选择MOS管的时候需要注意的几个参数1，VDSS（击穿电压）：此电压要选择合适，一般是加入的电压值的峰值的两倍。2，VGS（th）（开启电压）：3，RDS（on）（漏源电阻）：这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。而功耗一旦变大，就会加速温升。加速温升，就会需要用到散热装置，从而使得布板出现不必要的浪费。4，ID（导通电流）
一款电调上的MOS管,驱动桥
&& SI4166 - NMOS管子& VDS - 30V& & VGS - 正负20V& ID - 30.5A& & PD - 6.5W& 开启电压最小值范围：1.2V-2.4V& && SI4459 - PMOS管子& VDS - -30V& VGS - 正负20V& ID - -29A& & PD - 6.5W& 开启电压最小值范围：-1.2V-2.4V&pixhawk飞控上用的MOS管&& SI4835DDY - PMOS & VDS - -30V& VGS - 正负25V& ID - -13A& PD - 5.6W& 开启电压最小值范围：-1.0v - -3.0V& && NTHD4102PT1G - PMOS & VDS - -20V& VGS - 正负8V& ID - - 10s维持4.1A，标准-2.9A& PD - 1.1W& 开启电压最小值范围：-0.45v - -1.5V
阅读(...) 评论()MOS管的门极驱动电路
查看: 7055|
摘要: 1) 直接驱动　 电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm，R2是为关断时提供放电回路的；稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门极和源极；二极管D3是加速MOS的关断。
2) 互补三极管驱动 当MOS管的功率很大 ...
&&& 1) 直接驱动　&&& 电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm，R2是为关断时提供放电回路的；稳压D1和D2是保护MOS管的门极和源极；二极管D3是加速MOS的关断。
&&& 2) 互补驱动&&& 当MOS管的功率很大时，而PWM芯片输出的PWM信号不足已驱动MOS管时，加互补三极管来提供较大的驱动电流来驱动MOS管。PWM为高电平时，三极管Q3导通，驱动MOS管导通；PWM为低电平时，三极管Q2导通，加速MOS管的关断；&&& 电阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm，R2是为关断时提供放电回路的；二极管D1是加速MOS的关断。
&&& 3) 耦合驱动（利用驱动变压器耦合驱动）&&& 当驱动信号和功率MOS管不共地或者MOS管的源极浮地的时候，比如Buck变换器或者双管正激变换器中的MOS管，利用变压器进行耦合驱动如右图：&&& 驱动变压器的作用：&&& 1. 解决驱动MOS管浮地的问题；&&& 2. 解决PWM信号与MOS管不共地的问题；&&& 3. 一个驱动信号可以分成两个驱动信号；&&& 4. 减少干扰。
上一篇：下一篇：
Powered by &
这里是—这里可以学习 —这里是。
栏目导航：高功率MOS驱动
在电子工程世界为您找到如下关于“高功率MOS驱动”的新闻
高功率MOS驱动资料下载
电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
2.功率MOSFET的结构和工作原理
功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道...
1．驱动IC产品范围IR公司为用户提供多种从单相到三相桥的驱动集成电路。所有类型都使用了高集成的电平转换技术，简化了逻辑电路对功率MOS管的控制。最新产品已扩展到具有驱动1200V功率器件的能力。作为前沿技术，要求能在更高速度下开关更大的电流，杂散参数的不利影响日趋明显和受到高度重视。本文的目的是找出它们的根源，量化驱动IC对可能引起问题的免疫力，最后，如何获得最大的安全区。2．桥式电路中的杂散...
FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。...
三相混合式步进电机驱动器B3C的工作原理根据正弦电流细分驱动的原理，设计出三相混合式细分型步进电机驱动器，系统采用电流跟踪和脉宽调制技术，使电机的相电流为相位相差120°的正弦波，功率驱动电路采用IPM模块(BJ-B3C型步进驱动器)或六只MOS管(BJ-HB3C型步进电机驱动器)。该驱动器解决了传统步进电机低速振动大、有共振区、噪音大等缺点，提高了步距角分辨率和驱动器的可靠性。&nbsp...
得以更快的发展。.
20世纪80年代，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶闸管)器件研发成功。IGBT器件为电压驱动型，是MOS结构双极半导体器件，具有驱动功率小、开关速度高、饱和压降低以及可耐高电压、大电流等一系列应用上的优点，并可用集成电路来实现驱动和控制，进而发展到把IG.. && 查看前言...
VMOS场效应管介绍及应用 VMOS场效应管介绍及应用
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨...
LM3407是一款集成了N沟道功率MOS场效应管的脉冲宽度调制的浮动式降压转换器，其设计是为提供精准的恒定电流输出，以驱动高功率发光二极管（LED），如LumiledsLuxeon&的功率二极管和OSRAM Golden DRAGON&的LED。改变电流设定电阻器的阻值，可以在300kHz到1MHz之间选择开关频率，这样可使用小型的外部器件。LM3407的显著特色是脉冲电平调制...
基于IR2101最大功率跟踪逆变器的设计 为解决直流逆变交流的问题，有效地利用能源，让电源输出最大功率，设计了高性能的基于IR2101最大功率跟踪逆变器，并以SPMC75F2413A单片机作为主控制器。高电压、高速功率的MOSFET或IGBT驱动器IR2101采用高度集成的电平转换技术，同时上管采用外部自举电容上电，能够稳定高效地驱动MOS管。该逆变器可以实现DC/AC的转换，最大功率点的跟踪...
逻辑与模糊控制
4.2 自动控制技术的新发展--模糊控制技术
4.3 模糊控制表的确定原则
4.4 变结构模糊控制系统的实验研究
4.5 新型集成模糊数据相关器NLX112
4.6 功率固态继电器的应用
4.7 双向功率MOS固态继电器
4.8 SSR小型固态继电器与PSSR功率参数固态继电器
4.9 JGD型多功能固态继电器的原理和应用
4.10 光电耦合器在晶闸管触发电路中的...
多用途专用集成电路3.29 多路高速高精度F/D专用集成电路3.30 数控带通滤波器的实现及其典型应用第四章 控制系统与后向通道接口技术4.1 模糊逻辑与模糊控制4.2 自动控制技术的新发展--模糊控制技术4.3 模糊控制表的确定原则4.4 变结构模糊控制系统的实验研究4.5 新型集成模糊数据相关器NLX1124.6 功率固态继电器的应用4.7 双向功率MOS固态继电器4.8 SSR小型固态继电器与...
高功率MOS驱动相关帖子
。散热片内
置接VIN 引脚。
H6103特点：宽输入电压范围：8V~120V，内置150V/8A 功率MOS，输出电压从5V 到30V 可调，支持输出恒流，高效率：可高达98%，工作频率：160KHz，内置过温保护，内置软启动，内置输出短路保护
H6101外挂MOS最大可以驱动10A输出
H6103芯片，支持DC-DC8-120V宽输入电压超低静态功耗8-120V转5V3A共享电动车GPS...
LZC811C是美国菱奇（LozenTechnologyInc）公司推出一款全新大功率隔离LED照明电源驱动IC,功率可达
100W内，可以做到100W，高PFC,高性价比，我司有详细的PCB资料和BOM清单。
索取详细资料QQ； 袁R
主要特点：
1.集成PFC,功率因数很高, 大部分情况下效率在90%以上, PFC 0.95到0.99,
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极...
拓扑需要两个电感, 利用率不高, 体积较大, S2极难驱动
这种拓扑只能算在高性能开关器件诞生前的一种这种方案
介绍了这六种PFC, 每一时刻电流只通过两个功率开关器件, 比传统PFC的三个少, 在不使用软开关和交错技术的情况下, 理论上这些拓扑的损耗几乎相差无几, 都比传统PFC高
剩下的主要就从EMC和易于实现的角度考虑了
综合考虑下来还是 采用标准无桥PFC作为现阶段的拓扑, GaN...
温度温度超过145C时，芯片自动进入过热保护状态，功率MOS管立刻被关断。直到温度下降10C后，系统退出过热保护状态，恢复正常工作状态驱动IC。
LZC811C是美国菱奇（LozenTechnologyInc）公司推出一款全新大功率隔离LED照明电源驱动IC,功率可达 100W内，最大可以做到100W，高PFC,高性价比，我司有详细的PCB资料和BOM清单，可提供DEMO板和样品测&nbsp...
电源而言，但从频率10kHz这句看楼主好像是要做一个交流输出的电源。
把你的要求说清楚些，才好给你出主意。
另外，“高压驱动电源”的称呼就很不规范，容易引起误会。
说清楚用途、负载。
我司专注于线性LED研究，为行业提供高性价比的IC和半成品。
以下为我司主要几款高压线性LED IC.
RM9000X是一款高精度多段线性恒流LED驱动芯片，通过外推MOS管驱动高电压LED串...
我是用IR2110驱动mos管，如果两个mos管并联的话是一个驱动芯片同时驱动两个mos管吗
这个问题, 就好比CPU多核多线程并行运行. 单核单线程性能受架构, BUFFER, 指令集和主频的限制, 近年提升很慢, 全靠堆核心. 同理, 当单颗功率器件在散热, 布线电流密度等方面遇到瓶颈时, 可以有限地并联获得最佳性价比....
是不是同样电流的情况下这个值越大电感的体积也越大？
[quote][color=#999999]PowerAnts 发表于
23:24[/color]
[color=#999999]不一定非得用VR调电压, 用单片机也行.[/color][/quote]
老大 我是想用这个芯片驱动LED
开始想通过在输出串联MOS用PWM调节亮度
你说的VR意思是可以通过PWM调节FB...
好于图二，图二在满载时用示波器观测电流波形上明显叠加尖刺，由于干扰限流 点比设计值偏低，图一则没有这种现象、还有开关管驱动信号电路，开关管驱动电阻要靠近开关管，可提高开关管工作可靠性，这和功率 MOSFET高直流阻抗电压驱动特性有关。
　　下面谈一谈印制板布线的一些原则。
　　线间距：随着印制线路板制造工艺的不断完善和提高，一般加工厂制造出线间距等于甚至小于0.1mm已经不存在什么问题，完全能够...
本帖最后由 yuansixiang 于
17:49 编辑
美国菱奇非隔离高PF温控 驱动芯片 :LZC8710/LZC8720
LZC8720&&SOT23-6&&内部温升&140度 常用于过温保护，普通芯片一旦超过140度, IC进入自我保护状态,停止工作, 灯也就灭了, 而LZC8720 温度达到140度时,电流下滑...
高功率MOS驱动视频
高功率MOS驱动创意
你可能感兴趣的标签
热门资源推荐本页面需要加载Javascript才能正常浏览
欢迎光临中图电子网
驱动电流_mos管驱动电流,驱动电流是什么意思
[摘要]驱动电流
& 以下是关于驱动电流的讨论，转载各个论坛，有兴趣的大家看看
&其输入电压基本是一个确定值，提高电流可以改变亮度，减小电流降低亮度，那么就把它确定为电流型器件。又比如气体型霓虹灯，电压低了连亮都不亮。亮了以后电流很小，那么就把它确定为电压型器件。供参考
& &如果你进了这个帖子，先不要以看到这个图就着急下结论，最好把帖子从头看一遍再说，看之前也要明白一下几点：1、三极管是不是基级电压为零九关断，特别是Q1？对于Q2是不是驱动是零就开通？2、三极管中电流能充E流向C吗？3、你确信你已经对这个电路很了解了？连励磁电流的流向都能说清楚？
另外，这个电路中用的是三极管，不是MOS管，MOS管电路不用分析。
& 继续按照原来的&惯性&走，B-C-D-E-？？。。。。喔，走不下去了。Q2处 缺少缓冲回路。别告诉我晚上你两个讨论的，励磁电流通过副边消耗掉的结论。
& 磁电流方向不可能改变，会维持原方向，从上到下，原边没有通路，当然要走副边消耗掉~
驱动电路稳态工作时，原边隔直电容的电压，始终为左正右负，并且恒值Vc*D~
高电平时，驱动变压器原边伏秒积为Vc*（1-D）*DT，
低电平时，变压器原边的电压为隔直电容的电压，不过是下正上负，去磁伏秒积为 Vc*D*（1-D）T~
& &你画的这个电路，跟前面讨论的电路有些不同吧？栅源之间的电阻，是你自己加上的，不过这样更容易分
1、励磁电流能从副边消耗掉？开玩笑吧？
2、后面的驱动原理我都说了，大家都懂。
3、即使励磁电流由副边消耗掉，那励磁电流从现在b-c-d-e的方向降低到零，也的需要一个时间吧？在这个时间内，电流的流动回路，不要说方向。我要的是回路！！！！！！！
我想问的是，励磁电流为什么不能从副边消耗掉？
反激变压器的能量，都是励磁电流，mos关断的时候，励磁电流就是从副边释放~
励磁电流是一种空载电流，励磁的时候，能量无法传递到副边，但去磁的时候，是可以从原边释放的~
&&& && & &
电容电压不会突变，电感电流不能突变，这是基本物理规则~
目前为止，本贴还没出现专家，都是些砖家~
假如按照你的分析：能从副边消耗掉，那么励磁电流复位回零电压，将由次级负载决定。
谁告诉你Q1是关闭的？好好看看理解一下18楼的解释。
49楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
对nansir18楼说B感应出负电位表示质疑。
如此说来：C将出现更负？
电容在去磁的过程中，继续被充电？
回复本贴由 blueskyy 在
11:16:47 编辑
52楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
你说对了，C点电位会比电容上电压低一个PN结压降。这个驱动电路副边的波形是有正负的。
58楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
副边的波形是有正负的, 这正是目的
正的原因：Vcc- Vcc*D
负的原因 ：Vcc*D （电容电压，通过Q2 下正上负）
回复本贴由 blueskyy 在
11:29:40 编辑
59楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
你还是没弄明白，电压确实是这样，但不一定非得通Q2的导通。B点的电压时低于地电位一个PN结压降就可以保证你的这个公式。
61楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
按照nansir的意见，在G=0的一段时间内：Q1仍然继续通，这个时间是让Lm电流回零的。
此时的电容：左：负电位 ，右：更负的电位。（左- 右 =VCC*D）
当Lm电流=0 后，
此时的电容：左：正电位 ，右：0电位。（左- 右 =VCC*D）
开启Q2。Lm电流开始负增长。
好象有点点道理。但我仍然表示怀疑。土豆帮仿仿，看看电容左端电位有没有这个跳变。
62楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
我不同意NANSIR 18楼的分析
假如如此：电容左端只可能感应出接近0电压的电位。这样低的电压，不可能让Q1饱和导通。
为啥：电容左端只可能感应出接近0电压的电位？有如下分析：
Lm的去磁电压=电容电压VC，没人怀疑吧。
当按照NANSIR 18楼的分析，G=0的一段时间内：Q1仍然继续通，这个时间是让Lm电流回零的。
由：电感消磁电压= V Lm= (GND- V右）= VC ，得出V右= - VC ，
又由于：电容电压=V左- V右 = VC，
所以：电容 V左电位一定 = 0
V左电位一定 = 0，请问Q1还能通吗？
即使Q1能通，还能大电流饱和的通吗？
回复本贴由 blueskyy 在
13:37:37 编辑
64楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
为什么不可能？在构不成回路的情况下，去磁电压变成多大都有可能。你说去磁电压等于电容电压而不是电容电压加一个PN结压降，那你把回路给我描述出来。别告诉我副边去磁，在这个图中，那属于扯淡。
73楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
我从来没说副边去磁，也不赞成这个说法。
去磁电压=电容电压VC+三极管压降-VCC；
有分析的 理论依据么？
给我的感觉就是：先假设有这条路，然后就往这上面靠。
回复本贴由 blueskyy 在
13:04:02 编辑
76楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
171楼轻飘飘| 工程师 (1416) | 发消息
76楼的理解是正确的
65楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
看了兄弟的分析，看来你还需要把电路和磁路的理论好好学习一下。
Lm的去磁电压=电容电压VC，没人怀疑吧。
我就怀疑啊，去磁电压=电容电压VC+三极管压降+VCC；
你下面的分析我就不说了
回复本贴由 nansir 在
12:03:14 编辑
66楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
我也怀疑，但nansir给的公式好像不对，去磁电压力没有VCC，虽然去磁回路跟Q1有关。
68楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
确实是有问题，哈哈，YTDFWANGWEI兄很仔细，应该是下面的公式，请斧正
去磁电压=电容电压VC+三极管压降-VCC；
去磁电压=电容电压VC+二极管PN结压降-
回复本贴由 nansir 在
12:36:50 编辑
279楼lllhseekunet| 本网技工 (123) | 发消息
08:41倒数8
72楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
都是在瞎子摸象。
谁能帮仿仿？
75楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
去磁电压=电容电压VC+三极管压降-VCC？？
我们需要的是让人信服的分析，不是臆断。
你第二个公式：去磁电压=电容电压VC+二极管PN结压降-
如果将PN的电压看作是0 呢？请结合我62楼的再看看。
人不能不自信，太自信了就是&固步自封&哈哈。
回复本贴由 blueskyy 在
13:30:16 编辑
285楼aipoul| 本网技工 (162) | 发消息
08:41倒数2
关注中..............
63楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
谁告诉你LM等于0后，左边是正了？Q2导通，左边会是零。
71楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
左边是零，Q2能导通？？？？？？？？
回复本贴由 blueskyy 在
12:51:15 编辑
255楼sjpe_mail| 助理工程师 (307) | 发消息
电容两端电压不能宊变这是不变的物理特性，我觉得不可能被再充电，只要变压器不饱和就是等待反相复位.
24楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
按照你的说法，B点电压变负，岂不是隔直电容电压突变了~
而且按照这个过程，何以维持驱动变压器的伏秒平衡？
28楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
电容电压不会突变，但电感两端电压会突变。明白了没有？
29楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
隔直电容电压不能突变这是常识，但激磁电感的感生电压可以突变的啊
33楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
那这时候的励磁电感的电压正负是怎样的？下负上正？还是下正上负？
38楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
回复本贴由 blueskyy 在
11:01:14 编辑
129楼gaohq| 高级工程师 (2709) | 发消息
我觉得要继续补充一点就好理解了
当Q1刚刚截至那一瞬间，由于激磁电流方向不能突变，激磁电感感应电压反激，B点电压变负，G-B维持正向导通，三极管放大作用，三极管Q1又维持导通AB导通，C1继续被充电（左正右负），驱动变压器原边上的电压因为电容C1被继续充电其（C1)上的电压在不断增加而使变压器原边电压不断减少实现磁芯复位。
130楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
是的，我也认识是这样，在驱动信号变低后，并不是Q2开通，而是Q1工作在线性状态，在这个过程，电容继续被充电（要明白一点，电容被充电不代表励磁电流增加，实际已经进入励磁电流去磁过程）。从等效图上来看，去磁电压基本等同于电容电压。
254楼sjpe_mail| 助理工程师 (307) | 发消息
假设，在G为高电平时，Q1导通期间电容C已经完全充足了电，怎么还会有从左到右的电流从上面过？
281楼QQ906871卖电容| 工程师 (404) | 发消息
08:41倒数6
学习一下，了解一下我们销售的电容在电路中起到什么作用，很有帮助。
248楼opopop| 助理工程师 (317) | 发消息
****广告已经删除****
2楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
呵呵，还真是心有灵犀哟。。。
39楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
你们好好理解一下18楼nansir的说法，别一味的按照自己的想象来理解。我当然知道RCD也可以复位，即使没有复位绕组没有复位RCD副边也可以，可那像nansii说的那样，副边感应的高压会如何控制？就以这个驱动来说，副边有回路吗？
46楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
既然是理解，肯定是按照理论来解释，就不会是想象~
nansir的说法，无法让人信服~
激磁电感反激，何以使Q2处于放大状态，不能是饱和导通状态？
而且按照18楼的说法，驱动变压器磁化曲线工作在一三象限，这点我不敢苟同~
51楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
磁化曲线怎么就不能双向呢，你可以不信服，但不要光想象，可以自己把几种工作模态分析一下，然后在下结论，我的解释不一定正确，但你要反驳的话最好有详细的理论分析，这年头八卦的帖子都需要有图有真相，那么我们做技术的也要有分析在有结论啊。
70楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
我没有凭空想象~
既然你定义磁化曲线是双向的，但何以保证伏秒平衡？
67楼晶纲禅诗| 副总工程师 (8473) | 发消息
的确是双向的。
74楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
在这里Lm是双向磁化的。这个我也同意。
在G=0，Q1关闭，
正向消磁的分析，NANSIR 的臆断，不能让人信服。
回复本贴由 blueskyy 在
13:43:18 编辑
132楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
在G=0，Q1关闭，
这句话才是臆断，谁说G=0，Q1就关闭了？
133楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
来论坛讨论的，是为交流技术，blueskyy兄弟的发言我没回复，是不想把交流搞成争吵，
大家最好像王工80楼那样清晰的给出分析的脉络，依据什么定律；思路怎么展开的，不要马上就给出一个结论性的东西，而且还很情绪化的结论。
无论什么电路都要符合基尔霍夫定律，这个是大前提，然后在根据法拉第电磁感应定律，麦克斯韦方程等进行展开分析。这样得出的结论才让人信服。
134楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
Nansir 是个有修养的人。
表示对你的敬意。
上班 抢时间 偷着发贴。措辞欠妥。希望不要计较。
135楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
兄弟过虑了，以后还要大力的发帖啊
44楼allen-leon| 副总工程师 (6235) | 发消息
怎么重复讨论了。。
之前也有人发贴讨论过这个驱动线路。。。
47楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
没有讨论这个驱动电路，讨论的是励磁电流的方向及流动的回路。
55楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
这个帖子真火~
短短一个小时，直奔精华~
是我们平时不注意如此简单的电路，还是我们平时不注意思考~
45楼晶纲禅诗| 副总工程师 (8473) | 发消息
对这个电路而言，B点可看作：不是与A连通，就是与E连通。原边可看作是个恒压源，励磁电流应该会怎样？
57楼lansunhsu| 高级工程师 (2756) | 发消息
没搞过此类大功率电源的MOS驱动！我觉着T1当成理想变压器理解吧。能量从原边到副边，又从副边到原边。C1的大小应该很关键。
回复本贴由 lansunhsu 在
11:40:47 编辑
60楼晶纲禅诗| 副总工程师 (8473) | 发消息
在这里不存在【励磁（自然）复位】这个概念，在这里是被反方向的【励磁电流】强制复位的。
69楼风之澜| 本网技工 (192) | 发消息
不就是电容的充放电回路吗？C1要选好，以保证输出波形的对称，防止失真。小心输出正弦波哦
77楼gaohq| 高级工程师 (2709) | 发消息
哈哈，我还在关注那个贴子呢，原来到这里来讨论了。
回复驱动电流驱动电流
78楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
这个驱动原边是个标准的不对称半桥电路，T1`blog_是双向磁化，励磁电流走向需要在Q1,Q2上并联二极管。通常没有二极管时，是由于驱动的励磁电流较小，三极管的关断延时和PWM波形比较陡，当然副边也可以走一些，所以，没有续流二极管也不至于有很大风险
驱动电流79楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
回复本贴由 blueskyy 在
13:57:15 编辑
80楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
结合nansir在18楼的说法，俺来说说自己的理解。
1、驱动信号高电平的情况下，Q1饱和导通是没问题的，电流有A-B-C-D-E,这个也没有异议。
2、在驱动信号变成低之前的瞬间，我们认为电容上有电压V1，左正右负，电感中有电流，由C到D。
3、驱动信号变成低电平后，Q1关断，励磁电流保持原来方向有C到D，但没有流通回路，因此原变感应电压逐渐增大，方向为D正C负，当感应电压等于电容电压时，B点位0电平，当感应电压达到电容电压+PN结电压时，B点为负的PN结电压,这个时间是很短的，励磁电流可以认为没变。
驱动电流4、由于B电为负的PN结压降，Q1就会导通，但不是饱和导通是线性导通，Q1的CE压降为VCC+PN结压降（这里我描述的可能不那么准确但意思应该是这个）
5、这样，从外表来看，去磁电压还是电容电压（象蓝天说的，假设PN结压降是0的话）。
6、当励磁电流降低到零后，原变没有感应电压，B点自然就不会降低到地电平一下。那Q2自然导通，电流也反向了。
&&& && & &驱动电流82楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
&&& &仍然质疑。
&我将他18楼的分析用图表达出来。为了更好地说明问题，将Q1当作闭和的开关好了。
在消磁的过程中，实际是将Lm的能量转移到电容中。
满足：1/2*Lm*i ^2 =1/2*C*V^2
再来假设：Lm如果足够大，C并且足够小，Vc 我们将得到非常高的电压。
有可能Vc原远远高于VCC。Q1还能工作吗？
回复本贴由 blueskyy 在
14:40:24 编辑
83楼驱动电流| 专家 (36272) | 发消息
你又在那里假设，假设是你说的那样，那不是驱动电路。那就成了谐振电路了，你想想，如果VC大于VIN了，副边的驱动是什么样子？我们不是讨论这个电路的各种情况，是讨论这个驱动电路的情况，前提是它的满足驱动电路的最基本要求。
85楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
&S2 闭合 ，S1断开。
驱动电流现在： S2 断开，同时S1闭合。有什么现象？
回复本贴由 blueskyy 在
15:10:26 编辑
86楼lansunhsu| 高级工程师 (2756) | 发消息
走火入魔了！硬是要往谐振上靠。
这个变压器的副边没有整流二极管，给了MOSFET Cgs的能量还能倒回来的。
回复本贴由 lansunhsu 在
15:16:26 编辑
88楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
呵呵，还是清醒的。没有走火入魔。
你结合王斑竹80楼分析总结，再看看俺这个草图。
90楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
你从头到尾没个回复都看看。你这个图跟我80楼的说法风牛马不相及。
93楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
晕，85楼的图和82 楼的图 不是一样的么？
80楼中Lm如何减少到0 ，不是82楼的么？
84楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
MOS的栅源电容，在q1,q2转换过程中，这个电容对维持励磁电流有用，B点电压在正常驱动过程中不会降到E点以下，否则Q2真是要等到励磁电流降到0才能导通，但实际工作中不是这样的
87楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
不是这样是怎么样？励磁电流从哪里走降低到零？我要的是励磁电流的回路，不是工作原理。
89楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
励磁电流在Q1、Q2转换过程中，有两部分可以提供：1，Q1、Q2的开关延时，2，MOS的栅源电荷
91楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
你的意思是，在Q1Q2转换过程中，励磁电流已经降低到零了？那么这个转换过程是多长？是不是就是Q1Q2自身的延时？如果是那时间是不是很短？因为这个是延时基本对应副边驱动关断下降。
92楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
就是Q1Q2自身的延时，大约30~50nS吧，且上升延时比下降延时短，所以Q1、Q2都关断的时间可能有也可能没有，有，时间也很短，这时栅电荷正好可以维持励磁电流，当然时间也不长。时间再长的话，或者励磁电流大的话就要有续流二极管的帮助了
回复驱动电流&& &&& &
94楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
在Q1导通时，励磁电流增加为（输入电压-电容电压）&导通时间/励磁电感。这个电流的增加等于励磁电流的减小，按照你说的如果几十纳秒内回复到零，那么复位电压应该是多少？
95楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
呵呵，感觉越来越接近真相了。。。
96楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
没有回复到零，而是维持电流大小方向都不变
97楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
等Q2导通后才会回复，Q2关断时励磁电流方向是反的
98楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
等Q2导通后才会回复
请问：Q2导通后，Q2的电流方向？此时Lm的方向？
怎么又回到问题的原点？
回复本贴由 blueskyy 在
16:40:19 编辑
99楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
呵呵，三极管电流能从E流向C吗？
101楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
我的驱动都有两个二极管，电流方向是E到C的，没有二极管励磁电流流向是有问题
&& &&& &驱动电流
103楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
那你的意思就是我提供的这个驱动有原理性问题了？我没用过，但别人用过是没问题的，我用的都是MOS管。
106楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
王兄，你的MOSfet是有内置二极管的。。。哈哈
别人没有问题，也许是电流本身就小。再说三极管也就结电容呀。
让他搞个大电流试试。
回复本贴由 blueskyy 在
17:14:39 编辑
121楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
蓝天兄，你看帖子注意点啊，我都说过1、这个电路不可能利用三极管做大电流的。否则Q1肯定嗝屁。2、我用的是MOS，别人用三极管没问题。大电流这个电路100%完蛋。
260楼sjpe_mail| 助理工程师 (307) | 发消息
这个电路经过批量验证350W，不会嗝屁.
104楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
明白人，再顶你。
100楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
栅电荷正好可以维持励磁电流？ 没有看懂，能否画个图看看到底怎么维持的呢？
102楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
以上图Q1导通，栅极正偏为例，Q1导通时励磁电流C到D，Q1关断，正电荷由副边也从上到下，正好延续励磁电流
105楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
应该不对吧，最好把变压器的等效电路图画出来分析一下，栅极电荷不能起这个作用，变压器激磁感应电压和栅极电荷电压是串联关系，而且极性刚好负阴抱阳，这个反激电压是可以快速抽取栅极电荷的
107楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
对啊，反激电流不是维持励磁电流方向和NI不变吗，Q1关断，正好抽取栅电荷
108楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
激磁电流不变，但电压反向。我说的栅极电荷不能使变压器磁复位也可以用伏秒平衡来解释，栅极电荷加到变压器上的V.S值是否为零呢？
81楼wsh5106| 工程师 (1500) | 发消息
呵呵，才看到这个帖子，没想到当时帖的一个图却引来如此激烈的讨论~
说下我的理解：
1，这个图要说明的仅仅是原理，那是个什么样的变压器，理想变压器！那么问题就会比较明白了。举个例子：书上介绍反激原理的时候也是没有加RCD吸收的。
2，实际上不可能励磁电感无穷大，励磁电流为0。但在这个磁芯的选择上，是尽量选高u值的磁芯，往理想变压器那边靠，因此励磁电流也是很小的，小到由此引起的尖峰不会击穿三极管即可接受的。还是反激的例子：原边非要加RCD吸收吗？
3，实际中，加上二极管可以改善驱动波形。
以上是我的理解，大家继续~
109楼晶纲禅诗| 副总工程师 (8473) | 发消息
如Q1、Q2在工作过程中有两个管子都截止时即B点的高阻状况存在，则王工80楼的观点大部分都成立。
但这个电路的实际工作情况可能出乎大家的意料，曾对50/;;TIP41/TIP42;
TIP31/TIP32等常见的对管组成的互补射随器做过测试，上下管只存在[共态导通]时期，而不存在[共同截止]时期，
（这与线性电路中的&交越失真&与&开关失真&是两码事，原因是晶体三极管导通快，而关断较慢）也就是不存
在输出的[高阻状态]，所以才有45楼、60楼的说法，也是Q1、Q2无需反并二极管的原因。
后面有帖子中说到的励磁能量部分会通过副边释放的说法，个人认为是成立的。
王工这个帖子是个难得的好帖子！
110楼cheyne| 工程师 (782) | 发消息
看大家讨论这么激烈，找书看看，在赵老师书上找到一个例子：看到驱动电平为高的时候，变压器中电流就有正有负了，感觉和大家分析的有出入（也许没明白，呵呵），各位大师看看怎么解答下。
112楼gaohq| 高级工程师 (2709) | 发消息
是哪本书？
中间的那个是U ？的波形？
128楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
中间的那个是变压器原边电压波形，变压器中电流本来就是有正有负。
138楼cheyne| 工程师 (782) | 发消息
在驱动电平Ub为正时，电流就有正负，想知道负电流路径和正电流路径怎么样？
139楼cheyne| 工程师 (782) | 发消息
仿真波形,在驱动电平为高电平时,上管NPN先是不通的,下管PNP导通,之后下管PNP关,上管NPN通.
驱动低电平时候,上管NPN通,下关PNP断,之后上管NPN关断,下管开通.
268楼xueluowu| 工程师 (860) | 发消息
& 真是热火朝天，有图有真相。有的时候实际能够行得通，但是原理上就是说不过去。这种情况是正常的。
122楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
驱动电平有高有低完全正常，我80楼说的也是一样的。
114楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
个人还是同意80楼观点，原因还是从电流的角度来讲到目前为止只有80楼的解释能讲的通，同时激磁复位和[共态导通]关系不大，因为共态导通并不能改变激磁电流的方向
个人也不同意通过副边释放的说法，从伏秒平衡的角度副边不具备这个条件，相反副边对激磁的复位是起不好的作用的
回复本贴由 nansir 在
23:18:51 编辑
115楼gaohq| 高级工程师 (2709) | 发消息
你的意思是： 流过Q1的电流有两个连续的过程
1，电流由小到大&&励磁
2，电流由大到小&&去磁
然后才是Q2导通
167楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
116楼晶纲禅诗| 副总工程师 (8473) | 发消息
当然啦，激磁复位和[共态导通]是没有关系的，[共态导通]只是使[高阻状态]不存在了，也可理解为[死区接近零]。
王工80楼的第6点是有点问题的，[正向励磁电流]不是靠[**回路复位]的！而是靠Q2导通被强制复位的。
117楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
[正向励磁电流]不是靠[**回路复位]的！而是靠Q2导通被强制复位的。
哈哈，这话是本贴争论的&核心&，晶斑竹的结论，让人欣慰。
但是：[共态导通]，Q2的C-E 不允许电流从C到 E ，Lm如何靠Q2导通被强制复位？
118楼晶纲禅诗| 副总工程师 (8473) | 发消息
C1上的能量干吗去了？C1两端的电压波形是怎样的？Q2导通时，C1会怎样？电流又怎样流？
120楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
C1上的能量干吗去了？
Q2的作用是反向励磁的，不是用来正向磁复位。Q2不具备正向磁复位的通路。
这个电路是有问题的。缺少正向磁复位的通路（反向磁复位也一样）
帖子里说了这么多，看来是白说了。
回复本贴由 blueskyy 在
08:12:38 编辑
124楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
谁告诉你Q2一定是反向励磁的？你看看80楼的解释，怎么没有磁复位的通路？你说的很多，但都是建立在你自己先入为主的情况下的，你说这个电路由问题，问题再哪里？别告诉我没有通路，你先说明我80楼的说法的错误在哪里，再说有没有回路。我给你找个帖子，你看看。/bbs/2258.html &你看看这个帖子，有时候每个器件的作用跟你想象的是不一样的。
126楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
你在80楼的说法，肯定是有问题的~
Q1在驱动电平为低时，很快就会关断，时间也就是差个关断延迟而已，而不会像你说的那样，Q1会一直导通，知道励磁电流降低到零~
我请教请教高人去，验证验证我的想法~
127楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
三极管关断的条件是什么？是驱动是零吗？B比E电平高，三极管就不会关断。好好想想。
119楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
可以做个实验或仿真，拿掉Q2激磁复位也是可以的，Q2的作用更多的是反向励磁，起复位作用的还是Q1部分相关的电路
168楼晶纲禅诗| 副总工程师 (8473) | 发消息
这个当然，但电路波形又是另一种样子了。
我觉得对这个电路而言，Q1、Q2最好当做一个【整体】来考虑。
111楼ivanandanny| 工程师 (723) | 发消息
就是啊，只会拿来用驱动电路，不怎么清除工作原理
113楼carina| 工程师 (1104) | 发消息
鄙人分析如下：
当输入时高电平时，Q1导通，变压器输出脉冲，当输入为低电平时，根据三极管的开通条件可知，Ube&Uon，Q1是瞬间关断的，而此时Q2导通，构成变压器磁复位回路即：B-C-D-E.。对于这种驱动电路缺点就是，输入占空比不能太大，即Q1导通时间要小于或者等于Q2导通时间。
125楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
三级管能反向流电流吗？看清楚，这个是三极管不是MOS管。
137楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
呵呵~你还真别说~
我说说两点：
1、三极管的C和E，和mos一样，有时候是可以互换的，即电流可以从C流向E，也可以从E流向C~
2、这个电路我仿真了一下，结果是：驱动变压器是双向励磁的，磁化曲线工作在一三象限；驱动信号高电平上升沿，磁化电流正处于负向最大值，也就是从下向上~
3、80楼的观点是有问题的，原因是没考虑负载效应~
莫陷入口水战，欢迎上个时序图~
151楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
1、三极管的C和E，和mos一样，有时候是可以互换的，即电流可以从C流向E，也可以从E流向C~
还请解释一下，MOS好理解，三极管大家还真没这么搞过，还请兄弟从物理结构上讲一下怎么电流就能双向流动呢？
152楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
C和E的不同，主要在于杂质的搀杂浓度不同～
印象中大学课本里有这方面的内容，数字电路里的TTL电路，就有npn三极管电流从E流向C的例子～
153楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
一直以为三极管不可能从E流向C，如果可以，那80楼的分析是有问题的，否则我还是坚持80楼的见解，呵呵。
154楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
以前我也认为不可以的，但我师傅告诉我，是可以的，并举了数字电路里面TTL电路的例子～
即使电流可以从E流向C，即倒流，我觉得你80楼依然是有问题的～
原因我在前面说过了，具体的时序我在思考，但跟你80楼的不太一样～
155楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
晕，我都说了，如果可以从E流向C，我80楼的分析就是错误的，而不是有问题，这个帖子根本没有讨论的意义，将三极管换成MOS管，时序谁都可以懂。
165楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
实测值：MPS2222A:正向放大倍率227，反向（E,C倒接）2.9倍，B悬空，Iec=6mA@100欧/12V（以下同），Ibe=1mA时，Iec=13mA,Ibe=10mA时，Iec=13.6mA。
电流可以倒流，但很小，是否够励磁电流，要看实际情况。
156楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
那还请你师傅给讲一下，其中的原理让大家长长见识，电流从E流向C具体条件？
目前为止在这个电路里我实在找不出来三极管电流从E流向C的理由，我也很想开阔一下自己的视野
157楼greendot| 副总工程师 (8545) | 发消息
&三极管有两个工作区域，Forward active region 和 Reverse active region。
前者电流C向E，后者电流E向C。
159楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
Reverse active region,请问什么条件下发生？是不是像MOS管一样，只要栅极电压满足三极管开通条件，就可以由E流向C？也就是途中，只要驱动信号变成零，Q2中电流就可以由E留向C？
160楼gaohq| 高级工程师 (2709) | 发消息
161楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
大师说的是三极管的倒置放大状态，条件是发射结反偏，集电结正偏，由于三极管结构的不对称性这种情况的放大倍数很小。
但本电路显然不具备倒置放大状态的条件
162楼greendot| 副总工程师 (8545) | 发消息
书不在手边，刚搜来的：
&这只是回答你156楼的第一个问题。
回复本贴由 greendot 在
13:06:33 编辑
163楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
呵呵这张图好像有点问题，如果图上横轴给出的均是发射结电压的话，应该在反偏的时候是集电结电压值才对
回复本贴由 nansir 在
13:17:19 编辑
164楼greendot| 副总工程师 (8545) | 发消息
没问题的，C，E角色互换，Vce 变成Vec=-Vce。
176楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
我指的不是这里，而是发射结、集电结的角色也应该互换
166楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
可以《数字电路技术基础》里面的TTL电路部分，TTL反向器的输入端，是npn三极管的发射极~
而TTL电路输入可为正，说明对于npn管子来说，电流可以从E流向C，即倒流~
即使图中的两个三极管，都不会倒流，你在18楼和王工在80楼的说法，都是有问题的~
原因我在前面说过了，你们都没考虑负载效应。
要知道驱动变压器次级是个容性负载，电流可以反灌~
123楼ruoshui136| 高级工程师 (4248) | 发消息
131楼pusiyu| 助理工程师 (365) | 发消息
还没做到这样深入的分析问题，关注中，学习了。。。。。。
136楼alexandrian| 助理工程师 (345) | 发消息
今天，俺没有事，就做了仿真，等等就传上去，
变压器模型用电感替代了，成了反激得模型了，
可是结论和斑竹的很一致，
在Q1关断，Q2开通时，原边电流已经将为0了。
140楼alexandrian| 助理工程师 (345) | 发消息
仿真电路：
&最后上:源文件：
MOS-DRIVER.rar
141楼alexandrian| 助理工程师 (345) | 发消息
仿真的路感觉不对，变压器在复位时，应该是只有励磁电流和漏感电流的，
但上述电路，是将Ton时间内的所有能量进行复位的，，，，
saber水平有限，一加变压器就报错，，，
143楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
实际上驱动变压器就激磁复位的仿真，我认为用电感仿真误差是不大的。因为MOSFET开通后驱动变压器源边的电流主要就是激磁电流
147楼alexandrian| 助理工程师 (345) | 发消息
请教大师，一般复位电容怎么计算，
149楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
这个电容的计算和半桥隔直电容计算原理是相同的，C=(Iavg*DT)/dV，其中：dV电容上电压波动值
144楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
请141楼的朋友将图中，&曲线 ：对应电路的点& 标示出来。
回复本贴由 blueskyy 在
22:10:37 编辑
145楼alexandrian| 助理工程师 (345) | 发消息
有空将波形整理明晰给大家看，不过只能利用晚上的时间，
公司的电脑，有加密软件，发出去，大家都打不开的，万恶的加密软件啊，
146楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
呵呵，辛苦了。来一杯咖啡
148楼alexandrian| 助理工程师 (345) | 发消息
呵呵，谢谢，很感谢大师们的讨论，小弟学到了很多，
142楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
呵呵，这才叫有图有真相
150楼alexandrian| 助理工程师 (345) | 发消息
scope中的波形对应的电路上的节点如下：
波形从上到下，对应为：
Vl: & & & & & & & & & &电感上的电压
i(short,il): & & & 电感上的电流
Ve： & & & & & & & Q1发射极对地电压
i(short,iq2): & 流过Q2的电流
i(short,iq): & & 流过Q1的电流
Vb: & & & & & & & & &脉冲发生器的输入电压
Vb-Ve: & & & & & Q1-Vbe.
158楼gaohq| 高级工程师 (2709) | 发消息
170楼smarttiger| 本网技工 (104) | 发消息
第一个圆圈的波形是由于驱动脉冲由低变高，但此时Q1不导通，Q2导通，所以，B点电位为5+Vbe，被抬高Vbe，第二个圆圈波形是由于驱动脉冲由高变低，但Q2不导通，Q1导通，所以，B点电位为0-Vbe，被降低Vbe。
172楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
&你说的&当Vb为低电平。。。。。。。&这个&继续导通一会儿&是指 两红虚线间的时间么？
174楼smarttiger| 本网技工 (104) | 发消息
179楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
兄台，不知道能不能 帮我仿仿 85楼的图。
&如果没有电流源的话，就用DC串连一个电阻代替也可。谢谢。
183楼gaohq| 高级工程师 (2709) | 发消息
电路及参数这样子如何？
185楼gaohq| 高级工程师 (2709) | 发消息
也不知你要看哪几点的波形。先上这几个。（今天下午有事出去了，晚上才回）
187楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
谢谢兄台。关注的是V3电位。
这个仿真结果也说明了楼主的电路：在Vg=0是，Lm的确能将Q1打通。
240楼xy_k8299| 工程师 (613) | 发消息
有图有真相，仿真结果差不多
269楼xueluowu| 工程师 (860) | 发消息
& 这个软件真的是太好了，对电脑的要求高不？楼主用的是WIN7系统，几核呢？
270楼wsh5106| 工程师 (1500) | 发消息
这个软件是saber，对电脑要求说高不高，说低不低。
要运行快，就配置高的。
我这里有05 06时候配的电脑，运行saber2007 &也顺畅 没问题。
169楼smarttiger| 本网技工 (104) | 发消息
听了很多大侠的意见，小弟来说说自己的想法，呵呵，想法不太成熟，希望大家批评指正。
电路稳定工作时，电容电压变化较小，近似认为是不变的。当加正脉冲时，Q1并不是马上导通（后面解释），所以，我以Q1导通为讨论起点。Q1导通后B点电位5-Vbe，电流流向ABCDE。当脉冲由&1&变&0&时，由于电感的存在，电流仍保持原来的流向，Q1并不会马上关断，Q1基极电位为0，B点电位为0-Vbe，C点电位也由原来的电位下降Vbe，电容电压保持不变，电流流向仍为ABCDE，其值逐渐减小至零，Q2开通，Q2基极电位为0，B点电位变为0+Vbe，C点电位也由原来的电位抬升Vbe，电容电压保持不变，电流流向为BEDC，当脉冲由&0&变&1&时，同样由于电感的存在，电流仍保持原来流向，Q2不会马上关断，Q2基极电位为5，B点电位变为5+Vbe，C点电位由原来的电位抬升Vbe，电容电压保持不变，电流逐渐减小到0后，Q1导通，B点电位变为5-Vbe，C点电位由原来的电位下降Vbe，电容电压保持不变，电流流向变为ABCDE，至此开始下一个周期。
回复本贴由 smarttiger 在
15:43:39 编辑
173楼轻飘飘| 工程师 (1416) | 发消息
如果按你说的导通，你第一句说的&Q1不是马上导通&很难理解，再往下看，&驱动电平为低时，Q1仍然导通&也很难理解，因为Q2集电极是接地，这个&地&是相对电源永远不变的0V，而驱动电平是指对电源的高低电平，所以，驱动电压为低电平的那一刻，Q2已经导通（无论Q2的发射极电压如何，它都是导通的），这时的情况是：两只管同时导通，电源直接短路。
另外，如果认为电平为低的瞬间，B点的电压会被电感拉到比地更低的电压，也是不对的，因为这时Q2已经导通，并且电容上已经有了一个电源电压，事实上，只能是B点为0V，而C点变得比0V更低的负电平。
所以，因为Q2集电极接电源地的因素，只要输入电平为低，Q2就一定马上导通了。
后面的情况依此类推。
175楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
帮助解释下，这两个台阶（粗红色圆圈内）。
177楼smarttiger| 本网技工 (104) | 发消息
我的愚见：第一个圆圈的台阶是由于脉冲高电平时，Q2没有关断，继续导通，所以B点电位在高电平的基础上抬高Vbe，当电流减小到零后，Q1导通，B点电位在高电平的基础上下降Vbe，所以会出现一个台阶，第二个圆圈的台阶波形成原因类似。
178楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
坦白的讲：你169楼对B点电位变化的解释很在理。。。（C点的跳变好象数值上不对，你在算算。反正两者就相差Vc电压）
虽然这推翻了我自己以前的发言。
有图就有真相，讨论出真知呀。
回复本贴由 blueskyy 在
16:46:34 编辑
238楼轻飘飘| 工程师 (1416) | 发消息
这个台阶是由于电感的自感引起的，当Q2截止后，Q1导通，这时电感的电流通过Q1向电容两端充电，但电流与当初的Q1导通是不一样的，所以这时会有一个台阶产生，如果这时Q1是继续导通状态，那么这里的电平是不会变化的。
这个仿真恰好的说明了，这时的Q1立即截止，而Q2立即导通。
239楼轻飘飘| 工程师 (1416) | 发消息
不好意思，Q1与Q2在上面的讲解时由于没看图，现在这样说：
这个台阶是由于电感的自感引起的，当Q1截止后，Q2导通，这时电感的电流通过Q2向电容两端充电，但电流与当初的Q1导通是不一样的，所以这时会有一个台阶产生，如果这时Q1是继续导通状态，那么这里的电平是不会变化的。
这个仿真恰好的说明了，这时的Q1立即截止，而Q2立即导通。
说明一点，Q1为上面的管，Q2为下面的管。
由电感存在的电路，不能象分析普通纯电阻电路那样分析，只要磁能存在，它的电流与电压都不会突变的。
180楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
1、先按照zkybuaa的观点，前面的很多分析确实都没有考虑副边的负载，也就是Qgs的存在，因此利用电感代替变压器的方式来仿真是不正确的，应该加变压器，同时在副边加MOS管或等效电容，仿真出来的才是真正的波形。有真正波形再讨论。（变压器电感选1:1，mH级电感值）
&再来看这个图，这个图是利用电感代替的变压器，仿真结果跟驱动电阻的真实波形是不一样的，但我们也可以分析一个圈中的两点的波形：在驱动信号出现高电平之前，Q2是导通的，电感电流时b-e-d-c，那么驱动信号变高后，由于电流不能反向流过Q1（让我还是这样说，不信可以看流过Q1的波形）电感会感应电压，方向为C正D负，这个电压会升高到什么程度呢？加上电容C1上的电压，B点电压会升高到Q2的基级电压高一个PN结压降，也就是Q2会继续导通，但是出于线性状态，因此B点电压会是一个比基极电压高一点的值且随着电流减小逐渐降低（既然是线性状态，压降就与电流有关）。当电流降低到零后Q2导通的条件不存在，Q1自然导通，这个时候B点电压就稳定不变了。同样的分析，在驱动信号变低时，B点电压会降低到低于0V的一个PN结压降，直到电感电流再次到零Q2开通，Q2开通后B点电压变成Q2的CE压降。
181楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
呵呵~王工你此贴分析，同样没有考虑负载效应阿~
对于这个驱动电路来说，变压器次级是个容性负载，你80楼的分析，无视这个负载，肯定是有问题的~
182楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
晕俺承认错误的时候你们从来不看，还得让俺说两遍
1、第一条里说了，前面的分析没有考虑副边负载的问题，也就是承认前面的分析是有问题的，等有了考虑负载效应的仿真图，再根据仿真图来分析电路的具体工作。
2、第二条也说了，这个恢复是针对仿真图做出的解释，也就是给大家说明标出来的那两个圈中的波形是怎么出现的。而不是对我驱动电路工作原理的分析。
哎，大哥，拜托看帖子仔细点好不？
186楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
我是看到你前面对80楼的分析，那么信心满满，这么轻易就承认有错误，有点不太相信阿~
次级容性负载，在驱动为低电平的时候，会形成一个大的电流反灌，并在变压器初级形成一个电流反射，方向是从下到上~
而变压器初级电流，包括两个成分：1、磁化点电流 2、次级反射电流~
而次级反射电流，会&淹没&掉磁化电流，使变压器初级总的电流，从下到上~
分析到这里，你还确信驱动电平由高到低的时刻，Q1依然导通吗？
188楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
考虑到次级的电容负载，在驱动为低电平的时候，确实会有个电流反灌，会增加关断时间，这也是这类驱动都增加了加速关断电路的原因。
但反灌过后Q1还是会导通，原因和80楼一样
189楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
张兄早期说的Lm能量能从次级泻放。仔细想想不无道理。
你这里次级不接容性负载，就单纯的电阻负载同理：初级线圈也有反射电流。
这样来理解吧：将Lm单独画出来，从理想变压器初级线圈向次级看过去，
就是一个按照匝比折算的等效负载 ：R = n^2* Rload .
初级变成了Lm和R = n^2* Rload 并联了。
现在：有四种路径让Lm电流通过 （在Vg=0时）。
1）从电源回路 -Q1-B：（nansir和王斑竹）
2）Q2的 C-E ，（Q2的反置用法）
&3）从次级泻放 （反射电流的&淹没&）
4）Q2处并联二极管。
Lm电流更愿意走哪条路呢？
或者部分Lm电流走哪条路，部分Lm电流走另外一条路。
回复本贴由 blueskyy 在
08:43:36 编辑
190楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
Lm能量能泻放通路从理论将能和Lm形成闭合回路的都可以，但分析时为简化起见我们选择了最主要的。
兄弟分析的电阻的情况和本电路不太一样，就本电路来讲，驱动电平转为低电平的起始一段时间里次级的电容负载是阻碍Lm能量泻放的，就是表现为反灌电流的形式（具体多大没定量分析，还得等仿真或实验数据才能定），当MOS电容能贡献的电流小于激磁电流后，激磁电感开始反激。
191楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
对于电阻负载的情况，我先有分析过，请参看一个帖子。
/bbs/bbshome/topic.php?action=show_topic_tree&topic_id=24656
电阻负载仍然和电容负载的效果一样：阻碍Lm能量泻放，帖子里电阻的电压是：下正上负的。
按照同名端：初级也是下正上负的，这是阻碍Lm能量泻放的电压。
如有错误，请帮助指正。
回复本贴由 blueskyy 在
09:13:09 编辑
193楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
80楼的不当之处就在于忽略了这个反灌电流~
这个反灌电流的大小，跟要求的栅极驱动脉冲下降快慢有关，跟栅极驱动电阻的大小有关~
正常来说，这个反灌电流，都会大于励磁电流~
所以在驱动由高电平转为低电平的时刻，导通的是Q2，而不是Q1~
我做过仿真，用pspice做的，可以清晰的看到这一点~
楼上的仿真，没有考虑到次级负载效应，所以是不恰当的仿真~
回复本贴由 zkybuaa 在
10:23:36 编辑
195楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
正常来说，这个反灌电流，都会大于励磁电流~
所以在驱动由高电平转为低电平的时刻，导通的是Q1，而不是Q2~
这里的Q1,Q2 是不是说反了？ 驱动由高电平转为低电平的时刻，反灌电流是由下到上的，
故，Q2导通。
（1楼的电路图：Q1在上面，Q2在下面。）
回复本贴由 blueskyy 在
10:15:41 编辑
201楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
&反灌电流：蓝线
&励磁电流 ：红线
如果反灌电流大于励磁电流 ，多于的电流（反灌电流减去励磁电流）将从C--B通过电容，此时应该开通Q1还是Q2
？ 应该是Q2吧。请张兄再帮看看。
回复本贴由 blueskyy 在
10:40:30 编辑
198楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
大家 不要争吵了，到此为止，每个人根据争吵的理解做结案陈词，详细描述自己的理解，越详细越好，找时间另开个帖子，总结大家的结论。然后进行第二轮辩论。无关回复一律删除。
回复本贴由 YTDFWANGWEI 在
10:20:10 编辑
199楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
这个不是争吵吧，更不是辩论，应该是讨论才对，呵呵~
我觉得越来越接近真相了~
王工把你80楼的结论，考虑进去负载效应，修改一下，再做一次总结看看~
200楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
我也觉得离真相越来越近了，已经是快要明朗化的阶段了。。。。
比起NC956的&吸收一&，这个帖子还是短的。呵呵
202楼YTDFWANGWEI| 专家 (36272) | 发消息
二位参与的最多，来个结案陈词啊，发表自己的看法，回复帖子要这样来
1、要有理解的过程
2、反驳对方的观点要指出对方观点的错误，不能只是说不对，要有理由
3、要有结束，也就是自己的观点。
现在，就缺你们的观点了，把自己的理解写出来，我周末如果有时间做个整理。
204楼zkybuaa| 工程师 (1132) | 发消息
你在80楼的内容，再加上你认为的我在前面扯淡的内容，基本就可以做个结案陈词了~
184楼nansir| 工程师 (1870) | 发消息
此贴太火爆了，看来YTDFWANGWEI版主得整理再开个新帖啦
203楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
1、MOS管结电容对开关的影响，可以等效到T1原边，类似于一个RC吸收电路，（阻值和容值都差不多）。
2、Q1导通，T1励磁，励磁电流由C到D，G点电压下跳始，Q1从饱和状态退出，会导致进入T1电流下降，因T1励磁电流不能突变，T1把C点电压拉到D点之下，进而把B点电压也拉到D点电压之下，这时，如Q2有外并肖特基，B点电压被肖特基钳位在正向压降上，如没有，则B点电压继续下降，使Vgb=Q1导通的基极电压，以维持Q1继续导通（放大区），此时Q1的Vce=Vcc+Vgb，T1的反向励磁电压为Vc1既Vcb，当T1的励磁电流回到0时，Vcb=0，Vb电压回到0，Q1截止，而后，Vb继续上升，Q2饱和导通，T1开始有反向励磁电流。
205楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
呵呵，有道理。
在2中，你的1。如何的表现？
211楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
Q1关断时，等效的电容上电压约为Vcc
213楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
&呵呵，你的2 解释的已经很清楚
请说说你的1，励磁电流如何分配在你那个折算后RC里。
215楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
驱动刚下降时，等效的C中是有电的，C的电会继续对T1励磁，直到C的电放完
220楼blueskyy| 总工程师 (12566) | 发消息
我觉得是，驱动刚下降时，Lm继续对等效的C放电。直到Lm放电完毕，开始反向励磁，
此时Lm解除对等效的C的&相互作用&，
&作用权&交给B，C 点处的初级电容C1，同时Lm也成为C1的作用对象--开始反向励磁
222楼呆头鹅| 工程师 (717) | 发消息
等效电容在转换时和Q1导通时加在T1上的电压大小相等，方向一样，产生的励磁电流也一样
我来说说王工的216楼的毛病~
副边是个无源的器件，电压降低到零后，那么就不会自己产生电流~
我们现在讨论的是：驱动电平由高转为低的时候，栅极驱动脉冲是不是也要由高为低？这时候的栅极电荷，是不是要释放掉？释放通路是什么？是不是在变压器次级从上到下？变压器次级从上到下的电流，反射到原边的电流，是从上到下，还是从下到上？
很显然，是从下到上，这个电流和磁化电流方向是相反的，会淹没掉 磁化电流~
能够自己产生电流的，是电源，无论是无源器件还是有源器件，都不会自己产生电流；
如果你觉得反射电流不存在，或者反射电流的方向，是从上到下的，这个确实不好讨论了，这个涉及到基础理论了~
实际上已经很接近真相了，我试着抛个雏形等大家评判：
先假定初始状态，驱动信号高电平，Q1饱和导通，源边电流有A-B-C-D-E,副边MOS管完全导通。
1、在t0驱动信号变成低，Q1延迟关断期间内，B点电位下降，源边电流方向不变但变小，同时副边MOS管电容开始放电；
2、在t1时，Q1彻底关断，在副边MOS输入电容电压的作用下源边电流开始反向流动Q2导通，此模态至MOS输入电容放电电流小于激磁电流时截止；
这个是对学问的探讨，很多学问在实际中用不上，但还是要有人研究。
对于某个问题，如果有疑问就该弄懂，不是吗？
如果说价值，地球的存在就没有价值，毁灭得了，宇宙安静了。
本人只知道学以致用，没有啥实际用途的不是在害人吗？
其实这里有些是可以用的，关键是用的条件，我已经说了，需要采取其它措施，至于什么措施，在驱动外，不在其内，因而无需探讨。
为这个电路，我还丢掉了工作，你说跟头栽得大不大?？收获就是发明了&磁芯驱动器&专利，解决了此问题。同时也发明了现今仅次于concept最新二代驱动产品，高速驱动大功率IGBT的驱动器，至少国内是没见超过我的。
话虽刻薄，得罪之处，请多海涵。
在QQ是我先向王斑竹提出疑问的，争论不休，彼此谁也说不服谁。驱动电流
他的意思大概是这个电路无法带比较大的负载吧。
就像前面讨论的，当输出低电平的时候，继续由Q1驱动期间，Q1两端有较高电压（VCC+Vbe），功耗比较大。同理，当输出高电平的第一阶段，Q2也有较大大功耗。
实际上，有续流二极管的电路，工作波形和这儿的电路很相似（实际上几乎一样），但因为续流二极管两端的电压只有一个结压降，功耗会小得多。
&&& &驱动电流}