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关于MOSFET的驱动电路
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xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 17:55:27 对于大功率的MOS管，驱动电路一般为：推挽放大（图腾柱结构）+变压器隔离；另一种是光耦隔离+专门的驱动芯片，
我想问的是，有变压器隔离+专门的驱动芯片这种结合方式吗？一直没看到过，有的话能否放张原理图上来给我参考参考~
|hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 18:18:37&还有一种用法，就是直接光耦隔离驱动，用的是=高速光耦。很少用变压器加驱动芯片的。变压器的占空比不好调整
||开开鼠离线LV8副总工程师积分：2286|主题：28|帖子：749积分:2286LV8副总工程师 08:11:46&驱动芯片加变压器怎么会不好调整占空比呢。
反激自然用不到这玩意了，但是双管正激，半桥，全桥以及LLC，移相全桥基本上功率大的用的都是驱动芯片加变压器的哦。而不会选择光耦这些东西的，因为变压器可靠性高啊，当然工艺需要做好。
||hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 08:38:12&变压器一般都是用于50%或者固定占空比的电路，如果你的占空比在不断的变化的话，变压器驱动很难做的。
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 12:26:57&我电路都是0-100%占空比变化，都是采用的变压器隔离。
||hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 13:12:50&上个驱动电路看看哈。
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 16:26:19&你搜一下真武阁，记得他发过一个帖子。他那样的我用过，不过大功率的不一样。但都是变压器隔离驱动。
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 23:05:04&搜了一下，指的的是下面的这个电路吗?这个电路貌似有个问题，就是在PWM关闭的时候，驱动有一段时间的高电平，容易造成误通
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YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 08:41:21&为什么会有高电平？
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 08:43:50&在驱动关断后，这个电容的电需要一定的时间才能释放，而且只能通过GS之间的电阻释放。
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YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 08:45:18&这个电容上的电，是不释放的，始终保持一个电平。这也即是有人提到这个电路存在动态的问题。
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 09:09:36&就是因为电容一直有电，所以担心在PWM关断的时候，VGS还是高电平啊。
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 09:45:44&原边的电容呢？两个电容电压是什么关系？
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 10:09:48&原边的电容在驱动关闭的时候会被迅速的放完电啊，副边的没有快速放电路径。 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 12:20:06&也是，10多年前用过这个驱动，具体的工作忘了。大功率的用的不是这个，等我给你找目前用的电路。
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 12:21:16&
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 13:36:36&是这个电路吗？感觉MOSFET的画法是不是错了？驱动从哪里来的啊？
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YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 16:00:43&下管开通，变压器传递信号及能量啊，其余的我也没看懂，但一直在用。。
||hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 16:36:53&下管开通的话，电流不是往下走了？
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YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 15:40:10&是啊，通过变压器绕组及MOS管向下走。
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 16:48:26&我的意思是说这个驱动和功率MOSFET是怎么形成回路的，看了半天没看太明白啊。
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 17:05:06&右边是驱动，左边接功率MOS管啊，贴出来的都是驱动部分，没有功率部分。
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 17:31:59&，以前看反了，一直以为功率MOSFET接在右边呢，居然是左边。
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 17:42:21&L7是T5的一个绕组？有没有P-MOS的型号啊，我打一个电路试试看效果。
本帖最后由 hlp330 于
18:24 编辑
||xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 18:39:57&再加问一个问题~~一般这种驱动电路从哪部分开始是放在主电路板上的啊？例如光耦隔离+驱动芯片的形式，是否驱动芯片要放在控制板上？然后芯片出来接的栅极电阻等放在主板上？
||hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 19:38:42&我一般设计是驱动芯片靠近管子，光耦的信号电路，就放在控制板上面了。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 20:34:41&也就是说光耦在控制板上 但是驱动芯片在主板上吗？
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 21:34:03&是的，不过这个驱动布线没有什么特别的可以不可以的问题，你都放在主板上，也不一定有问题，看实际的需要了。
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 11:23:08&看你自己设计了，你看到的部分我都是放在驱动板上，然后插在主板上。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 20:11:10&请问利用这种驱动电路 可以产生多大的驱动电流啊？
另外该图中怎么有2个输出端（R23,R25处）啊？这两个应该接在一起吗？
||hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 21:33:46&这个电路应该是驱动两个管子用的，所以分开了两路，你如果只有一个管子，用一路好了。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 21:43:57&那这个驱动电流应该怎么看呢？能提供多大的？
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 21:53:40&这个你需要自己选择电阻，变压器就可以计算出来啊。
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 08:31:07&驱动电流估计几A是有的吧，有两个输出是因为用于驱动全桥硬开关斜对角的两个管子。 ||
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 10:54:51&哦哦，也就是说可以同时驱动两个管子的~我的设计也要同时驱动两个，但是电流要达6A，我想试试这个电路来着，不知可不可行呢
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 11:22:30&因为是驱动大功率，两个管子我一般用530跟9530配对，L7是一个绕组。
||hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 11:31:05&好的，我先仿真试试看哈。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 11:51:17&请问你做过这个正激驱动电路的仿真了吗？我用saber仿了一下，感觉还不太理想，能不能帮我看一下呢~具体的在64楼，就在这个下面，麻烦你了~~
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 08:43:37&看了下你的仿真参数，占空比设置的为60%，但是复位绕组设计的为1：1，这样肯定是有问题的。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 09:58:12&非常感谢~~~那我修改一下参数试试
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 10:20:04&我把匝数修改成N1:N2:N3=20:1:20，这样占空比D可以小于0.95，但是仿出来的波形感觉还不是很理想，您看一下呢
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hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 11:21:54&我的匝比为1:2，试了下波形，看起来还可以啊，只是还是没有负压的。
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xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 11:32:40&能否把你的saber文件传给我啊~我比较一下参数设置
另外我们分析一下原理吧，我觉得好像就是没有负压啊，脉冲为低电平时，PMOS导通，这样原边电压就钳在0V，相应的副边也是0V才对啊，为什么会有负压呢？
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 11:41:27&不是有一个二极管隔着吗？PMOS导通在正常工作的时候也没有什么作用的。
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 11:58:40&这个应该是仿真的变压器的问题，不能够选择理想的变压器，可以换普通的试试。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 14:02:08&换成非线性的变压器，总是出故障，仿真不出来。。。
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 15:08:48&不是用非线性变压器，就用这种就可以啊。如下图所示的：
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xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 15:44:33&当时查的说非线性变压器更贴合实际变压器，所以试了这个，不过线性变压器也试过的，仿真时不收敛。。。不知道该怎么办了
我在网上查到了这个电路的一个专利文档，你可以看一下~这里解释了为什么会有负压，可是仿真出来不一样，可能真是变压器的问题诶，但是不知道怎么设置变压器
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hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 16:02:16&还真是一个专利电路啊。我看了下你的，几个MOSFET的模型我的库里没有。只要变压器的设置没问题，肯定是可以仿真出来的。
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 16:02:49&看一下你的最新的仿真电路，我试试看怎么样啊？
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 16:07:05&好的 多谢啊 仿真文件附件转给你了~
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hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 17:08:39&稍微修改了一下仿真参数，是可以出来的啊，你再看看文件。
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xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 17:36:19&好像可以了 之前应该是没有设置电阻 导致不收敛了 我再仔细分析一下啊~~多谢多谢！
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 11:58:12&还是有点问题，我测了变压器副边双向稳压管的电压，发现反向电压没稳住，然后测了经过稳压管的电流，发现负压时稳压管走过的电流很大，难道是稳压管二次击穿短路了吗？
附图为稳压管上的电流和两端电压
对了，我把你之前修改后的仿真文件中的开关管换成了530和9530，应该不是这个问题，仿真可以仿出来
本帖最后由 xcyseh 于
11:59 编辑
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xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 16:30:52&我发现把变压器参数设为1:1:1时，双向稳压管都能很好稳压，但是把参数改成1:2:1（因为想让占空比达到60%）时，负压就不能稳住了，是我的变压器参数设置问题吗？附图为变压器修改后的参数
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hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 16:37:38&这个驱动电路，占空比不怎超过50%的，超过了，就无法复位了。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 16:41:00&正激电路的占空比D&N1/(N1+N3)，这里N3指的是磁复位绕组，就是我仿真文件里的n2，我把比例调整2:1的话，D不是可以&2/3了吗？
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 17:01:34倒数10&变比应该改成2:1:2才可以。复位绕组为1.
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 17:06:09倒数9&我saber仿真里是这么改的，然后电感值设置为4:1:4，应该没问题啊，可是稳压管那边怎么会稳不住了呢？你可以看我刚刚传的参数设置
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 17:07:27倒数8&不好意思，之前那个回复写成了1:2:1，但我实际设置时是2:1:2
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 17:09:25倒数7&是这样的，负压会是正压的一倍了。那个稳压管可以不要的。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 17:14:57倒数6&的确负压会增大，可是不能去稳压管吧，因为MOS管驱动电压要求是正负20V，负压也要限定的，如果负压超过15V，那个稳压管应该起作用才对，但是仿真时为什么没用呢？
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 17:17:09倒数5&稳压管钳位不住的，损耗太大，实际中还是合理的控制驱动电压，尽量电压不要超吧。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 17:25:41倒数4&那这样说的话，为了不让驱动电压达到-20V，绕组的匝比基本上只能1:1:1，也就是说占空比不能超过50%了吗？
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 17:26:52倒数3&你可以设计3:2:3等。驱动电压可以选择10V. 本帖最后由 hlp330 于
17:27 编辑
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 17:29:14倒数2&驱动电压改为10V倒是可以，那这样的话占空比最大是60%，如果我的占空比范围是0.6~0.8，是不是这个电路还是不好用啊。。。
本帖最后由 xcyseh 于
17:31 编辑
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主最新回复 18:07:39倒数1&设置合适的变比,加点负压钳位电路就可以了。
本帖最后由 hlp330 于
18:09 编辑
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 11:48:46&我用saber仿真了这个驱动电路，但是得到的驱动波形感觉不是很好啊，能否帮我看一下呢？是选取问题吗？（因为电阻电容等我都是按以前的设计定的）
另外还有2个问题：
1.这个正激驱动电路变压器副边的稳压管为什么直接并在副边电感上，而不是靠近GS两端？
2.这个正激驱动电路和图腾柱式推挽放大驱动电路相比，有什么优缺点呢？我之前用的是推挽放大电路，不过是小功率，那我如果把开关管换成能走大电流的mos管，也就是你说的530和9530，这样的话，和这个正激驱动相比，有什么不好的地方吗？
附图为saber仿真的正激驱动电路得到的驱动电压和驱动电流波形，感觉驱动电压关断有点慢，另外驱动电流我理论计算能打3A的，但是仿真出来2A都不到，是什么原因呢？（saber仿真文件也附上了，希望您有空的时候也帮我看一下参数选取方面是否有问题~~）
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YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91469|主题：134|帖子：41738积分:91469版主 08:27:53&1、你的参数应该是存在问题的，副边应该是有正有负的波形才对，
2、这个是隔离的，推挽不隔离。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 09:56:55&我一般是变压器隔离+推挽啊，以前用的是附图
另外您给的那种驱动电路能具体帮我看一下参数吗？我大致是按照变压器隔离+推挽驱动的那个电路里的参数设置的，不知道哪错了。。。希望您有空的时候帮我看一下，非常感谢~~~~
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xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 10:20:43&另外副边应该有正有负，具体负压会达多大呢？
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 10:50:21&这是我修改了绕组参数后得到的驱动电压波形，是有负压了，但是负压会有波动，而且不是很大，请问你设计出来是这样吗?
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xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 16:52:09&请问您给给的这个电路 驱动占空比只能&50%吗？我可以通过调整变压器原边绕组和磁复位绕组的关系，来增大D吗？
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 18:54:58&请问你用这个电路图的话 具体器件型号参数是怎样的啊？能否给个具体一点的原理图啊~方便仿真，看看原理 ||
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 17:35:09&同求原理图啊~~你是驱动芯片+变压器隔离吗？还是推挽放大+变压器？ ||
sunpower006在线LV6高级工程师积分：1271|主题：11|帖子：176积分:1271LV6高级工程师 22:32:13&这样驱动变压器不会发生饱和吗，即使使用隔直电容，后面出来的电压幅值也会发生变化，难道又做了处理，将幅值还原了？
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 16:55:55&您给出的这个正激式驱动电路可以0-100%变化吗？如果3个绕组匝比为1:1:1的话，占空比最大只能到50%，那可以通过调整变压器原边绕组和磁复位绕组的关系，来增大D吗？ ||
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 08:39:55&双管正激的用变压器的话，一般都是带PFC的吧，占空比基本不变，不带PFC的话，变压器很难搞的。
开开鼠离线LV8副总工程师积分：2286|主题：28|帖子：749积分:2286LV8副总工程师 14:57:30&我们的双管正激都是没有PFC的哦，全部是变压器驱动，占空比变化有什么关系呢 ||
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 18:26:58&那请问你们用变压器驱动的话，还加了专门的驱动芯片吗？还是直接图腾柱放大的？ ||
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 18:33:11&求个驱动电路看看哈，想看看变压器驱动复位是如何做的？？
木木很-shy离线LV6高级工程师积分：1178|主题：1|帖子：103积分:1178LV6高级工程师 13:42:02&请问版主，什么是高速光耦驱动呢？什么样的光耦算高速光耦呢？望您回复～谢谢您
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 14:01:47&高速光耦主要是在上升和下降时间的差异上面，一般以10Mbit/s的光耦来看，其延迟时间只有几十个ns.
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||木木很-shy离线LV6高级工程师积分：1178|主题：1|帖子：103积分:1178LV6高级工程师 14:30:25&谢谢版主您的回复，您说的延迟时间是不是若光耦输入方波信号，输出方波信号对输入信号的延迟时间呢？
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 14:58:07&有2个延迟时间，一个就是你说的输入对输出的了，还有一个延迟时间就是上升和下降的时间了。
木木很-shy离线LV6高级工程师积分：1178|主题：1|帖子：103积分:1178LV6高级工程师 15:15:19&那请教版主，利用光耦作为MOS管的驱动是不是要特别注意这两个延迟时间呢，在不考虑价格的前提下，是不是要尽量选择延迟时间小的光耦作为驱动？ ||
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 15:20:06&就是这样的啊。 ||
木木很-shy离线LV6高级工程师积分：1178|主题：1|帖子：103积分:1178LV6高级工程师 16:02:03&谢谢版主您的热情解答，小弟学知识了。还有一个问题：就是平常在使用光耦作为驱动时（小弟在学习过程中，只用过TLP250），工作频率是不是要严格限制啊，比方说要20K以下吗？有时候使用光耦作驱动，工作频率在40~60K，感觉波形也没什么畸变。。。
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 16:46:26&这个要看你的具体的设计了，对于这些延迟时间是否有严格要求，正常工作可能关系不大，但是一些异常情况，例如短路，自然时间越短越安全了。
木木很-shy离线LV6高级工程师积分：1178|主题：1|帖子：103积分:1178LV6高级工程师 16:53:27&谢谢版主您的回复，跟您交流受益匪浅，谢谢您。。。
||xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 17:36:56&直接告诉光耦隔离驱动的话，就是不加专门驱动芯片的情况，会不会驱动电流不够啊？
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 17:42:37&有专门的功率级的驱动光耦，就是成本贵一点，你可以考虑下哈。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 17:48:26&我能否选择一个功率等级较小的光耦+功率较大的驱动芯片呢？这样成本是否会降一点？
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 18:03:45&可以啊，成本问题，需要看你选择什么样子的芯片，具体价格需要咨询供应商了。
||xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 17:46:53&还有这个速度10Mbit/s，我本来想选的这款芯片怎么没有这个数据啊？我选的是HCPL-J454，Datasheet已经附在下面了，麻烦版主帮我看一下~另外想请教一下选光耦芯片主要需注意哪些参数啊？具体怎么选型有要求吗？
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hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 18:11:55&这个参数不写也没什么关系，可以根据延迟时间推算出来的。我们主要关心的就是各个延迟时间。
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xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 18:19:20&哦哦 好的~多谢版主！那如果光耦隔离+驱动芯片配合的话，我选的这个光耦感觉略贵，其他常见的光耦似乎便宜一些，但是我不确定是否可用，这个光耦的选取有要求吗？ ||
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 18:20:52&主要看延迟时间是否满足你的要求了？
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 18:25:33&嗯嗯 好的~多谢版主~ ||
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 18:32:58&请问你这款告诉光耦具体是什么型号的啊？我想搜一个datasheet看一下~ ||
hlp330离线LV7版主积分：21662|主题：88|帖子：8160积分:21662版主 23:29:02&就是ELM6XX系列，网上很多资料的。
ybw123离线LV6高级工程师积分：1053|主题：0|帖子：15积分:1053LV6高级工程师 19:53:06&一个好的的要求是：　　(1)开关管开通瞬时,应能提供足够大的充电电流使栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡;　　(2)开关管导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定使可靠导通;　　(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断;　　(4)关断期间驱动电路最好能提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通;　　(5)另外要求驱动电路结构简单可靠,损耗小,最好有隔离。
zhc7401离线LV6高级工程师积分：1047|主题：0|帖子：19积分:1047LV6高级工程师 23:31:27&新型涉及一种大功率MOS管驱动电路，PWM控制芯片的信号输出端接脉冲变压器初级，脉冲变压器次级的第一输出端接第一MOS管的栅极，脉冲变压器次级的第二输出端接第二MOS管的栅极.
yixiao2100离线LV3助理工程师积分：210|主题：3|帖子：11积分:210LV3助理工程师 12:56:44&1、控制与功率部分共地的，用驱动IC比较好，小功率电机驱动用IR21xx系列，没有出过问题。
2、控制与功率部分不共地的，3kW以下的DC-DC电源用过变压器隔离驱动，主要是解决好变压器饱和和恢复问题，具体表现在频率与初级电感量的关系。
3、控制与功率部分不共地的，3-20kVA的逆变器用的最多的是HCPL系列驱动光耦，外加隔离电源就行了，注意做好管子的限流和短路保护。
以上都是比较经济的方法，如果感觉变压器隔离比较安全，又能可靠供货的话，可以参考英飞凌的驱动芯片，内部自带变压器隔离，例如<font color="#0I2-F，当然这个也得外加隔离电源
本帖最后由 yixiao2100 于
12:58 编辑
xcyseh离线LV6高级工程师积分：704|主题：23|帖子：150积分:704LV6高级工程师 15:33:01&很全面~多谢！
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