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电子技术基础试题及答案
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2012年电子技术基础晶体三极管及放大电路章节习题（含答案）,三极管放大电路,三极管放大电路计算,pnp三极管放大电路,三极管电流放大电路,三极管基本放大电路,三极管音频放大电路,三极管多级放大电路,三极管共射放大电路,三极管放大电路设计
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2012年电子技术基础晶体三极管及放大电路章节习题（含答案）
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《电子技术基础》复习题-放大电路.doc10页
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《电子技术基础》复习题-放大电路.doc
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《电子技术基础》复习题
三极管放大电路
一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内
1、 工 作 在 饱 和 状 态 的PNP 型 晶 体 管， 其 三 个 极 的 电 位 应 为（
2、在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是
耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。
3、固定偏置放大电路中， 晶体管的β＝50，若 将该管调换为 β 80 的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流 IC 将（
4、分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容CE因损坏而断开，则该电路的电压放大倍数将 。
a 增大 b 减小 c 不变
5、对放大电路进行静态分析的主要任务是（
确定电压放大倍数Au
确定静态工作点Q
确定输入电阻，输出电阻
6、电 路 如 图 所 示， 设 晶 体 管 工 作 在 放 大 状 态， 欲 使 静 态 电 流IC 减 小， 则 应（
保 持 UCC，RB 一 定，
保 持UCC，RC 一 定， 增 大 RB
保 持 RB，RC 一 定， 增 大 UCC
7、放 大 电 路 如 图 所 示， 由 于RB1，和 RB2 阻 值 选 取 得 不 合 适 而 产 生 了 饱 和 失 真，
为 了 改 善 失 真，
正 确 的 做 法 是（
适 当 增 加 RB2，
保 持 RB1 不 变，
适 当 增 加 RB2
适 当 增 加 RB1，
保 持 RB2 不 变，
适 当 减 小 RB1
8、单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的
9、某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至 Q' 需使 。
偏置电阻RB 增大
正在加载中，请稍后...导读：《电子技术基础》第1、2章练习题，《电子技术基础》第1、2章练习题一、单项选择题。在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1.要得到N型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的（）A.三价元素C.五价元素B.四价元素D.六价元素2.理想二极管构成的电路如题2图所示，其输出电压u0为（）A.-15VB.-9VC.-6V
《电子技术基础》第1、2章练习题
一、单项选择题。在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.要得到N型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的（
A.三价元素
C.五价元素 B.四价元素 D.六价元素
2.理想二极管构成的电路如题2图所示，其输出电压u0为（
3.某放大电路中的晶体三极管，测得其管脚电位为：①脚U1=0V，②脚U2=-0.3V，③脚U3=8V，则可判定该管是（
A.Ge管①为e极
C.Si管③为c极 B.Ge管②为e极 D.Ge管③为e极
4.在题4图中N沟道增强型管的符号是（
5.三种组态的放大电路中，共射放大电路的特点是（
A.既能放大电压也能放大电流信号B.只能放大电压不能放大电流信号
C.只能放大电流不能放大电压信号D.只能放大功率不能放大电压信号
6.PN结加正偏，其耗尽层的厚度将（
C.不变 D.不能确定
7.理想二极管构成的电路如题2图，则有（
A.V1导通V2截止U0=0
B.V1导通V2截止U0=6V
C.V1截止V2导通U0=8V
D.V1截止V2导通U0=2V
8.某电路中的三极管符号如题3图所示，测得其管脚电位标在图上，则该管是（
A.放大状态
B.截止状态
C.饱和状态
D.状态不能确定
9.FET的转移特性如题4图所示，则该管为（
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
10.每个发光二极管的工作电压为(
B.1.8 ~2.2V
C.3~5V D.5~15V
11．硅稳压管的工作状态是（
A．正向导B．正向击穿C．反向截止 D．反向击
12．共射极放大电路直流负载线由（
A．电流放大系数β确定
C．集电极电阻Rc与电源Ucc确定 B．基极电阻Rb与电源Ucc确定 D．负载电阻RL确定
二、填空题。请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
13.将PN结的N区接电源的负极，P区接电源的正极，则为PN结的___________偏置。
14.某放大状态的三极管，知Ib=40μA, Ie=2.04mA，则其β为___________。
15.半导体三极管处在饱和状态时，e结和c结的偏置情况是___________。
16.两级放大电路，考虑到级间的相互影响后，知Au1=100，Au2=100，则两级总的电压放大倍数用分贝（dB）表示为___________dB。
17．NPN型晶体三极管，发射结正偏时，应是发射极电位比基极电位________。
18．稳压二极管的动态电阻越________其稳压性能越好。
19．开启电压UGS（th）&0的是________场效应管。
20．理想运放工作在线性区，流进集成运放的信号电流为零，称此为________。
21.PN结的主要特性是。
22.若三极管发射结正偏，集电结也正偏则三极管处于
23．在1P型半导体中，___________是少数载流子。
24．多级放大器的输出电阻，由___________放大电路的输出电阻决定。
三、分析计算题
25．放大电路如题31图，已知管子的UBEQ=0.7V, rbe=0.9kΩ饱和压降Uces=1V, β=50，C1，C2，CE对交流短路，试估算：
（1）静态量ICQ，UCEQ；
（2）电压放大倍数Au，输入电阻ri；
（3）最大不失真输出电压幅值UOM。
26．指出题26图两个电路能否实现正常电压放大作用？并说明理由。
27．放大电路如题27图所示，已知UCC=15V，RB=300kΩ,RC=4kΩ，RL=12kΩ,RE=1kΩ, β=50，UBEQ=0.7V，rbe=0.95kΩ
（1）计算IBQ、UCEQ；
（2）画出微变等效电路；
和输入电阻ri。 （3）计算电压放大倍数Au
28.电路如图，图中Ucc=12V，UBE=0.7V，Rbl=6KΩ，Rb2=3KΩ，Rc=2.7KΩ，Re1=300Ω，Re2=3KΩ，β=50，RL=2.7KΩ，rbe=1KΩ，试求
(1)静态工作点IB、Ic、UcE值
(2)电路电压放大倍数Au。
29．电路如图所示
试求：（1）给出静态工作点IB、IC、UCE的计算公式；
（2）说明电路属于哪一类放大电路，有什么特点。
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