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NESSCAP三表专用低内阻低漏电超级电容法拉电容
型号： 5V-0.47F
品牌： NESSCAP
价格： 面议
最少订量： 面议
中国.广东省.深圳市.深圳市
【&产品描述&】
型号：智能水表、煤气表专供超级电容-cooper pb-5r0v474
型号：pb-5r0v474,耐压：5v，容量：0.47f,自漏电低于5微安。美国cooper公司专门应用于智能水表、煤气表等场合，此电容采用两只单体电容串联而成，特点是低内阻、低漏电，特别适合于与电池配合使用，以此提升电池的大电流放电性能，用于智能水表中，可使水表开关阀动作的可靠性大为提高，也可以作为gsm模块工作时的脉冲电流供应使用。。
三表专用低内阻低漏电超级电容法拉电容。此信息3天内更新过
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太阳能电池片, 积分 572, 距离下一级还需 228 积分
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本帖最后由 snowwillbe 于
15:39 编辑
& &&&今天整了整整一天，直到现在，刚刚发到家园的日志里了，现在贴在这里，和大家讨论下（可惜的是，发现有些链接被消除了）
串联电阻系列之0——关于坛内串联电阻Rs帖子的总结，欢迎大家拍砖。 ... ...&&W$ k&&d' h! `$ Z2 T. Z
4 A/ @- P& q( F
& && &对于电池的生产来说，测试输出功率（效率、FF）是王道，电池片的规格说明也只给出这些信息。在电池分选过程中，如果电池片的效率很低这就要一步步分析其产生的原因，其中对Rs的分析是很重要的。那么串联电阻（Rs）到底是什么？它有什么样的物理含义，仅仅是模型中的一个参数吗？它是像平时接触的电阻一样是一个固定值，抑或是随其他外在因素的变化？它又是怎么来确定的呢，为什么不同的仪器测出来的结果不一样，并且还会出现负值的现象呢，我们怎么评价测试仪器给出的结果呢？如果Rs的值比较大，就要由影响Rs大小的因素入手，分析整个工艺的流程，通过实验，找到具体的问题所在。（对于工艺方面的可能造成的原因，推荐发表的一个帖子（鱼骨法得到的，Rs因果图），详见第31条）! k# D3 A! S$ S8 I5 |* T1 G' C
& && & 首先看看坛中大家的讨论，
坛内搜索“串联电阻”，文章如下：" K' @" K6 b& e8 I& K
( Z+ }$ }! T+ j
坛内搜索“Rs”，文章如下：
（坛内的这个搜索不能把关键词 限制为标题，所以结果很多，不知道版主有没有注意到，并想法解决这个问题）& && &&&我把他们分分类，按帖子的标题归纳如下（空缺的标号为两种情况，1，共享资料的，2，没有实质内容的）。因为太大（不含链接格式近20000字）不好贴出来，我就把他写成了系列（0-8）。这里面有很多贴包含有重复的内容，看的时候结合自己所需看就可以了。一、串联电阻的含义，它对开压Voc，Isc、FF等的影响？..................................... 31.[其他事项] （讨论）Rs、Rsh与其他各参数的关系2.组件Rs升高Rsh下降反而使FF升高功率升高3.[已解决] 串联电阻和短路电流的关系
4.串联电阻和效率在理论上有什么定量的关系？请赐教！5. 组件的串联电阻二、串联电阻的大小与哪些因素有关？.................................................................... 47.串联电阻的物理意义
8. [技术交流] 电池片的细栅线与串联电阻的关系0 b* M, w% S&&]3 ?* K3 Y&&|6 a' v
9.[已解决] 串联电阻跟啥有关？
10.请教：电池厚度和串联电阻&&}7 L3 e. `9 y2 M* x&&L, p
11.谁能说下硅片电阻率对串联电阻的影响啊？（）
12.串联电阻与清洗有什么关系？* Z% D! s: @( h8 D: S
三、串联电阻的大小与哪些因素有关？.................................................................... 822. Impp Rs Rsh23.
想请教一下Rsh怎么样测量？？
24.[咨询求解] 太阳电池的Rs与Rsh是怎么算出来的& @) o: z* }4 S# v7 i0 n3 |$ b
25.[其他内容] 串联电阻的理论计算方法
26.[技术交流] 并联电阻和串联电阻的问题,请教中.（发表于 ）' g&&T3 d9 I" W$ X. x
27.[已解决] 有关串联电阻太高的问题,请不吝赐教!!28.有谁知道如何计算Rsh和Rs？6 o2 n& V3 f: H& [8 H+ V: n. V
29.[技术交流] 关于组件的串联电阻的计算四、由串联电阻分析工艺过程..................................................................................... 1132. 晶硅电池中串联电阻与效率的影响因素33. Rs与FF34. 一篇APL的论文(Rs-image)35.[丝印及烧结] Rs异常36.RS偏大37.[扩散] 做高方阻之后，串联电阻trash片很多，求教中38.[咨询求解] 丝印对串联电阻的影响39.串联电阻过高（2007）40.[咨询求解] 低电阻片
41.何减小串联电阻？6 _! G. M! h9 n1 R8 d0 `6 H8 _
42.[咨询求解] Rs值) _9 ^/ i1 M4 i0 x9 T* {5 e
43.高手指点：如何降低串联电阻？（发表于 ，属于有机的）五、一并搜到的并联电阻部分：............................................................................... 15首先，做一个小小的总结：( ~7 \( C5 L4 b8 a: `
对于Rs的讨论，在2007年坛子刚开的时候比较多，后来少了，应该是发贴前有做了功课的。就当前来说，行业新人的问题主要集中在前面三个方面，不清楚我们为什么定义一个Rs，它的定义又是什么；它由那些组成部分组成，又受哪些因素影响；我们怎么对它进行测试，分选机给我们的信息是否可信，？而对于入行了的人，问题主要集中在“工艺的分析”方面了。& && & 我现在研一，算是入行一年，针对当前大家分选机测试的结果不可比性，两个月前老板让我做一下Rs测试方面研究，然后自己就看了写paper，在坛子里也逛了逛。& &&&&&基础知识：定义、组成与对IV的影响。关于Rs影响哪些因素，现在大家都比较清楚了，比如Isc，I-V曲线的形状（也就是影响FF、功率和效率）。Rs的组成目前也基本有了定论，包括6个部分：体电阻、扩散层电阻、删线电阻、BUS电阻、前接触电阻、背接触电阻；其中扩散层、删线、接触电阻是主要的影响因素。但是，就我个人而言，我对Rs的确切的含义还不是很了解，如果是按等效模型给的Rs和由组成部分分析的Rs一致的话，那么Rs受光强的影响就应该很小（这里只有扩散层收影响），而实际上大家的测试显示，光强越大Rs越小，而且幅度是比较大的（个人愚见，欢迎大家提意见）。另外，Rs也受温度的影响，这个影响比较小，04年有一篇文章说他们是程RS= RS1+ RS2= R01(1+α*T)+ R02exp(B*T)的关系（他们的给出的是.00395 *T+0.00671 exp(0.0034*T）。& && & 测试方面。就目前看的而言，关于Rs测试的文章至少有三四十篇，提到的方法至少20种，他们中的大部分都是基于单二极管等效电路模型的（个别是双二极管模型）。当前坛子中谈到的主要是两种，一个就是斜率法，另一个就是IEC中提到的双光强法（也是大家提到的BG测试仪用的方法）。这里面第一个算是估算，它用的是单二极管模型，并且忽略Rsh的影响，估算可以，但是不够精确。第二个双光强法是一个叫WOLF的人提出的，但是这里有一个问题：它严重的依赖于点P的选择（IEC仅建议选择光强大的I-V曲线上电压略大于Vm的点），P点选择的不同，Rs会有较大的出入（超过20%）。另外，大家都知道，我们在电池分选时，太阳模拟器是单次闪光的，那么假设一个为准确值的话，那么另一个必然为校正值，但是按IEC上面的辐照度的校正方法(IEC 891:1987，GB/T6)，来看，校正光强时必须要先知道Rs的值，标准建议的Rs值的获得就是双光强法（双光强法本身是不要求知道两条I-V的辐照度值的，但是模拟器闪光一次，只能得到一条I-V）。&&至于很多测试仪有时会给出负的Rs/Rsh值的情况，这更多的是测试仪的问题（从讨论来看，目前大家比这个比较公认的），当然电压电流的采点一般不会错，也就是说除了依赖于模型和算法Rs/Rsh外，其他的一般都是可信的。& &&&可惜一直呆学校，没有到公司实习过，工艺方面的知识就很欠缺了，只晓得做好工艺很难。比较成熟的线，很多参数已经固定下来了；试验期的线可能出问题的地方就千奇百怪了。还等大虾细说啊。其他八篇文章（都是摘坛子里的，问题及精髓回复）：
; X( c! p, Y6 H" q" {
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本帖最后由 snowwillbe 于
01:42 编辑 5 H8 s# r% Z) u) y5 N0 l- T
串联电阻系列一——串联电阻的含义，它对开压Voc，Isc、FF等的影响？ ... ...7 P: |* l( @0 ~8 G* V
% \3 S; S% e6 D* B
1.（讨论）Rs、Rsh与其他各参数的关系3 a2 b6 C9 l3 I( M' `
Rs、Rsh与其他参数到底有什么关系？这个问题搞的我很晕，比如：Rs Rsh与填充因子FF什么关系或者说FF随Rs Rsh怎么变化？
Rs Rsh与短路电流Isc和Voc有什么关系？怎么变化的
回复摘要：上iv,pv曲线..并联越大越好，一般50以上正常，好的话可以做到100多。串联是越小越好，但是不能去做低方阻牺牲效率来降低串联。串联与污染，绒面，扩散方阻，硅片电阻率，浆料，烧结等很多原因有关。、, y, b6 o% Q# `; [0 V$ E
串联，并联会影响FF，串联越小，并联越大，FF越大。Rsh主要衡量的是边缘漏电，太小的话导致逆电流增加，影响电流，开压，FF。
哥们，有没有量化的东西？比如各参数相关性的公式？: T! j- ~+ P9 e. t6 a9 ^
串联电阻=硅片基体电阻+扩散方块电阻+栅线电阻+烧结后的接触电阻。
基体电阻由硅片决定。扩散方块电阻可以调节，但又伴随着结深的变化。栅线电阻主要靠丝网印刷参数决定，重要的是栅线的清晰度和高宽比（越大越好）。当然，若单纯的减少串联电阻，栅线可以很宽，但高度较低，但是会增大遮光面积。接触电阻主要看烧结。串联电阻Rs影响短路电流，Rs增大会使短路电流降低，而对开路电压没有影响。; b$ ^) T, @, j& Y2 ]
并联电阻反映的是电池的漏电水平。漏电流理论上可以归结到并联电阻上。并联电阻影响太阳电池开路电压，Rsh减小会使开路电压降低，但对短路电流基本没有影响。
太阳能电池的填充因子FF可定义为最大输出功率Pm与IscVoc之比，也就是最大功率矩形面积对IscVoc矩形面积比例。对于太阳能电池说，填充因子是一个重要的参数，他可以反映太阳能电池的质量。太阳能电池的串联电阻越小，并联电阻越大，填充系数就越大，反映到太阳能电池的电流—电压特性曲线上，曲线就越接近正方形，此时太阳能电池的转换效率就越高。: ^5 k9 x6 c, R- @4 B& [' j
PS：其实公式是不能解决什么问题的…
最近分析组件是碰到一个问题：组件Rs升高Rsh下降，但却FF升高功率升高，不知那位仁兄能告诉我原因。非常感谢。( ?. H. W' d* X- q) d% x
回复摘要：上iv,pv曲线..2.关于M156电池片的填充因子和串联电阻问题() 最近车间做的M156的电池片的FF一直在75%-78%之间变化，普遍偏低，而串联电阻在4毫欧到6毫欧之间变化，比平时至少高出1毫欧，这两个参数是非常的不稳定，电极浆料并没有更换，电池的整体工艺并没有大的调整，我曾通过调节烧结温度来改变这种状况，并没有改善，在这里请教各位高手，恳切希望大家能够指点迷津，谢谢！回复摘要：forsching看看扩散把 串联电阻不止和印刷烧结有关&&g) `$ z5 K$ E0 \2 l& p&&U
葵花子你们的方块电阻均匀吗.有可能过大了&&]: w. O3 T1 ?; p9 I
方块电阻多少啊？如果是扩散的问题，那就是方块电阻大了或者不均匀& ?% D( A. W" [8 ~3 N" t- O' P
扩散方块电阻正常，一般在40-50之间，现在又不自觉的好了，还真的不知道是什么原因。
40-50是很集中 还是不集中?还有测试台是不是 有什么问题?<font color="#.[已解决]串联电阻和短路电流的关系1 @% a5 u( P* S$ L2 ^
那天在生产线上无意看到串联电阻变大后短路电流就上升,这是怎么回事?它俩趋势是一样的吗?回复摘要：这个趋势是正常的&&片子的方阻高 --& 短路电流上升 ； 片子的方阻高 --&串联电阻上升；看起来好像是由于串联电阻上升导致的短路电流上升6 a5 k( u, y# G
有两种可能性:一是方块电阻大,另一个就是本身是高电阻率高!4.串联电阻和效率在理论上有什么定量的关系？请赐教！% j. E7 f$ `# H9 {& q* r
串联电阻越大效率越低，但串联电阻和效率有什么定量的关系，很困惑，请大侠们指点% o7 \) M/ b5 I% d0 W; {
回复摘要：没见哪本书书上说过串联电阻和效率之间有定量的关系，不过你可以从太阳能电池的等效电路图上试着分析一下，串联电阻增加，就相当于增加了加在二极管上的正向偏压，而二极管本身的电流电压关系式是确定的，楼主从这个角度考虑下9 o$ J7 X8 h0 X7 h5 c1 u' G
反正串联电阻大，FF就低，效率就差
5.组件的串联电阻
( E0 v3 L% c) `( m( I&&E
组件的串联电阻包括电池和涂锡铜带以及各种接触电阻．其中涂锡铜带和各种接触电阻占多少比例，一般多大？; p% s/ f( f7 K7 H; M7 ]
回复摘要：一般影响串联电阻的是因素有很多，比如激光划刻，接触电阻&&其他类型的组件我不是很清楚 但是非晶硅的串联电阻一般涂锡铜带和各种接触电阻占的比例相当少，基本上可以忽略
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本帖最后由 snowwillbe 于
01:45 编辑
&&f4 ?, D6 B8 f( b
串联电阻系列二——串联电阻的大小与哪些因素有关？（1） 7.串联电阻的物理意义回复摘要：晶体硅太阳能电池有串联电阻和并联电阻，电池片可以简单的看成这样的一个模型：一个恒流源串联一个电阻，并联一个电阻；串联电阻 ：一般是由正面的银栅极的电阻、硅片材料本身的电阻及铝背场的电阻引起。并联电阻：实际上并没有这样的一个电阻，由于电池片有漏电流，它与电池片输出电流方向相反！因此会抵消部分输出电流，使输出的电流降低，这就相当于一个电阻并联在一个电池片上。
8.电池片的细栅线与串联电阻的关系& X' S0 F6 l7 U
* i7 m&&R" E4 U) n8 G/ Y
电池片的细栅线与串联电阻的关系，细栅线的高度与宽度不是由网孔决定的吗，可这又是什么关系呢？
) h) ~0 i( K8 c1 Q4 `正在试验中，希望大家多支持一下。
回复摘要：因为细栅线在烧结后与N区接触的深度会影响串联电阻。&&k* L3 T) k& D& ?% m: |
1,串联电阻分为2部分:1,横向电阻. 2,接触电阻。6 A# B& \% G6 s&&h0 {* h2,细栅线不光与网版设计有关,也与浆料的粘度有关,实现细栅线要找到网版,印刷条件,合适浆料之间的匹配才对.63,烧结主要是实现电池欧姆接触性能,不同的烧结条件可以得到不同的串联及并联电阻,要找到合适条件,否则不光串联会有问题,还会影响电池漏电,即所谓的shunting.网版，浆料的粘度,印刷条件,浆料之间的匹配一切OK了烧结条件也固定了，出来的效果在显微镜下观察有些轻微的数据变动，可这还是在很大的程度上影响到了最后的效率，这是什么原因呢？控制好栅线的高宽比，这个很重要！, W2 }# o9 m$ d+ c+ Y
<font color="#.串联电阻跟啥有关？
5 o: L" w1 }; U2 b' T. B( x
弱弱地问下，串联电阻跟啥有关？单片测试的时候发现串联电阻值很高，导致填充因子也很差。请帮忙！
回复摘要：体电阻+方阻+接触电阻+电极电阻（包括发射极电阻和基极电阻），体电阻跟原材料有关，方阻跟掺杂浓度有关
方阻体阻接触电阻电极电阻，恩。没错。注意的是硅片或电极空隙会产生微弱空间阻值，相当于电容效应。但是一般直接忽略" }5 c3 |0 j* u0 h# R& O" N; o
这个问题问的太大,就像问如何提高转换效率一样,三言两语很难说清的" U" r) }7 k' h&&D- _7 ?! T
再弱弱地问下，如果看上去表面似乎有长毛的感觉，会影响到么？
表面长毛？恭喜你，你的绒面做得有水平~然后很郑重的告诉你，有可能~表面看上去毛毛的，极有可能是绒面高度太大，浆料和表面接触有空隙，就是所谓的虚印，导致接触电阻变大的罪魁祸首。你们公司是用什么仪器观察绒面大小的？看看长毛片是不是绒面做大了。
多谢楼上的。这个长毛有点恐慌，因为从正面俯视看，明显比其他电池片白——烧结后。而且测试的话，明显电流电压缩小。
表面发白？SINx膜太厚了吧？楼主公司的膜厚是多少？串阻高有很多可能，综合就是材料本身（高电阻材料）、扩散（PN结均匀性）、印刷（正电极线宽度大及印刷质量不好）、烧结（烘干温度、烧结温度）。& F8 ~- k' _4 S
看一下你的氧化有没有问题
检查你的丝网印刷3号机,也就是AG电极的印刷,将浆料隔离,网版更换,清洁刮刀,之后放入新的浆料印刷 ,串联电阻会减小一些------经验之谈~有用的哦~串联电阻楼上的解释都比较专业，至于怎么减小Rs，方法有很多，就看电池目前的电性能参数情况。方法有如下几种，供参考：减小扩散方块电阻，增大扩散表面容度，增加正面栅线数量，增加栅线高度，烧结优化，印刷优化，网板浆料更换等。方法很多，就看效果了！* p. m* x" N1 [5 c3 o% c
请教一下:表面容度? 是什么概念呢;增加正面栅线数量，增加栅线高度,这个应该是串联电组里面的组成部分&电极电组&相关项吧,但是条数多,怎么会使阻值减小呢?谢谢回答哦 等着呢
&增加正面栅线数量，增加栅线高度,这个应该是串联电组里面的组成部分&电极电组&相关项吧,但是条数多,怎么会使阻值减小呢?&应该是栅线间横向电阻变小;)偶尔出现的话一般都是栅线的问题。或者就SIN没有烧透，如果没有烧透的话就直接导致RS变大，而RSH变小，漏电流变大！、10.请教：电池厚度和串联电阻
请问：电池厚度对串联电阻的影响大吗？
回复摘要：个人了解，厚度对光吸收、Voc、Isc以及FF都有影响。而串联电阻主要受掺杂浓度以及结深的影响，这样看来两者似乎没有直接联系。呵呵，不知道对不对，还请高人指点。
这么厚的片子,,应该是IC用垃圾片。如果硅片扩散长度&&500的话,对串联电阻影响也不会太大.关键就是扩散长度如果只有200的话,,那就会对串联电阻造成很大的影响.因为多出的部分对载流子的收集没有帮助,相当于多串联了一个电阻.最好的办法就是减薄到正常的厚度再做电池.同意zsd09。这么厚的片子,,应该是IC用垃圾片。如果硅片扩散长度&&500的话,对串联电阻影响也不会太大.关键就是扩散长度如果只有200的话,,那就会对串联电阻造成很大的影响.因为多出的部分对载流子的收集没有帮助,相当于多串联了一个电阻.最好的办法就是减薄到正常的厚度再做电池.串联电阻一般是由基底的体电阻，表面薄层电阻，电极电阻和接触电阻组成。首先要看你的硅片的电阻率是多少，才可以调整相应的扩散，烧结工艺来得到合适的薄层电阻和好的接触。
如果电阻率是0.55呢？可以把方块电阻做到40左右看看。
是不是最终要求是两边的掺杂差异越大越好？这个不能这样简单说，浅结电流会好一点而深结则电压有优势。最终还是一个优化的结果。而且你的问题有点不清楚，不太好答复。
再请教您下：如果N型基底为0.1，这时的方块电阻做到多少合适？
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01:48 编辑
串联电阻系列之三——串联电阻的大小与哪些因素有关？（2） ... ... 11.谁能说下硅片电阻率对串联电阻的影响啊？（）
& v' d! M8 ^
谁能说下，原料硅片的电阻率对串联电阻值的影响，怎么计算？0.5-3和6－10的电阻率，串联电阻相差多少是正常的？
回复摘要：我是做烧结的，对电阻率及串联电阻的关系有一定的研究，电阻率越高串联电阻越大\短路电流越高\开压越低。有知道清洗后花片什么原因的吗？
有的硅片做玩绒面后很花，PE后不是很明显，烧结过后却很明显，哪位大师知道什么原因啊。& z. C2 Z& r&&I' S. m" D2 p
我们原来做0.5-3欧姆.厘米的片子，串联在4－6个毫欧姆，现在做6－10电阻率的，串联在多少为正常？我发现超过10毫欧姆的，效率就基本上不了16％，8左右的话效率在16.5％，短路电流在5.3左右，就是开压低呀……绒面花是因为绒面不均匀，你可以在显微镜下观察一下花的地方（可以找烧结完的片子观察），花的地方绒面小且不密集，PECVD的时候是以相同的速度镀绒面的，所以相对而言，绒面花的地方镀的太快，烧结后颜色比较浅……我也碰到过相似的问题，而且一般连着出现好多片，6-10还可以,如果其它没问题做到16%还是很有希望的2 O3 \5 ^8 m. m+ I3 C
我们昨天串联控制在8左右了，一天平均效率16.3%……我们做的都是0。5-3的电阻，出来的串联电阻一般在6。5以下，好的话，一天的转换效率有16。75以上！不过串联的调节可以通过控制方块电阻，会有一定的效果的！
一般电池片硅片电阻率是以10为分界线。小于10 越小,Voc,FF越大,短路电流会有所下降.但不明显,所以总功率是变大的.理论计算得出在0.3--0.5电池片的效率是最佳。当小于0.3进一步减小,Isc迅速下降,是因为少子变小的原因。当电阻率大于10进一步加大Voc,FF下降,短路电流不变.12.串联电阻与清洗有什么关系？近期RS达到0.05，怀疑与清洗污染有关6 w( {$ i. Q; g/ m5 x. T
回复摘要： Rs很诡异啊，串联电阻那么小，那么电池片的效率怎么样啊？？
清洗中HF浓度高,或者时间长会导致串阻高,但是沾污应是不会的. p2 V" x& B% K. C
应该是绒面太大了，绒面大会影响倒方块电阻，进而影响Rs可能是由于HF生成的多孔硅导致电阻增大- S7 m6 l3 J2 A- Q+ \- y' S
首先要弄清Rs受哪些因素的影响：正面电极电阻，正面金属半导体接触电阻，正面扩散层电阻，硅料体电阻，背电极接触电阻，背电极电阻。因此不能简单的将其归因于清洗的问题，其他原因也很有可能。7 Y, l5 Q! U; n9 L
另HF酸浸泡时间过长会导致边缘发黄现象0 `2 P9 B: K: l& b
不知道你们有没有遇见过# g9 [6 S: R0 F6 D
是的，镀膜不好重洗的片子会$ K&&L) w3 B4 g( _
0.05 ohm了？&&清洗什么时候能有这么大的影响了& &数据贴上来吧
依旧没有回答的帖子：1.串联电阻，并联，漏电流的计算公式是什么？（发表于 ）串联电阻，并联，漏电流的计算公式是什么以前知道，不过现在忘了
2.串联电阻温度系数3.
串联电阻与开路电压、短路电流是什么关系？各位大虾，我是行业新人，第一次发帖。现在想知道知道串联电阻后如何计算短路电流及开路电压，或者知道方块电阻后怎么计算短路电流和开路电压。不知道有没有这方面的文献资料和计算公式，如果有计算软件也可以，望高手赐教。
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本帖最后由 snowwillbe 于
01:50 编辑 7 }" J% x2 X. a' P&&]
5 N, }: R; p( l
串联电阻系列之四——如何计算和测量串联电阻？（1） 22.Impp Rs Rsh
我是新手：+ G6 g) W+ G7 C4 C
& & 我想请教一下：Impp的计算公式是怎么样的？ RS的计算公式是怎么样的 RSH的计算公式是怎么样的？希望大家帮我，谢谢
回复摘要： RS算法是在1000和500光强下最佳功率点与坐标轴连接成线后,两根线的角度
23.[已解决]想请教一下Rsh怎么样测量？？2 d" S0 T" Q1 z- U3 W
2 m( I! l" ]! f5 n) }$ r
我们公司现在正在安装baccini的印刷机，以前用的半自动分检机只显示了Rs的值，问baccini配套的分检机有Rsh的显示吗？？
回复摘要：有， 测量计算方式上 berger HALM 不一样
哦，谢谢，还以为是知道了其他的量。然后用公式做出来的呢
是这样的 不过这个过程测试仪帮你完成了: h9 d6 m. ?! g0 A
24.[咨询求解]太阳电池的Rs与Rsh是怎么算出来的
如题：berger测试仪上显示的Rs与Rsh是算出来的，请问是利用什么方法算出来的。它测一个1000W光照强度的IV曲线，又测一个500W光照强度的曲线，为的就是算Rs与Rsh吧？
回复摘要：前后不各多取了几个点，算斜率" q8 [! e5 ^/ F6 f8 D5 T
Berger的做法是先把1000W实测曲线拟合成光滑曲线，然后再分别计算Isc，Uoc点出的斜率来得到500W曲线是校正用的，得到的Rs，Rsh可信，在我见过的商用机器里是唯一可信的；直接取点是NPC的做法，而且没有500W的曲线校准，所以Rs不准，Rsh没法看（经常出现负值）；至于其他的博硕或者西交，压根就免了Rs和Rsh回复conductor 那如果用berger测试的值为负值怎么解释？是否I-V曲线在Isc或Voc点附近向内弯曲？
我用Spire测出的Rsh有时也是负值，就是搞不懂为什么会出现负值？
见过，但我解释不了，, i$ u) r3 }) l& Z; j" \- ~2 d
25.串联电阻的理论计算方法请教高手指点串联电阻的理论计算方法，如果计算I=0处的斜率，如何取点，因为取点不同斜率会有误差；如有更好的办法请多指教，谢谢回复摘要：
多查资料，用标准光强测一下IV，再用80%、60%的光强测一下IV，有一个delta值，用这个来计算，好像这样子的。. W, X# a! ]: i' ]
这个差值取的不一样计算出来的值不同，现在不好确定的就是差值
在《电工技术学报》 2008年5期 ， 硅太阳能电池串联电阻的一种估算新方法% J8 D9 k' D7 S, t
尽量取 I 比较比较小的范围内取两个I值进行计算。或者就串联可变负载来计算吧。" b. V( h& `0 L1 v8 Y, C
现在大部分分析把串联电阻分成6个部分：中扩散层电阻（与方块电阻有关的部分）、栅线电阻、和前MS接触电阻比较大的。另外三个是：bulk体电阻,一般是很小的bus总线电阻大小与焊接点数有关，通常来说比较小背接触电阻，也是比较小的。2 l6 D' T1 M8 E7 L9 Z& H+ n, Q
! W. d&&|% q3 H' S9 Z1 r
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串联电阻系列之五——如何计算和测量串联电阻？（2） 26.并联电阻和串联电阻的问题,请教中.（发表于 ）
我想知道组件在正常的情况下的并联电阻和串联电阻的值应该是多少?以及他们对组件功率的影响及变化.6 C' \1 q&&{: }# i- H1 H
下面是我们实际测的一些数据,请帮忙看一下是否合适,还是有什么异常,谢谢各位!Voc(V) Isc(A)&&Vm(V) Im(A)& &Pm(W) Rs(Ω) Rsh(Ω)& && &FF(%)
43.3& &5.84& && &34.9& &4.7& && && & 163.7& & 1.12& & 1442.31& &&&64.6, g8 y* e. t5 h( B
43.6& &5.04& && &35.1& &4.71& && &&&165.4& & 1.1& &-1605.57& && & 75.19 o9 c8 g$ b. B1 B; i&&|
43.8& &4.93& && &35.6& &4.65& && &&&165.5& & 1.09& & -865.6& && &&&76.7& R7 C6 Z" p5 _
43.4& &4.96& &&&35.2& &4.67& && && &164.3& & 1.09& & -1342.69& &&&76.36 Y+ S9 A8 ^2 `5 s6 ?
43.7& &5.04& &&&35.3& &4.71& && && &166.1& & 1.08& & 3050.68& && &75.5' q* @) A/ d: d9 g2 J+ e- A
43.7& &5.07& && &35.2& &4.72& && &&&166.3& & 1.08& & 5015.33& && &75.1回复摘要：很明显啊,RS肯定影响功率的,越大越不好啊,RSH从组件测试出看不出什么东西,RSH对组件性能的分析没有帮助.那Rsh怎么会有正负呢?
楼主的RS要控制在0.8以下 最好是0.3以下。楼主，你的第一行数据有点问题，检查下有无虚焊或隐裂。
那RS怎么控制呢,以前没有遇到过这样的问题
请问新人入围,你是怎么看出组件电池片有虚焊或裂片的？谢谢
请问新人入围，你们的组件是72片125单晶的吧？请问你们是怎么把串联电阻控制到0.8甚至0.3以下？不考虑焊带电阻，每片电池片的串联电阻按5毫欧计算，72片都已经0.36欧姆了，还有
隐裂好象不影响串阻吧
想了解下楼主第一块组件的伏安特性曲线图，按理不应该其短路电流比其他组件的短路电流高很多的。
串联电阻单晶125*72cells能做到0.3欧姆?非常不错啊 .我们基本都再0.9~1.2欧姆.第一快应该是热斑- K7 Z3 t1 l, L" z$ I" O% p6 b5 l
各位请教你们一个问题，我的组件（175w）测试出来后，曲线不规则，然后取出旁路二极管对各串分别测试，发现其中有一串的I-V曲线有问题并且功率也比其它串低好几瓦，请各位帮帮分析是什么原因。谢谢大家！
27.有关串联电阻太高的问题,请不吝赐教!!) h$ _) e% l, ?. K! z
) Y7 v: y7 H( ?&&]/ ~1 u+ |+ ]
前段时间在JA购买的单晶电池片,经过单片测试仪测试后,发现Isc和Pm、Eff都正常，但Rs却很大，达到了0.015ohm以上了，现时Rsh却极低，在4ohm左右，实在让人不得其解。还请各位做电池的大侠指点。（备注：单片测试仪未经认定的标准片校准，但成品组件的Rs和Rsh都不正常，且FF低于75%。）
回复摘要：买的是已经做好的电池片，还是你们是电池厂，做出来的片子是这样的？因为可能的原因实在太多了，同时出现rsh低和rs高的情况最可能是就材料本身有问题。1 r$ W4 U$ n1 {5 {&&C, Q5 D
事实上你在问这个问题的时候,一定要告诉大家你使用的是哪个厂家的I-V测试台,不同厂家的出现电阻都有很大差别.固然效率可以测试一致.如楼上说的,另外你可以用一个标片测一下，对比一下参数啊2 G. N/ Z9 R- R, M# E, M% m! J
上个IV曲线才好判断。有的时候可能只是Rs太高或者Rsh太低，但是仍然会造成两者都有问题的假象
如果不是测试问题的话，我认为应该是片子烧结时烧的太过而导致的RS较高、RSH较低。! r, r* H# N# q( y$ p& b7 i! z
并联那么小，有加反压吗，不会漏电大吗，建议用BERGE测试台测试一下，国产的真不敢说，另外串联到15了电池的EFF还能正常？FF肯定不会高到哪儿去。
天啊,完了,我们的Rs一般都是15,有时16,17,平均效率16.8%,FF低,72,电流超高.
西安交大的测试设备.Rsh 40差不多 ,跟楼主的电池很相似,我也不知道为什么会这样.可以为你做测试，手头有，NREL，以及高空气球标定的标准电池。) K( A& M; P6 y! n: W& ?& i
估计就是国产的手动测试设备，我们有个西交大的也是这样。主要看设备厂家。&&RS大RSH小或许是因为过烧可能大些吧！& K% X6 A3 B1 l! O' `6 P% a
正常的 效率没问题就行 ,同一个片子 在不同的设备上测&&很容易出现这种情况2 ~1 S) C1 C9 i
测试仪问题！与别人无关！
28.有谁知道如何计算Rsh和Rs？
我仅仅知道Rs影响Isc，但是Rs来自于Voc的斜率，Rsh影响Voc，但来自于Isc的斜率，有谁知道为什么？如何得出这个结论，谢谢
回复摘要：刘恩科的《光电池及其应用》 : F% O: X0 N6 K
新南威尔士大学 光伏课程电子版
29.关于组件的串联电阻的计算$ o5 h' k* _0 ]5 H$ @( q
我是做电池片的想了解一下组件的串联电阻的计算方法，不知哪位大侠可以指点一二，不胜感谢！
回复摘要：
# y+ b. j, _/ I/ ~2 Y" H' h
30.串联电阻&&i( W1 Z) Q&&j2 F
7 _- I( x6 @9 k4 E
请教：组件的串联电阻怎么计算?回复摘要：
31.大家觉得CSAU与RS有关系吗?+ L: s7 ^' t& A
大家觉得CSAU与RS有关系吗?应该怎么做这样的分析那?回复摘要：
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, S; k$ V. Q% }# C6 O
串联电阻系列之六——由串联电阻入手，分析工艺过程（1） 32.[最新播报]
晶硅电池中串联电阻与效率的影响因素
结合实际生产工艺中，串联电阻与电池效率的影响因素。当然希望各位能有所补充，大家互相学习交流。 (345.01 KB)
14:01 上传下载次数:584 (2.9 KB)
14:01 上传33.Rs与FF
说说最近遇到的两个问题：
1.在烧结工艺参数不改变，且连续生产的条件下，总是会不可量化时间规律地格几单出现一两单Rs偏大的单号，原因何在？（比如正常Rs范围4-5，而异常时6-7，并且这里是成批出现，而非个案），我们最初的分析是可能与烧结炉(BTU)的稳定性异常有关，不过在对烧结炉的运行参数进行一定的跟踪后，并没有得到肯定的答案，因此想听听各位的意见；, ?+ K; M( {2 c+ Q
2.Rs几乎与FF有规律性的对应关系么?& &我们最近发现在几百批（每批按400片计算）的样本下出现平均Rs越大对应的平均FF越低 （个案除外），这该做何解释呢，想听听大家的见解。
回复摘要：看看炉子的抽风问题，最近我们这里的BTU炉子也很不稳定！
排除其他原因纯粹看烧结的话，看看Rs的组成就知道为什么了，FF低接触电阻就高，当然Rs就高我们也遇到过 串阻一般0.2左右 差的时候0.5以上 FF通通偏低 不过那次用的片子也不是好片子，但也不排除工艺原因 ，片子隔一段时间好 一会坏( h&&J" ~0 Z% o
炉子的稳定性问题，很难去调节和考证。有时候受外围的影响比较大（冷却水，压缩空气流量等）。造成这种原因有可能是烧结炉的温度波动或冷却水流量下降造成的。&&也有可能是原料中就掺有电阻率高的硅片，也会造成这样的现象。&&扩散在方租不变的情况下，增加结深减少表面扩散表面浓度也会造成Rs上升。& &根据FF的公式，Rs直接影响FF的大小。& &顺便问一句你是不是东营光伏的？？？如果是加我QQ首先成批出现，烧结炉不稳定的可能较少。成批出现影响Rs的原因我认为两处出现异常的可能性较大。1、制绒，制绒减薄量不同，导致硅片绒面和印刷前重量不一样，绒面大小影响Rs，重量变化需要调整烧结，如不调整，导致Rs变化。2、扩散，方块电阻如控制不稳定，方块变大，Rs偏大。其次，我认为楼主应该首先关注电池的逆电流的情况，逆电流是反应制程控制一个非常重要的参数
34.一篇APL的论文(Rs-image)
回复摘要：35.Rs异常
; P/ M' w' ?( Q: u: v&&m8 N0 ~
我们产生过这样一些片子，数据如下：电流开压都低，Rs约为正常值的一半，原因何在？待高手解答6 O' p( I& @" Q3 e1 L
Uoc& && &&&Isc& && & Rs& && &&&Rsh& && & FF& && &&&NCell& && & Irev1& &&&Irev2
0.589969& &6...9& & 0.126035& &0.309899& &1.108125
0.590076& &6...769&&0.128564& &0.132757& &0.437945关于1，我们还分析过与扩散后方阻的关系，不过也并不能得到很明确的答案。
回复摘要：片子问题。
材料问题) N# K# V6 G" q1 [4 _
钝化，原材料的少子寿命，扩散清洁度，查这三点6 a$ u9 C& T3 \&&c' k" G. {
硅片氧含量超标
这应该是156的片子吧，串联电阻由体电阻、表面电阻、接触电阻、背电阻，正负电极组成，一般都是Rs偏大的，扩散没做好，结太浅，方阻偏大。Rs偏小，难道是结太深？这和丝网也有很大关系的，还请高手指教！+ V$ L) k6 E1 I0 R" N+ e
我想知道这样的RS为什么异常，RS不是越小越好的？？请高手指教
什么材料能做成这个样子？我就佩服你! B- B, F3 M1 W& C
是正常的晶硅电池吗？是156还是125？？还有啊制程的工艺参数拿出来分析啊。否则看看是不是测试机台有问题？？
应该是材料问题吧，可能是电阻率比较低？具体原因的话就多种了
36.+ @5 ]8 r1 ^) ?$ Z2 p2 ^$ F
RS偏大: g, z- Z+ s/ {+ v. b- G
7 `. q&&C# F, a1 f% h. s9 m4 X&&N
最近总是有RS偏大的问题，检查方阻正常，丝网三号机印刷也正常，怀疑烧结有问题。请教各位大侠如何调节烧结使RS达到正常值！, h0 E, Y! I3 P
回复摘要：拉温对比啊，烧结还是比较好调的
烧结一般是调后两区温度，怎样根据电性能参数来升温或降温呢？
Rs多大，能不能上数据。Rs构成主要是是体电阻、薄层电阻和欧姆接触，一般容易在烧结块出问题，但也不是绝对的。
RS 6-9之间，正常在4.5-6之间，而且RS波动比较大恕我直言~~~RS偏大有很多原因的，作为一个工程师，您应该结合各种情况和电性数据系统的分析问题，不要把目光盯死在一个工序，容易钻牛角尖~~
至少从描述上看来，我认为是原片或扩散结不均匀造成的；而非烧结问题！RS之于烧结，无非是过烧和欠烧；如此则可以先观察温度曲线，这个可以直观的反映炉子的设定值是否有问题；OK，没有问题，那么拉个温，看看里面的实际温度怎样？或者对比其他炉子看情况如何，是一台炉子还是所有炉子都是这种状况？当然最简单也是最快速的还是要查烧结，但是扩散可以同时进行排查。说到扩散问题的话就有点多了，总的来说洗洗炉管，湿洗费时间就做干洗2+1；扩散拉个动态温度、缩短各温区的设定差异，检查氧气罐、氮气是否有污染、通源气管是否有污染或破裂~~~相信做完这些，贵公司的这种状况肯定会有改善。
提个小建议，对Rs影响比较大的还有丝印，特别是正面栅线的图形与印刷质量，楼主可以试试；个人感觉扩散的可能性不大。
回楼上，根据楼主的描述是RS不稳定，波动比较大。如果是因为栅线印刷造成的电流通过面积下降，那么RS应该是稳定的偏高才对。因此我不认为会是印刷的问题。而且要排除印刷问题是很简单的事情，换网版，看电镜下的高宽比，称重量，这些我相信楼主肯定有查过。如果烧结没有问题，我几乎可以很肯定的说，问题出在扩散；而且，工艺凭感觉是不行的，必须要有理论或实际经验支持喔。
其实在RS波动的同时，开压也相对较低，我们调最后两区烧结温度，升温或降温都不起作用，
后来提高了烧结带速：230升到240 inch/min，并升高了后两区温度，问题才得以解决，难道是说烧的时间过长？不过230的带速我们用了很长时间了，难道是说设备有问题?(备注：前一段时间，做过设备维护，之后烧结炉就经常出问题，不知道什么原因)&&还望经验丰富的高手赐教. p. |6 g, n- r: d( J
建议将工艺改到以前的状态，看看到底是不是由工艺造成的。还有就是你们使用的是哪家的设备？设备需要定期维护的
我们用的是DESPATCH的烧结炉，有时候不太稳定，温度波动偏大
怎么说呢，有时候调工艺一个是理论，另一个是实践。实践是经常性出问题的地方。因丝印遇到的RS偏高的次数比较多，所以建议楼主查丝印。其它的不多说了，无意义。
测测材料的电阻率。电阻率高的话，体电阻就大，串联电阻就大
好吧，那么系统的看看整体情况吧。因为RS偏大实在不是很复杂的东西。首先先用HNO3去掉栅线，测一下RS偏大的片子的方阻多少；然后取1片正常的片子同样操作，我可以告诉你，一定是扩散的问题。印刷问题的话，换张网板就能出结果，我相信楼主最先也会是从印刷烧结排查起吧。/ l$ K8 _* @/ ]1 w4 D5 _% V
近段时间我们也经常遇到，而且很集中，忽好忽坏，Rs甚至更高10-13，开始也怀疑是扩散的原因，但扩散电阻测下来是正常的，烧结调了也不管用，不知是不是片源的原因
首先从片源方面做好控制,尽可能细点,出现这种问题除了片源,工艺方面影响的地方很多,扩散的方阻 印刷效果& &烧结&&测试探针的洁净和氧化程度都会有影响.需要从多方面深入排查.我想你的问题会解决的.
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串联电阻系列之七——由串联电阻入手，分析工艺过程（2） 37.做高方阻之后，串联电阻trash片很多，求教中
我们做高方阻60ohm以上，后RS trash变多，这能不能就表明我们扩散有问题。我大概算了一下，电阻率为1.8的片子，体电阻大概有1.5mohm，我们做方阻在50左右的时候，丝网印刷测试出来的片子的串联电阻在3mohm以内，那我们扩散的薄层电阻对串联电阻影响有多大？丝网的栅线和铝背场对串联电阻的影响又有多大？？请各位大侠赐教！！先谢谢了！！
回复摘要：高方阻意味着低掺杂浓度，掺杂浓度越低，表面的欧姆接触越差，这也就是为什么SE电池要在电极下重掺杂的原因了，高方阻意味着高的接触电阻，所以做高方阻都要把栅线做密，试试增加细栅线的条数吧！！
和扩散没什么关系，是浆料的问题" n4 a+ H0 L, \, e9 z
38.丝印对串联电阻的影响/ i! L&&@0 u1 J" Q- r1 P+ Z
5 k1 J8 w' M2 r, r2 y1 |
丝印对串联电阻有影响吗，断线，虚印，粗点什么的。烧结也会有影响吗？: I9 }# A$ W. T6 W' E
回复摘要：几乎所有模块都有可能对串阻有影响 。。。2 u&&Y6 c9 |* Q8 I
印刷烧结对串阻影响很大
串联电阻过高（2007）
目前串联电阻有12mΩ以上,此数值与烧结炉的几区温度关联度大一些?希望各位高手多多指点.回复摘要： 1,烘干温度太高,有机物挥发速度太快,易在硅片表面形成较大的孔隙,电阻会变大。 烘干温度太低,有机物未能完全挥发,电阻变大，1~3区温度；2,烧结温度太高,烧穿。&&烧结温度太低,没烧透&&8~9区3 w+ R+ j* E( b2 B
非常感谢您的指教,如果此时,并联电阻又较低,约5~7Ohm,最大的可能性是什么?其实首先需要明确一下串联电阻和并联电阻你是怎么测出来的？如果是用专门测这个的仪器，那么这个数值有参考价值，如果不是的话，是用太阳能模拟器测试出来的话，这个数值几乎没有参考价值3 h3 P4 @1 n! I3 O7 |
串联电阻和并联电阻是用分选机测出来的
电阻大小是不是和电池面积也有关系？面积为1cmX1cm的片子，那么它的串联电阻会不会大呢？
和面积相关阿，并联主要是P-N破坏造成，一般比较容易出现在扩散/清洗（污染），刻蚀（未去净），烧结（击穿），目前还有一种说法是PECVD过程中也容易产生部分，具体原因还不明确，可能是把表面的硅反应掉导致无结。串联电阻=方块电阻（扩散相关）+体电阻（电阻率相关）+背电阻（背场相关），所以假如串联电阻有问题只要3个方面调查一下基本上问题就能查明白
多谢指教,背电阻是否与烧结炉的5~7区的温度相关
楼上是哪里的炉子?另外分类检测的型号如何,设备的差异影响很大的.串联与并联不好除了有楼上的几种常规情况外,还有一些不容易注意到的情况,楼主的Rs高Rsh低最大的可能是过烧,当然也可能是漏浆了.也有可能是烧结炉内部的烧结环境,楼主如果常规的调整没有效果的话,就要注意一些小地方了.) W7 g& g: D' p& v! U: W2 u5 ^
测试仪器确实很关键，另外，注意一下银浆
各位大侠,串联电阻与绒面是否有关,绒面越好,串联电阻越大?* n6 M: A+ T/ F# e! w# S& \8 [2 D
与绒面是有点关系的,但是关系不是很大.
关键还是扩散，要抓住主要矛盾( F5 u, g& Z$ N- R9 ~
40.低电阻片
请教&&对于小于1的低电阻率片子，应该怎么搞 才可以比较好！什么方阻或者什么样的图形匹配才比较好？. {1 {5 w&&G; I&&n
回复摘要：小于1的片子在你们那算&烂片&么?这样的片子做电池到15.7 基本没问题吧
&1算烂片？开什么玩笑，去查你们的供应商吧，看是不是通过非正常掺杂把电阻调上来的只要大于0.5，一般的工艺都不需要有太大的变化7 c0 D! @! Q3 k# ^" g8 }
图形不用变，但是方阻可以适当变下，关键面内要均匀，主要是材料决定，假如是没问题的材料0.5-1应该也是好做的7 C( V! Q4 {9 ?2 ]
小于1的还低的话，那我们现在做的全部是0.2的就活不下去了
说的是单晶还是多晶阿？0.5-3的都可以阿
要不要给你看看我们的0.01的恐怖片子
求看0.01的片子~~~~最好是能看看-1V下的IREV~~。0.01的片子没见过，IREV的拐点是多少，很想知道啊~ Uoc& && && && && && && && &Isc& && && && && && &Rs& && && && && && && &&&Rsh& && && && && &&&FF& && && && && && &&&NCell& && && && & Irev1
0.& & 6.& & 0.& & 4.& &&&77.& & 0.& & 6.23424530.& & 6.& & 0.& & 8.& &&&78.0116089& && &0.& & 4.0.& & 6.& & 0.& & 1.& &&&72.& & 0.& & 10.0.& & 6.& & 0.& & 9.& &8.0196831& && & 0.& && &3.0.& & 6.& &0.& &&&0.& &&&0.& && & 0.& && &9.（不知道为什么，从日志转发到这里的格式不对，该得太累了，先放这几组）* a5 i9 p7 {/ r' J
楼上这位兄台，好像代工日能片。从测试结果来看，做的还好了！不过Irev1控制的不错！
0.01能做出这样，非常牛叉了！RSH比我想象中要高很多啊~( h1 j2 G, s- Q3 {
这些数据基本上都能对得上的~如果客户没有要求，我觉得可以再次进行分类，将目前做的FF大于77的分为一类，此类可以改扩散后提高ISC，RS虽然也提高，但是与效率比综合来看，效率会有改善~~~~~而FF低于77的则要另外想法子了
这是我做的一些试验片，正常工艺下效率为8％左右。。。。我感觉要换设备才能克服( X$ v) `8 X4 O! S; L
我觉得UMG超级难做的关键在于片子本身含的一些乱七八糟不能确定是铝是铁还是碳的而且不知道浓度如何的杂质，分布如何，根本没办法得知；用常规的工艺补偿又会造成交叉影响。而且还造成不仅是电性上，还有外观上的良率不可确定性~~~~好的设备可以保障工艺的顺利实现，但是片子很垃圾的话，确实是一件很头疼的事情。常规工艺要做好，难度不是一般的大啊~ 41.高手指点：如何降低串联电阻？（发表于 ，属于有机的）最近做的器件，其串联电阻特别大，有几十万欧姆，有时候甚至高达几兆欧姆，通过测试ITO到阳极金属的电阻，发现从器件一边的ITO到另一边的阳极金属，电阻只有一百左右，也就是说主要是因为聚合物/PCBM膜的串联电阻特别大，请问如何降低该串联电阻？其中，聚合物和PCBM应该没有问题，因为月初的时候还做过比较好的膜，另外，手套箱的氧指标也低于5ppm。请高手指点，谢谢！0 h2 H1 C& B0 |7 M
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串联电阻系列之八——相关文章
太阳能电池效率和串联电阻的关系
2.8 H- j( H: `# i' I
上传一些串联电阻的测量方法,大家分享吧* g3 c% c# V& d# f) O( M2 |* [& @
' X; T( y4 D, o8 J4 d
& & $ K9 [# e1 f- p0 m/ j
背面点接触高效太阳电池的背电场与串联电阻; K% m' c/ v3 h# A2 ]% \
(231.37 KB)
4.) R9 D: f2 Z; T' S& _( C&&L
背面点接触高效太阳电池的背电场与串联电阻.pdf! g3 W- z/ t" S! U& b
, ]9 z, Q/ h0 M$ d8 b
(231.37 KB) 如有串联方面文章需要的，可以联系我下
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9 |* F4 d9 ?9 \
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提示：总结这里ID出现的频率，可以发现大牛啊;大笑;大笑
比如：milanmilano、向日葵、1+1=3……
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& a$ Z5 i0 a) S# H+ }
关于 大神的贴&&
BG测试难题
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1.&&关于BG的测试仪，Irev1,和Irev2，分别是什么意思？是反向电流还是反向饱和电流。15楼有一贴，也有这个东西，但是如13楼milanmilano所说，他要看-1V时的Irev1。那么照这样的理解，Irev是不是反向电流的意思？
（ 此问题已解决，参见贴
关于Irevl 、Irev2、 Iap中二楼 大神解答）! c9 L&&T( Z0 q' x, n' Q
2.&&测试图显示，Rs是负的值，Rsh也不是很大，想问问，他们在计算这两个数值时是用的什么方法，是按坛子里大家描述的那样，由STC下的IV，算一个矫正500W时的曲线，然后用双光强法得到的吗？
3.&&另外，从数据看，照度750W时，有FF=88%,效率17.82%。对于750的情况来说，这是一个不错的值了，我是学生，接触的片子不多，我想问问，目前是不是普遍有这样的FF。$ ?/ k& a" Z: \& w& N" [
从IV显示部分可以看到，measurement correct ，那么是不是可以这样理解，测试仪的光强实际是750，你选的矫正是两个档位？那么测试得到的是STC下的数据还是750下的数据？
我动笔算了下数据
片子上的光通量是，Pm/Eff=14.86W
对于125倒脚150片子有面积，148.57cm2,
那么光强辐照度就是14.86W/148.57cm2=1000.2W/m2~~1000/m2了，也就是说，测试到的数据是矫正到STC下的。
那么他们的750是如何实现的？你们有对测试平面的光照度测试了吗？9 N5 `; J% X# G# {9 t# Z9 t
4. 平时使用BG的各位大神们，你们的测试也是用750的光强，而不是1000的光强吗？（这个问题有点弱智）( a3 `; z1 N, P: |&&E2 X2 O
5.&&最后问一个问题，图片最下面显示的那些bin是什么意思，想了半天没明白，是探针的意思吗？你给的4是什么意思？reset又是什么意思？ & [( o3 @- I/ X9 X6 Z7 I) d: c&&a
( a: g! a&&Y, m: I
- g! r! I9 e0 {9 ~0 U9 m( f6 Y
太阳能电池片, 积分 572, 距离下一级还需 228 积分
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嗯，很晚了，我要睡觉，期待早上有大家的答案
太阳能电池片, 积分 620, 距离下一级还需 180 积分
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楼主的总结是一个很好的尝试，期待有更多这样的有心人出现在论坛上。什么时候你得综述性文章完成了（发表），拿上来和大家分享一下。先谢啦！
有一点小提示：Rs随光照的变化，并不是由扩散层造成的。体电阻受光照的影响更大些。
太阳能电池片, 积分 572, 距离下一级还需 228 积分
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ZYU 的帖子- n' E) h% c% P5 o4 S
( Z7 _& o- o" U& w
嗯，是得了。昨天没有考虑周到，光照是使得整个电池区域的载流子增多的。但是有一点，按目前的光吸收理论，光照引起的载流子的变化，也就是有一个附加的光电导，但是这个附加光电导随光强的变化其实是很小的，但是目前大家的测试结果显示，不同光强的影响是蛮大的
# s: b3 D5 B. W2 Y+ C
硅片, 积分 282, 距离下一级还需 18 积分
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不错，楼主辛苦了
TA的每日心情开心 14:37签到天数: 1 天[LV.1]初来乍到
多晶硅, 积分 72, 距离下一级还需 128 积分
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这么强的文章不被顶起来，就没有天理了！8 Z3 C, f+ c7 Y! \) t' y
期待完整版的出现
楼主加油！
知识是我们宝贵的财富。6 R' C8 z6 Q+ ~8 }" Z
感谢分享财富的人
光伏离网系统, 积分 3961, 距离下一级还需 1039 积分
该用户从未签到
看了楼主的神贴。。。决定明天开始再来好好回顾一下Rs，R强
金属硅, 积分 1310, 距离下一级还需 -1280 积分
TA的每日心情开心 15:33签到天数: 1 天[LV.1]初来乍到
多辛苦！很有意义！
多晶硅, 积分 141, 距离下一级还需 59 积分
TA的每日心情奋斗 12:14签到天数: 2 天[LV.1]初来乍到
楼主太强大太辛苦了}