触发C180时,其Q2端输出为高电平,V2、SCR2导通,第二个基色灯泡H2点亮,灯罩显示绿色,当第三个时钟脉冲触发C180时,Q1、Q2端同时输出高电平,V1、V2、SCR1、SCR2均导通,H1、H2同时点亮,根据混色原理,灯罩显示黄色;当第四个时钟脉冲触发C180时,Q3端输出高电平,第三个基色灯泡H3点亮,灯罩显示蓝色.依此类推,C180的Q1、Q2、Q3端输出组成7种逻辑状态,可使三基色灯H1、H2、H3的混色有7种颜色,因而灯罩可以显示出7种彩色灯光.当第8个时钟脉冲触发C180时,Q4输出高电平,C180复位,电路又开始循环上述过程.S为定色,若需要固定哪种颜色时,断开开关S即可.
&&& C180真值表
&&& 元件选择与安装:RP选择470K,它可调节该灯色彩循环速率.C1选用耐压值400V金属膜纸介质无极性.DW用12V的稳压.三只双向可控硅CSR选用耐压400V.其它元件均按图中标注选择.
&&& 安装时,彩灯H1～H3固定在灯罩内,其它元件安装在一个小塑料盒内.将RP电位器和定色开关S固定在小塑料盒的面板上,以便调控.另外在焊接C集成电路C180时,要可靠接地,以防损坏.
简单的停电自锁开关
&&& 电网供电正常时,它象普通一样使用.按一下K1,220V交流电经R1和R2分压给双向提供一触发电压,使双向可控硅导通.可控硅导通后,在电压正半周期间,少量电流经R4、D向C充电,同时经R3、R2分压触发可控硅;在负半周期间,C向R3和R2放电并触发双向可控硅,这样使双向可控硅继续导通,保证负载正常工作.一旦电网突然停电,C上的电荷经R3和R2放电.在电网恢复供电后,由于K1常开,C上又无电压,不能使双向可控硅触发导通,呈断开自锁状态,因此没有电流流过负载.只有重按一下K1,负载才能正常工作,从而有效地防止了因断电后恢复供电造成的浪费和事故.常闭按钮K2用于正常供电情况下关断电路.
电视机背景灯自动开关
&&& 收看电视时,如果开一盏瓦数不太大的灯,让室内有一定的背景亮度,这时眼睛不易疲劳.下图是一个受电视机工作控制的背景灯.在收看电视时,背景灯H自动点亮,电视关机后,灯H自动熄灭.
&&& 图中CZ是电视机插座,R1和VD1-VD4在电视机正常工作时的压降很小,对电视机的正常工作无影响,其中VD3和VD4两只的导通压降约1.2V,该电压经C滤波后,通过R2给V提供触发电压,使V导通,此时灯H亮,电视关机后,V失去触发电压,灯H立即熄灭.对于遥控关机或定时关机的电视机,虽然关机后回路仍有较小电流通过,但因R1阻值很小,其压降也很小,此时VD2和VD3、VD4仍不导通,可控硅仍得不到触发电压,所以灯H同样熄灭.
电子过压继电器
&&& 该设计简单,为电压超过限定值时,它能可靠的动作,切断电源,确保负载不超电压运行,电路如下图所示.
&&& 和的电源是由变为24V经D1整流后提供的,继电器与可控硅串联在电路里.R1、R2是分压,调整R2的大小能使控制极电位变化,从而可控硅能按选定的电压导通.当电源电压达到可控硅限定的电压时,可控硅导通,继电器动作,过压ZD亮,同时切断负载端的电源.
&&& 过电压调整范围应满足当电源电压在正常值时,可控硅不导通,电源电压超过正常值5～10%时,可控硅导通,继电器运用.
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