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一个电路教会你设计NPN三极管放大电路
　　现在踏足到消费类电子，为了保持超高的性价比，在日常设计中经常用分离元器件。比如声音功放，需要一个电压和电流放大，两个几个电阻电容完成。但是后端还需要DSP的处理了。别的不说，现在就分析下设计的前前后后。本文引用地址：
　　我们常见的交流信号放大电路如图所示：
　　首先要计算出静态工作点：
　　对于交流信号，我们进行如下分析：假如输入电压引变化 ，则射极电流变化 ，由于 ，那么集电极上变化的电压为
　　由于C2为&隔直通交&的作用，在基极引入的直流电压被过滤掉，通过整理可以得到电路的放大倍数为
　　从上式中可以看出，R4与电路的放大倍数成反比，也就是我们常说的负反馈，因此该电路就是经典的共射负反馈电路，R4为发射极反馈电阻。由于负反馈的引入，该电路在R4电阻的作用下可以有效的抑制晶体管hef的分散性和由温度引起的Vbe变化而产生的发射极电流的变化，即常说的负反馈增加了系统的稳定性。
　　在实际的电路设计中，利用以上的计算公式和选取三极管的数据手册，可以实现简单的，满足功能需求的三极管放大电流。如下图为2SC2412的数据手册，在该手册中可以看出三极管的耐压最大值和电流最大值，这在电路设计中很重要。比如Vbeo为7v，如果在设计中没有注意到这个限制，采用了高于7v的输入电压，那么就会烧毁三极管。还有另外一个需要注意的就是Ic的大小， 2SC2412的Ic最大为150mA，在设计中如果没有注意到这个参数，使Ic过大，也会引起烧毁三极管的结果。
　　上图描述的是2SC2412的频率特性：频率特性与发射极之间的电流关系。其中纵坐标ft为晶体管的特征频率，是交流电流放大系数为1时的频率。从图中可以看出早80-450Mhz之间，发射极电流Ie有很大的变化。为获得好的频率曲线，在20mA&40mA该款晶体三极管的频率特性最好。因此，找一款适合设计的晶体管，特征频率表也是硬件工程师的一项工作。
　　在实际电路的设计中，通常会遇到削顶或削底的现象： Vc的数学表达式为
　　从数学角度看，Vc变化可以从0&Vcc，当R3的阻值过大时，去极限0，那么在Vc的电压表现中表现为电压曲线为一条直线0，这就是削底失真。相反，如果R3过小，会发生削顶失真。为了简化设计中碰到的这些问题，在设计电路中通常将Vc的电位设置在0&Vcc之间，这样，在一定程度上减小了失真现象的产生。
　　另外一个需要注意的事项是基极偏置电阻的确定。在确定基极偏置电阻时候，需要明确两个事情：a、晶体三极管的基极电流是集电极电流的1/hef，b、基极偏置电阻组成的回路中流过的电流要比晶体三极管基极电流大10倍以上，才能忽略基极电流，通常为了方便，取一个合适、便于计算的数值。
　　关于耦合电容的选取也要有严谨的态度。从事实角度看，需要从三极管的等效模型来进行分析：C1与输入电阻组成一个高通的滤波电路，输出电阻和C2也构成同样性质的电流。因此，在确定C1的大小时，需要根据
　　进行计算。对于Rin来说，是R1、R2和R4等效后电阻的并联值。对于确认C2时，需要考虑负载的特性，因为不同的负载特性会影响滤波器的截止频率。
　　至此，三极管设计的基本关键点已经完成，在实际设计中，在这些基础之上，能完成性能更加完善的电路。
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模拟电路第二章习题
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2-3 电路图2-36所示，已知晶体管的=60， ， =0
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官方公共微信第五课习题
第五课习题
5.1 电路如下图所示，已知晶体管b＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。
&&& （1）正常情况&&&&&& （2）Rb1短路& &&&&
（3）Rb1开路
&&& （4）Rb2开路&&&&&&&
（5）RC短路
解：设UBE＝0.7V。则
（1）基极静态电流
（2）由于UBE＝0V，T截止，UC＝12V。
（3）临界饱和基极电流
实际基极电流
由于IB＞IBS，故T饱和，UC＝UCES＝0.5V。
（4）T截止，UC＝12V。
（5）由于集电极直接接直流电源，UC＝VCC＝12V
5.2 电路如图所示，晶体管的b＝80，=100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、、Ri 和Ro。
解 在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为
&&&&&&&&&&&&&&
空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为
&&&&&&&&&&&&&&
RL＝5kΩ时，静态管压降、电压放大倍数分别为
&&&&&&&&&&&&&
&&&&&&&&&&&&&&&&
5.3 已知图所示电路中晶体管的b ＝100，rbe=1kΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；
&&& （2）若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？
解：（1）求解Rb
&&&&&&&&&&&&&&&&&
（2）求解RL：
&&&&&&&&&&&&
5.4 在下图所示电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。试问：当负载电阻RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？
解：由于ICQ＝2mA，所以UCEQ＝VCC－ICQRc＝6V。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故
&&&&&&&&&&&
时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故
&&&&&&&&&&
5.5 电路如图所示，晶体管的b＝100，=100Ω。
（1）求电路的Q点、、Ri和Ro；
&（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
解：（1）静态分析：
&& &&&&&&&&&&&&
动态分析：
&&&&&&&&&&&
（2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92。
5.6 电路如图所示，晶体管的b＝80，rbe=1kΩ。
（1）求出Q点；
&&& （2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的和Ri；
（3）求出Ro。
解：（1）求解Q点：
&&&&&&&&&&&&&&&
（2）求解输入电阻和电压放大倍数：
RL＝3kΩ时
（3）求解输出电阻：
5.7 电路如图所示，晶体管的b＝60，=100Ω。
（1）求解Q点、、Ri和Ro；
&&& （2）设＝10mV（有效值），问＝？＝？若C3开路，则＝？＝？
解：（1）Q点：
&&&&&&&&&&&&
、Ri和Ro的分析：
&&&&&&&&&&&&&
（2）设＝10mV（有效值），则
&&&&&&&&&&
若C3开路，则}