夜晶显示屏里面的晶体没横梁外力裂纹情况下会裂不

外伤导致眼球破裂,没有晶体,失明,注入人工晶体,还能恢复一点视力吗
(window.slotbydup=window.slotbydup || []).push({
id: '2904472',
container: s,
size: '320,160',
display: 'inlay-fix'
(window.slotbydup=window.slotbydup || []).push({
id: '643393',
container: s,
size: '990,90',
display: 'inlay-fix'
(window.slotbydup=window.slotbydup || []).push({
id: '1123876',
container: s,
size: '990,110',
display: 'inlay-fix'
名医在线回答
每周三下午,邀请广州市三甲医院副主任级别以上医师,在线一小时免费解答网友疑问
千万个答案
已解答网友超过1千万个问题,并有多个医生对同个问题进行不同解答,提供多个解决方案  在当前大屏幕有源矩阵式中,首选的是a&Si(不搀杂或轻搀杂的非晶硅)半导体场效应三端口器件,如下图(a)所示。a&Si场效应是利用表面效应的绝缘栅做成场效应晶体管,它通常由不搀杂或均匀轻搀杂的高阻半导体a&Si与同一侧表面相接触的绝缘层组成。有D、S、G三个电极。因为不搀杂a&Si薄膜本身的很高,是不导电的。当栅极上加正,吸引电子在界面处堆积,形成N型沟道,源漏间导通;如果栅极上加负电压,电子被推走,空穴(带正电)在界面上堆积,形成P沟道,源漏之间也导通。不过方向相反,ITO电极板上的充电符号相反。换句话说:显示屏中每一个的TFT都相当于一个电子开关,栅极不加电压时,a&si沟道很大,源、漏极之间相当于开路;栅极加电压时,a&si沟道导通,a-si沟道电阻很小,源、漏极之间相当于接通,其电流的通断比高约7个数量级。接通时,漏极(信号)电压对像素极板(ITO)充电,不同像素的信号电压不同,像素极板上充电电压不同,液晶分子扭曲型排列的&破坏&程度不同,透光度不同,实现了对单色像素的亮度,以及彩色的调制;关断(开路)时,已充电的像素极板上电荷不会消失,每个像素的辉度能保持(储存)相对长的时间,直至第二次接通电刷新。
本网站试开通微、小企业商家广告业务;维修点推荐项目。收费实惠有效果!欢迎在QQ或邮箱联系!
试试再找找您想看的资料
资料搜索:
查看相关资料 & & &
   同意评论声明
   发表
尊重网上道德,遵守中华人民共和国的各项有关法律法规
承担一切因您的行为而直接或间接导致的民事或刑事法律责任
本站管理人员有权保留或删除其管辖留言中的任意内容
本站有权在网站内转载或引用您的评论
参与本评论即表明您已经阅读并接受上述条款
copyright & &广电电器(中国梧州) -all right reserved& 若您有什么意见或建议请mail: & &
地址: 电话:(86)774-2826670&后使用快捷导航没有帐号?
只需一步,快速开始
扫一扫,访问微社区
查看: 989|回复: 12
结晶母液中含有太多的结晶固体
收到鲜花 朵
阅读权限55
主题好友积分
签到天数: 643 天连续签到: 1 天[LV.6]海川常住居民III&
海川社区常住居民 在海川签到500天 可领本徽章
TA在日09时36分获得了这枚徽章。 []
注册海川吧,与320万海川交流分享
才可以下载或查看,没有帐号?
结晶母液中含有太多的结晶固体,在过滤的时候会在母液中洗出来,这是什么原因呢?是不是结晶的颗粒太小,在过滤的时候都漏下去了呢?还有,我在实验室做结晶的时候只是通过控制搅拌的速度和降温的速度,那么在工业中是如何控制结晶颗粒的大小呢?欢迎专家前来指点,小弟第一次做结晶方面的实验!
收到鲜花 朵
阅读权限90
主题好友积分
签到天数: 2134 天连续签到: 16 天[LV.9]以坛为家III&
申领前提条件为5威望,对海川热心参与的会员
TA在日12时16分获得了这枚徽章。 []
热心参与帮助他人,---- 应助(最佳答案-5次)数在50次以上的可自动领取本徽章
TA在日09时48分获得了这枚徽章。 []
海川社区常住居民 在海川签到500天 可领本徽章
TA在日07时53分获得了这枚徽章。 []
在线时间达到2400小时,可以直接领取本徽章。
TA在日17时43分获得了这枚徽章。 []
发帖数超过2099个即可自领本徽章
TA在日17时42分获得了这枚徽章。 []
过滤实际上是“滤饼过滤”,在过滤的初期没有滤饼,所以母液会夹带晶粒
当形成滤饼后会改善过滤效果的;
楼主应该是降温结晶吧,控制晶粒的手段应该和实验是一样的:搅拌速度和降温速度
还有就是注意搅拌桨的选型:有侧重轴向流的,有侧重径向流的,剪切力会有些差别
无论选盘管降温还是夹套降温都会有结晶粘接的问题,影响传热效果
恭喜你抢到了沙发~~
收到鲜花 朵
阅读权限55
主题好友积分
签到天数: 643 天连续签到: 1 天[LV.6]海川常住居民III&
海川社区常住居民 在海川签到500天 可领本徽章
TA在日09时36分获得了这枚徽章。 []
EdwardLau 发表于
过滤实际上是“滤饼过滤”,在过滤的初期没有滤饼,所以母液会夹带晶粒
当形成滤饼后会改善过滤效果的; ...
嗯,我的是降温结晶,谢谢啊,你的建议非常有帮助
收到鲜花 朵
阅读权限30
主题好友积分
签到天数: 277 天连续签到: 1 天[LV.5]海川常住居民II&
加晶种诱导结晶,控制过饱和度.
收到鲜花 朵
阅读权限10
主题好友积分
签到天数: 10 天连续签到: 1 天&
这种现象应该是溶液过饱和,没来得及析出就过滤了,经过过滤操作后,产生大量的晶种,然后又有能量,所以又在滤液中析出了。如果你们搅拌降温析晶后,静止放置一段时间,这个过程有利于晶体的生长,你可以观察,如果析出的晶体太小,也是由于析晶的时间不够造成的。结晶过程中,小试和生产还是有区别的。
正解!当然也会在过滤初期漏过去一部分小晶粒,这些晶粒会在过饱和度的推动下不断长大,甚至可能诱导成核&
收到鲜花 朵
阅读权限55
主题好友积分
签到天数: 643 天连续签到: 1 天[LV.6]海川常住居民III&
海川社区常住居民 在海川签到500天 可领本徽章
TA在日09时36分获得了这枚徽章。 []
免费化工服务 发表于
这种现象应该是溶液过饱和,没来得及析出就过滤了,经过过滤操作后,产生大量的晶种,然后又有能量,所以又 ...
嗯,还有一种情况就是过滤的初期滤饼还没有完全形成,导致固体跟着一起下去了
收到鲜花 朵
阅读权限55
主题好友积分
签到天数: 172 天连续签到: 1 天[LV.4]海川常住居民I&
搞成循环过滤呗,工业化过滤大部份都是循环过滤,直到产生足够的过滤压差
收到鲜花 朵
阅读权限30
主题好友积分
签到天数: 277 天连续签到: 1 天[LV.5]海川常住居民II&
免费化工服务 发表于
这种现象应该是溶液过饱和,没来得及析出就过滤了,经过过滤操作后,产生大量的晶种,然后又有能量,所以又 ...
正解!当然也会在过滤初期漏过去一部分小晶粒,这些晶粒会在过饱和度的推动下不断长大,甚至可能诱导成核
收到鲜花 朵
阅读权限50
主题好友积分
签到天数: 90 天连续签到: 1 天[LV.4]海川常住居民I&
这个问题有点意思,我想结晶过细的原因可能是晶种太多形成的吧?也有可能是结晶之间相互碰撞造成细晶过多?
个人以为首先要搞清楚你的结晶是一个什么结晶的过程:蒸发浓缩结晶?冷析结晶?反应结晶?——不同的结晶过程其结晶动力可能有所差别,会对你的控制指标的选择有一定的差异。如温度、浓度、反应速度的控制。
总体来讲,结晶过细是在结晶过程中晶核形成个数太多造成的。晶核的形成与过饱和度的大小有一定的关系,过饱和度越大,可能形成的晶种数量就越多,这样对结晶不利。因此,在做结晶的过程中要尽力控制过饱和度快速增长,也与搅拌有关系,主要是对形成的晶体破损生成二次晶核。
所以在制造结晶的过程中要让溶液的过饱和度不要太大。让晶体有长大的时间。而我们的反应时间也不可能无限的长(也可以理解为降温过程、蒸发强度——这个要看你的结晶是如何形成的了),这就要具体问题具体分析了。
我的理解,大工业过程结晶反而比试验室好做一些。不一定对,只是个人理解,因为试验室和小试装置实在没有什么经验可谈。
收到鲜花 朵
阅读权限55
主题好友积分
签到天数: 643 天连续签到: 1 天[LV.6]海川常住居民III&
海川社区常住居民 在海川签到500天 可领本徽章
TA在日09时36分获得了这枚徽章。 []
春禅 发表于
这个问题有点意思,我想结晶过细的原因可能是晶种太多形成的吧?也有可能是结晶之间相互碰撞造成细晶过多? ...
嗯,你的建议非常有用,我们做的是降温结晶。
收到鲜花 朵
阅读权限50
主题好友积分
签到天数: 90 天连续签到: 1 天[LV.4]海川常住居民I&
如果是冷析结晶,我想是不是要温度下降的慢一点?不要形成温度的拐点,同时,在下降到恒温后要能保持一定的时间可能对结晶的最终长大也是有好处的。对于最终的恒温,我的观点是有利于过饱和的近一步消除。在结晶的取出过程也尽量保持一个恒定的温度。也许会好一点?
收到鲜花 朵
阅读权限55
主题好友积分
签到天数: 643 天连续签到: 1 天[LV.6]海川常住居民III&
海川社区常住居民 在海川签到500天 可领本徽章
TA在日09时36分获得了这枚徽章。 []
春禅 发表于
如果是冷析结晶,我想是不是要温度下降的慢一点?不要形成温度的拐点,同时,在下降到恒温后要能保持一定的 ...
嗯,我摸索了很长时间,之前也考虑了类似的问题,结果做出来的晶体颗粒是要比之前的好一些。
收到鲜花 朵
阅读权限70
主题好友积分
签到天数: 69 天连续签到: 1 天[LV.3]海川居民&
2014年起赞助过海川 赞助额一次性在1000以上的可以申请
TA在日16时24分获得了这枚徽章。 []
如何将晶体的颗度控制在一定的标准,除了研磨是否能在结晶时进行控制,要求200目左右
海川化工论坛网化工技术交流第一社区,共同学习 共同提高!
广告投放/网站事务
QQ: 活动专用QQ:
违规贴举报删除请联系邮箱:
丰行天下-海川化工论坛 版权所有--- Powered by小木虫 --- 500万硕博科研人员喜爱的学术科研平台
&&查看话题
【求助】如何得到晶体场劈裂能
请教大家一个问题,有没有办法实现人为指定高自旋态或低自旋态呢?是不是采取fix-magntism方法做到?
d电子在晶体场分裂为t2g,eg,我想得到晶体场分裂能以及有几种方法判断是高(低)自旋态是基态?
最好以vasp, abinit 或pwscf其中之一示例如何操作。
探讨一下,我个人认为
1)指定自旋态后,比较能量,从而判断高/低自旋态。
比如Fe2+,指定S=2,和S=0后比较能量,定基态。
2)分裂能可以从DOS上看出来。t2g(dxy,xz,yz)和eg(dz2,dx2-y2)之间的能级差。要用LDOS,ie. VASP中用LORBIT tag
研究生必备与500万研究生在线互动!
扫描下载送金币
浏览器进程
打开微信扫一扫
随时随地聊科研}

我要回帖

更多关于 翡翠的晶体纹是裂吗 的文章

更多推荐

版权声明:文章内容来源于网络,版权归原作者所有,如有侵权请点击这里与我们联系,我们将及时删除。

点击添加站长微信