桥式整流电路原理上标有TRANS是什么意思

SEMIKRON桥式整流器模块SKB 30&
品 牌:齐全
价 格:面议 /
供 应 地:上海上海市
包装说明:齐全
产品规格:齐全
运输说明:齐全
交货说明:齐全
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SEMIKRON桥式整流器模块SKB 30
SEMIKRON&&IGBT模块
&SEMIKRON是全球电力电子领先制造商之一SEMIKRON的电力电子产品对于节能而言是关键技术:它们用于开环和闭环控制,能够高效地转换电能,不仅用在风能、太阳能和电动车这样的未来市场而且也用在传动技术和电源领域。
SEMIKRON拥有宏大的全球定位,生产厂位于德国、巴西、中国、法国、印度、意大利、韩国、斯洛伐克、南非和美国,下属30个公司遍布在全球各大洲。
SEMIKRON产品描述:
SEMIKRON&&IGBT模块,
SEMIKRON在SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP中提供的IGBT模块(绝缘栅双极型晶体管),在拓扑结构、额定电流和电压方面均不同。电压范围从6A到900A,电压等级从600V到1700V。IGBT模块可用于各种领域,并采用了关键技术,例如烧结,弹簧连接技术,并且安装简单快速。 不同的拓扑结构,例如CIB(变流器逆变器制动)、半桥、H桥、三相全桥和三电平拓扑,可用于几乎所有应用领域。最新的IGBT芯片和二极管技术具有优化的开关性能:Tj 最大= 175°C。
型号:SK 9 BGD 065 ET、SK 10 BGD 065 ET、SK 9 DGD 065 ET、SKiiP 01NEC066V3、SK 10 DGDL 065 ET、SKiiP 11NAB065V1、SKiiP 12NAB065V1、SKiiP 02NEC066V3、SKiiP 12NAB066V1、SK 13 GD 063、SK 15 GH 063、SKiiP 13NAB066V1、SKiiP 13NAB065V1、SKiiP 03NEC066V3、SKiiP 14NAB065V1、SK 20 DGD 065 ET、SKiiP 14NAB066V1、SK 20 MLI 066、SK 20 GD 066 ET、SK 20 DGDL 066 ET
SEMIKRON&&MOSFET模块&- 超一流的开关性能
SEMIKRON的MOSFET模块(金属氧化物半导体场效应晶体管),用于SEMITRANS和SEMITOP中的单开关、半桥、H桥和三相全桥配置。 电压范围55V-600V,额定电流40A-290A的MOSFET模块专门设计用于高速低损耗开关。
型号:SK 80 MBBB 055\SK 300 MB 075\SK 85 MH 10 T\SKM 111 AR\SKM 111 RZR\SK 260 MB 10\SKM 180 A020\SK 60 MH 60
SEMIKRON晶闸管模块,
具有成熟的封装技术
SEMIKRON的晶闸管模块提供不同的封装,例如SEMIPACK,SEMiSTART,SEMIPONT和SEMITOP。不同的连接技术--焊接、键合或压接模块--均可使用。晶闸管模块有多种单管和双管,可用于几乎所有相位控制,或整流器应用。所有晶闸管模块都配备了赛米控的芯片。 该产品线的电压范围可达2200V。得益于广泛的产品范围,每个应用的最优解决方案都可实现。
型号:SKKT 15\SKKH 15\SKKD 15\SKKE 15\SKKT 20\SKKT 20B\SKKT 27\SKKT 27B\SK 30 DTA\SKKH 27\SK 25 WT\SK 25 KQ\SK 25 UT\SKKD 26\SK 35 BZ\SKKH 42\SKKT 42\SKKT 42B\SKKD 46\SK 45 WT
SEMIKRON桥式整流器模块
实现了可靠的逆变器设计
桥式整流器中的整流桥是指所有分支的整流电路的元器件都被集成在一个紧凑的
壳体中。在不同的封装类型中,它的使用范围从几个安培到数百安培不等。&
SEMIKRON提供有单相或三相拓扑结构的桥式整流器模块,带有或不带制动斩波器。桥式整流器具有不同的封装:SEMiX,SEMITOP,SEMIPONT和MiniSKiiP。
型号:SKB 25\DBI 15\SKB 26\SKD 25\DBI 25\SKB 30\SKD 30\SKD 31\SKBZ 28\SKCH 28\SKDT 60\SKCH 40\SKB 60\SKD 60\SKD 100\SKD 51\SKB 52\SKD 53\SKD 62
SEMIKRON&&IPM逆变器
SEMIKRON提供高度集成的IPM
赛米控的IPM有两大系列。功率小于15kW的逆变器,采用集成SOIC栅极驱动的MiniSKiiP仅需一个安装螺丝。SKiiP IPM代表了6MW用于可再生能源的逆变器的标准。
型号:SKiiP 603 GD123-3DUW V3\\SKiiP 613 GD123-3DUW V3\\SKiiP 613 GD123-3DUL V3\\SKiiP 1213 GB123-2DW V3\\SKiiP 1213 GB123-2DL V3\\SKiiP 1813 GB123-3DW V3\\SKiiP 1813 GB123-3DL V3\\SKiiP 1814 GB12E4-3DUW\\SKiiP 1813 GB123-3DUL V3\\SKiiP 1814 GB12E4-3DUL\\SKiiP 2413 GB123-4DW V3\\SKiiP 2414 GB12E4-4DUW\\SKiiP 2413 GB123-4DL V3\\SKiiP 2414 GB12E4-4DUL\\SKiiP 3614 GB12E4-6DUW\\SKiiP 3614 GB12E4-6DUL\SKiiP 513 GD172-3DUL V3\SKiiP 603 GD172-3DUW V3\SKiiP 603 GD172-3DUL V3
SEMIKRON&&IGBT驱动系列
SEMIKRON有两种驱动系列——SKHI和SKYPER驱动。SKYPER 12压合型,SKYPER 32,SKYPER 42 LJ和SKYPER 52,带有单通道输出功率1W-10W,整体功率范围为30kW到2MW的逆变器。赛米控新型的高度集成的ASIC芯片组,在整个寿命周期内提供安全的IGBT门级控制。通过分离故障通道,短路能够得到快速解决。软关断 (SoftOff) 和过电压反馈可避免过电压危险发生。混合信号ASIC保证了在整个温度范围内都有最低的误差。MLI或并联IGBT拓扑结构通过可调误差处理进行管理。凭借优化的界面和可调滤波器设置,SKYPER系列在噪声环境中也可安全运行。赛米控的大多数模块都配备了适配器板。
型号:SKHIT 01 R\\SKHI 71 R\\SKHI 61 R\\SKHI 10/12 R\\SKHI 23/12 R\\SKHI 21A R\\SKHI 22 A/B R\\Board 2 // 4S SKYPER 42 R\\SKHI 22 A/B H4 R\\SKHI 10/17 R\\SKHI 23/17 R\\KYPER 32 PRO R\\Board 4S SKYPER 32 R Gold\\Board 1 SKYPER 32 R\\Board 1 SKYPER 32PRO R\\SKHI 24 R\SKYPER 32 R\\Board 2S SKYPER 32 PRO R Gold\\Board 2S SKYPER 32 R Gold\\Board 3S SKYPER 32 PRO R Gold
SEMIKRON堆栈
高度集成的电力电子装配
切合客户具体需要的,完全优质的逆变器装配
除了标准配置的半导体部件,SEMIKRON还开发了客户专用系统和解决方案。这样,客户就能获得满足具体需要的部件。不论是SEMISTACK,还是整个系统,我们都能开发出适用于客户和客户系统要求的专属产品
型号:IGDD6-1-326-D-DL-FA\\IGDD6-1-426-D-DL-FA\\IGD-1-424-P1N4-DL-FA\\IGDD6-2-326-D-DH-FA\\IGDD6-2-426-D-DH-FA\\IGD-2-424-P1N6-DH-FA\\IGDD6-4-326-D-BL-FA\\IGDD6-4-426-D-BL-FA\\IGD-4-424-P1F7-BL-FA\IGD-8-326-E1F12-BH-FA\IGD-8-424-P1F9-BH-FA\IGD-8-426-E1F12-BH-FA\\SKS 67N W3C 60 V16 SU\\SKS 67N W3C 60 V16\\SKS 88N B6C 60 V16\\SKS 88N B6C 60 V16 SU\\SKS 88N B6HK 60 V16\\SKS 88N B6HK 60 V16 SU\\SKS 91N B6U 60 V16\\SKS 91N B6U 60 V16 SU
SEMIKRON逆变器
用于电动车辆的最紧凑的电力电子系统
SEMIKRON的逆变器系统完整配备了电流传感器、IGBT驱动、直流母线电容和一个快速处理器(DSP)。系统设计供电电压24V-800V,额定输出功率为250kVA。
型号:SKAI 70 A2 MM15-L、SKAI 70 A2 MM15-P、SKAI 50 A2 MD20-W、SKAI 90 A2 GD06-WCI、SKAI 90 A2 GD06-WDI、SKAI 45 A2 GD12-WCI、、SKAI 45 A2 GD12-WDI
SEMIKRON二极管和晶闸管芯片
二极管和晶闸管裸芯片产品
CAL(轴向寿命控制)续流二极管的电压等级有600V/650V,1200V和1700V,额定电流可达200A。根据不同的目标应用的频率,可实现不同的自定义设计的开关特性。整流二极管和晶闸管设计电流等级为1600V,额定电压高达770A,相当于大小在500mm2以上的芯片。晶闸管栅极(中央和边角栅极)的不同配置,为客户端实现了不同目标设计的最优化的绑定线的布局。赛米控的模块和系统中应用着各类芯片,历史证明其具有卓越的性能和可靠性。可与各种连接和组装技术兼容。赛米控的应用团队具有丰富的应用知识,客户能够从中获益匪浅。
型号:SKCD 06 C 060 I3、SKCD 06 C 060 I HD、SKCD 09 C 060 I3、SKCD 09 C 060 I HD、SKCD 18 C 060 I3、SKCD 16 C 060 I HD、SKCD 31 C 060 I3、SKCD 24 C 060 I HD、SKCD 47 C 060 I3、SKCD 42 C 060 I HD、SKCD 61 C 060 I3、SKCD 61 C 060 I HD、SKCD 81 C 060 I3、SKCD 81 C 060 I HD、SKCD 121 C 060 I3、SKCD 24 C 065 I4F、SKCD 42 C 065 I4F、SKCD 61 C 065 I4F、SKCD 81 C 065 I4F
SEMIKRON分立元件
SEMIKRON的分立元件提供了各类模块封装技术。 EPOS和GP技术(引线和SMD)的标准整流,电子雪崩和高压整流,快速和超快芯片,齐纳二极管(引线和SMD),TVS二极管,整流桥单相(引线和SMD)和三相(桥式和单列直插式封装)。
型号:SKN 5、SKR 2F17、SKN 2F17、SKR 2F50、SKN 2F50、SKN 2,5、SKN 20、SKR 20、SKN 26、SKR 26、SKR 45、SKN 45、SKR 71、SKN 71、SKN 70、SKR 70、SKT 130、SKT 160、SKT 250
SEMIKRON散热器
优化的散热器,用于不同的逆变器设计
SEMIKRON提供各类散热器,包括强制风冷和自然对流以及水冷散热器。散热器可用于管壳型分离器件,带铜底板模块和IPM模块。
型号:P 11、P 17、U 3、R 4A、P 16、P 1、P 3
SEMIKRON风机
优化的风机,用于不同的逆变器设计。
SEMIKRON赛米控为不同的逆变器设计提供各类轴流式、离心式和径流式风机。
型号:SKF SR-024-01、SKF 3-230-01、SKF 8-230-01、SKF 9-230-01、SKF RE-024-01、SKF 17A-230-11、SKF 17B-230-11、SKF 16A-230-01、SKF 16A-230-11、SKF 16B-230-01、SKF 16J-230-01、SKF 16O-230-02
SEMIKRON其他部分产品型号:
SKM200GAL123D 制动单元
SKR141F15 续流二极管
SKB50/16A3
C912.GB120-031/01 911DE14182/04 AV-300(315) &IGBT功率元件
SKKT 106/16E 106A/1600V
SKKD 100/16 100A/1600V
SKKT57/16E
SKKT330/12E
SK11P942GB120-317CTVF集成模组
SKB25/16电源模组
可控硅模组
SKKT-92/12E/92A/12可控硅模组
SKKD-100/16极管模组
可控硅模组
SKKT-57/12E/57A/12可控硅模组
SKIIP942GB120-317CTV-FIGBT集成模组
解藕桥整流器
SKD 62/16解藕桥整流器
桥整流单元
SKD 62/18GP桥整流单元
SKVC20A251可变模组
SKKH 162/16E整流桥
SKKH 250/16E整流桥
SKKH 92/16E整流模组
SKF16A-230-01
<span style="font-family:宋体;font-size:10.GB120-4DLNO:
<span style="font-family:宋体;font-size:10.0过压器
<span style="font-family:宋体;font-size:10.CF/1100VDC电容
<span style="font-family:宋体;font-size:10.URD31TTF700烙断器
B6U500-670-795WCTSU电源设备
SK3-1000-1GBT-W
并行电路板
SKHBP4-F并行电路板
二极管模板
SKKD260/16二极管模板
WP16散热片
<span style="font-family:宋体;font-size:10.GB170-4DW电源模组
SKKT106/18E晶闸管
SKD62/16整流桥
SKM180A020POWER
SKT600/12E0510UR可控硅
SKT600/12E0508UR可控硅
SKKH 92/16E SPKIT I/Q接口板
三项整流单元
SKD31/085KW三项整流单元
B4-QB4-Q2200UF,100V NO:3-360 320
SKNA4/17 +MOUNTING SOCKET
二极管模组
二极管模组
SKB 50/16 ON HEAT SINK PL/120
起励二极管
SKKD 162/22
SKF17B-230-11 SN125-040 ID100498
SK-NO:/SKIIP-32NAB12T1可控硅
SKKD 46/12E整流模组
POWER MOSFET MODULES
P/N: SKM 121 ARPOWER MOSFET MODULES
SKB 25/12,1200VAC,25A直流电源
SKKT330/16E
可控硅SKKT41/18E 9510
SKN650F16二极管
SKR141F15二极管
BC70-F12附件
SKT55-08C 9302P
SKKT &57/16E
温度传感器
<span style="font-family:宋体;font-size:10..0温度传感器
MA0511 L20A逆变器检测板
可控硅 SKIW 250/12 06170P
MOD26-16 模组
MTD-100A/1600V 模组
SKM400GB125D
SKVA20B275 副枪变阻器
SKKT106/16E 晶闸管
SKKT-132/16E 晶闸管
桥式整流块
SKBB 250 C
SKB50/02A3010704P
SKKH162/18E
SKM145 GAL 174 DN
续流二极管
SKKD 26/16
整流模组风机
GD 133-2A-V 135W1300U/MIN 0.6A
RT 380 MUB2CAC400V/DC5-10V
SKIW250/16,A备注:IRKT 250/16GEBI01
SKC3M3-35B-1电容
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该供应商的其他产品
你可能感兴趣三相全控桥式整流电路实验装置的研制;白雪峰,李沛;(北京机械工业学院北京100085);摘要:介绍了开发三相全控桥式整流电路实验装置的背;关键词:电力电子技术;TC787;触发电路;实验;中图分类号:TN702文献标识码:B文章编号:1;DevelopmentofaThreephase;CircuitExperimentalEquip;BAIXuefeng,
三相全控桥式整流电路实验装置的研制
白雪峰,李 沛
(北京机械工业学院 北京 100085)
摘 要:介绍了开发三相全控桥式整流电路实验装置的背景;叙述了TC787芯片的内部结构、工作原理、特点及芯片的各个管脚的功能;详细介绍了该实验装置的触发电路的设计思路、设计结果和工作原理;介绍了该实验装置的主电路部分的结构和特点。该实验装置性能可靠,符合本科生实验要求。
关键词:电力电子技术;TC787;触发电路;实验装置
中图分类号:TN702
文献标识码:B
文章编号:06)1508302
DevelopmentofaThreephaseFullcontrolledBridgeRectification
CircuitExperimentalEquipment
BAIXuefeng,LIPei
(BeijingInstituteofMachinery,Beijing,100085,China)
Abstract:Thebackgroundofexperimentequipmentbasedonthreephasefullcontrolledbridgerectificationcircuitisin-troducedinthepaper.Theinnerstructure,basicprincipleandfeatureofTC787areexplained,includingthefunctionofeachpin.Thedesignideaandresultsabouttriggercircuitaregiven.Andthestructureofmaincircuitispresented.Atlast,therelia-bilityoftheequipmentisproved,whichshowsitcanmeettheneedsoftheexperimentforundergraduatestudents.
Keywords:powereTC787;experimentalequipment
TC787是采用独有的先进IC工艺技术,并参照最新集成移相触发集成电路而设计的单片集成电路。他可单电源工作,亦可双电源工作,主要适用于三相晶闸管移相触发和三相功率晶体管脉宽调制电路,以构成多种交流调速和变流装置。他们是目前国内市场上广泛流行的TCA785及KJ(或KC)系列移相触发集成电路的换代产品,与TCA785及KJ(或KC)系列集成电路相比,具有功耗小、功能强、输入阻抗高、抗干扰性能好、移相范围宽、外接元件少等优点,而且装调简便、使用可靠,只需一个这样的集成电路,就可完成3只TCA785与1只KJ041、1只KJ042或5只KJ(3只KJ004,1只KJ041,1只KJ042)(或KC)系列器件组合才能具有的三相移相功能。因此,TC787可广泛应用于三相半控、三相全控、三相过零等电力电子、机电一体化产品的移相触发系统,从而取代TCA785,KJ004,KJ009,KJ041,KJ042等同类电路,为提高整机寿命、缩小体积、降低成本提供了一种新的、更加有效的途径。为了让学生了解新技术,我们在设计三相全控桥式整流电路实验装置时触发电路采用了TCT787。
收稿日期:2006
2 TC787的基本原理
2.1 TC787内部结构及工作原理
TC787的内部结构及工作原理框图如图1所示。其内部集成有3个过零和极性检测单元、3个锯齿波形成单
元、3个比较器、1个脉冲发生器、1个抗干扰锁定电路、1个脉冲形成电路、1
个脉冲分配及驱动电路。
图1 TC787内部结构图
他们的工作原理可简述为:经滤波后的三相同步电压通过过零和极性检测单元检测出零点和极性后,作为内部3个恒流源的控制信号。3个恒流源输出的恒值电流给
测控技术白雪峰等:三相全控桥式整流电路实验装置的研制
大驱动级的损耗。CX参考值为3300pF~011LF。调节RP可以使输入4脚的电压在0~12V之间连续变化,从而使输出脉冲在0~180b之间变化。7~12脚的输出端有大于25mA的输出能力。采用6只驱动管扩展电流,经脉冲变压器隔离后将脉冲接到晶闸管的控制极(g)和阴极(k)之间,
以触发晶闸管。
3个等值电容Ca,Cb,Cc恒流充电,形成良好的等斜率锯齿波。锯齿波形成单元输出的锯齿波与移相控制电压Vr比较后取得交相点,该交相点经集成电路内部的抗干扰锁定电路锁定,保证交相惟一而稳定,使交相点以后的锯齿波或移相电压的波动不影响输出。该交相信号与脉冲发生器输出的脉冲信号经脉冲形成电路处理后变为与三相输入同步信号相位对应且与移相电压大小适应的脉冲信号送到脉冲分配及驱动电路。假设系统未发生过电流、过电压或其他非正常情况,则引脚5禁止端的信号无效,此时脉冲分配电路根据用户在引脚6设定的状态完成双脉冲(引脚6为高电平)或单脉冲(引脚6为低电平)的分配功能,并经输出驱动电路功率放大后输出,一旦系统发生过电流、过电压或其他非正常情况,则引脚5禁止信号有效,脉冲分配和驱动电路内部的逻辑电路动作,封锁脉冲输出,确保集成电路的6个引脚12,11,10,9,8,7输出全为低电平。
2.2 TC787的管脚的功能
TC787的管脚的功能见表1。
表1 TC787的管脚的功能
管脚号18、2、112、11、10
9、8、716、14、15
同步电压输入端,分别接经输入滤波后的同步电压。脉冲输出端,单脉冲模式分别对应A、-C、B、-A、C、
-B。双窄脉冲模式分别对应A,-C、-C,B、B,-A、-A,C、C,-B、-B,A。对应三相同步电压的锯齿波电容Ca、Cb、Cc连接端CX电容连接端,其电容量决定着输出脉冲宽度,电容量越大,输出脉冲越宽。
工作方式设置端,该端接高电平,输出为双脉冲列,接低电平时,输出单脉冲列。
输出脉冲禁止端,用来进行故障状态下封锁TC787的输出。高电平禁止脉冲输出,低电平正常工作。
移相控制电压输入端,其电压最大为工作电源电压UDD。单电源工作时引脚3(VSS)接地,而引脚17(VDD)允许施加的电压为8~18V。双电源工作时,引脚3(VSS)接负电源,其允许施加的电压幅值为-4~-9V,引脚17(VDD)接正电源,允许施加的电压为+4~+9V。
图2 TC787构成的集成触发电路
4 主电路的设计
主电路的原理图如图3所示。为了将触发电路和主电路分开,主电路与电源之间通过接触器KM相连接。这样在实验过程中研究和调试触发电路时,主电路可以不接通。在触发电路研究和调试完成后,再接通主电路,方便实验的同时还可以培养学生分块调试的习惯。主电路变压器采用v/Y11,容量为1kVA,变比2B1。为了方便做单相桥式整流、三相半波整流等晶闸管等实验,晶闸管分共阴极一组,共阳极一组。电阻负载采用灯泡,很直观。
电阻电感负载采用灯泡与电抗器串联。
3 触发电路的设计
由TC787构成的三相六脉冲触发电路如图2所示。380V三相交流电经过同步变压器变压为30V的同步信号a1,b1,c1后,经过电位器RP1,RP2,RP3及RCT型网络滤波接入到TC787的同步电压输入端。通过调节RP1,RP2,RP3可微调各相电压的相位,以保证同步信号与主电路的匹配。Ca,Cb,Cc为积分电容,TC787芯片的锯齿波的线性、幅度由Ca,Cb,Cc电容决定。因此,为了保证锯齿波有良好的线性及三相锯齿波斜率的一致性,选择Ca,Cb,Cc时要求其3个电容值的相对误差要非常小,以产生的锯齿波线性好、幅度大且不平顶为宜。Ca,Cb,Cc电容量的参考值为0115LF。连接在13脚的电容CX决定输出脉冲的宽度,CX越大,脉冲越宽。可得到0b~80b范围的方波,不过脉冲太宽会增
图3 主电路的原理图
(下转第91页)
从图4的怀表图片分割结果来看,基于IS散度的阈值化分割准则(19)、(20)和(21)获得的分割结果中目标较清楚,而Otsu
法含背景噪声太多。
由于图像直方图分布具有多样性,Otsu阈值法仅适合图像目标和背景分布呈正态分布且各象素量和方差基本相当的情况,本文提出基于Itakura
Saito散度的新阈
值分割方法,他可以弥补Otsu阈值法的不足。在实际分割中,可将这两种方法同时使用,从中选择视觉效果相对较好的。
参 考 文 献
[1]OtsuN.AThresholdSelectionMethodfromGray
):6266.[2]
kuriaT,OtsuN,AbdelmalekN.MaximumLikelihoodThresholdingBasedonPopulationMixtureModels[J].Pat-ternRecognition,):.
[3]KittlerJ,IllingworthJ.MinimumErrorThresholdings[J].
PatternRecognition,):4147.[4]BrinkAD.Grey
[5]刘健庄.基于二维直方图的图像模糊聚类分割方法[J].电
子学报,):4046.
[6]范九伦.模糊聚类新算法与聚类有效性问题研究[D].西安:
西安电子科技大学,1998.
[7]ScottAJ,SymonsMJ.ClusteringMethodsBasedonLikel-i
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[9]宋锦萍,职占江.图像分割方法研究[J].现代电子技术,
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levelThresholdingofImageUsingaCor-relationCriterion[J].PatternRecognitionLetters,1989,9:
Histogram[J].IEEETrans.onSystems,ManCybernetics,
图4 怀表图片及不同方法分割结果
从图5的电线桩图片分割结果来看,基于IS散度的阈值化分割准则(19)、(20)和(21)获得的分割结果中目标较完全,而Otsu
法无法全部检测出目标。
图5 电线桩图片及不同方法分割结果
作者简介 赵 勇 男,1979年出生,陕西西安人,助教。
吴成茂 男,1968年出生,四川仪陇人,高级工程师。
(上接第84页)
本实验装置自2003年秋季在北京机械工业学院工业自动化系电力电子变流技术实验室供本科生实验以来,至今运行良好,很好地满足了教学需要。
参 考 文 献
[1]王兆安.电力电子技术[M].4版.北京:机械工业出版
[2]吴坚,张茂青,胡庆何,等.基于专用芯片TC787的三相六脉
作者简介 白雪峰 男,1971年出生,实验师,学士学位。
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包含各类专业文献、外语学习资料、中学教育、行业资料、应用写作文书、生活休闲娱乐、31三相全控桥式整流电路实验装置的研制_图文等内容。 
 华北电力大学 电力电子 实验报告 实验名称三相全控桥式整流 工作原理: 在三相桥式全控整流电路中, 对共阴极组和共阳极组是同时进行控制的, 控制角都是α 。 ...  太原理工大学现代科技学院课程名称: 电力电子技术 实验项目: 三相桥式全控整流电路 实验地点: 电力电子实验室 专业班级: 电气 12-8 班 学 号:
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沪江词库精选rectifier circuit是什么意思、中英文句子翻译、英语短语。
中文释义: 整流电路
rectifier units with a capacity of 20 to 25 amperes for each charging circuit are acceptable
每条充电线路可容纳容量为20―25安培的整流装置。
生态气候适应
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