人能吸收宇宙能量电流能量否?

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有没有人能说清楚RC吸收电路如何工作的?
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在工作中经常会看到一些RC吸收回路,比如说在感性的阀两端加RC吸收回路,或者在继电器开关两端加RC吸收电路,开关电源中变压器原边加RC吸收。
不知有没有人能否说清楚RC是如何工作地?这个问题一直困扰着我
比如说继电器控制电磁阀;RC吸收回路并联加在继电器开关的两端,当继电器断开后,RC是如何吸收电磁阀的反向电动势的!
我到现在还是不理解!&&本人一直认为加RC没什么用,因为 继电器一但断开后,不管有没有RC电路,电磁阀两端的感应电动势很高,直接加在开关两端,长时间,很容易使继电器触点接触不良;
有没有高手能详细解说下RC如何吸收能量的?
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RC吸收电路是针对感性负载的,简单来看可以拿RCL串联类比。LC串联电路的谐振点是“短路”,这样避免了高压的产生。串入电阻形成了阻尼吸收,这样就构成了完整的防高压且吸收电磁能量的作用。
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那是如何处于这个谐振点呢?&&一个是感性负载电感到底是多少,我们不知道。二是 高压对应的频率是多少我们也不知道。&&所谓RLC谐振,频率要等于2π根号LC分之一;& & 如何选取R跟C呢。& &不好弄啊
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大家一直用的啊,高手们,进来指点一下呢,十分感激!
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能找到谐振点是最好的,但有时没有这个条件,比如无法取得感性负载的准确参数等,这时用工程经验法来应对,因为即使不在谐振点,电压也会被抑制,只要其不超过器件的耐受极限即达到了目的。
有技术问题请在论坛里发帖,站内信、QQ、邮件等仅供业务或私人用途使用,不对技术问题单独解答。
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去找老一点的书,比如可控硅电路设计之类,有详细的RC吸收取值计算及计算依据解释。
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本帖最后由 PowerAnts 于
19:48 编辑
吸收回路中,R过大过小都不好,R过大,则回路呈RLC并联谐振,Q值高,阻尼作用不明显,R过低,则消耗的能量太小,也不行,最好是刚好等于回路的特性阻抗,C以时间常数等于1个振荡周期为宜
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请教 PowerAnts,chunyang,HWM等高手,
如下图。若继电器触点断开了,那如何构成RLC振荡啊,电流都没有回路走通了啊
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通过电源内阻构成回路
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那如果正好达到谐振点,那RLC回路对外应该等效成纯电阻特性,是不是自感产生的能量在内部看来只在电容与电感间传递,并逐渐在电阻上消耗呢?谢谢!
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正确,不过确切的说,是回路的电阻分量,包括电感和电容的ESR及回路的引线电阻
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但是实际情况下,由于负载电感量多少未知,很难匹配电阻与电容值,正好达到电路的谐振点。
换句话说,如果不在谐振点,电路有可能等效成电感,或电容特性;那会如何呢?谢谢!
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本帖最后由 nongfuxu 于
12:37 编辑
RLC振荡,需要分清是在稳态,还是在暂态.
1/在稳态下,RLC谐振时就像HWM说的,串联谐振时阻抗为零. 而你提的问题,电路工作在暂态. 所以可以说按此思路那是&跑偏了&.
2/继电器从导通到断开的瞬间,感性负载由于电感的存在会产生反向电动势,若不加RC来吸收,继电器触点二端电压差过高而产生电弧.长时间会损坏继电器.
3/看看加了RC会怎么样,由于电容C的二端电压不能突变,所以对电感产生的反 电动势产生吸收作用---&有点复杂---&电感L要释放能量而产生反向电动势---&电压升高,而电容C在瞬间要保持电压不变---&打架了---&加入R来调节RLC的暂态过程形态: 过阻尼,临界,欠阻尼.
4/再看看&过阻尼,临界,欠阻尼.&与R的关系.
&&R偏大,过阻尼,对反向电动势吸收差,继电器保护不到位.
&&R偏小了,欠阻尼,若振铃幅度偏高时,保护不了继电器.
&&R调节到临界阻尼状态.比较适合.
(刚才弄反了,差点误人子弟,已改正)
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若有条件测量负载电感L,那可以按上面的来做.
实际上,现实条件不大可能测量负载电感, 还是按chunyang说的方法试验为好.
至于RLC知识,那个电路中最基本知识,反到是最容易忘记的.
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我以前一直认为加不加RC都无所喂,感性负载产生的感应电压还是直接叠加在了触点两端。
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我以前也一直以为,不管瞎猫,病猫,混猫还是昏猫,只要能逮住老鼠就是好猫. :lol
年底了大家一起来凑热闹.
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long long ago
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在刚进入梦想,LS就来打扰.
LS知道不知道弄醒好猫的清梦的后果有多么多么严重吗?
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热门推荐 /2要产生光电电流一定需要遏止电压吗?为什么?一个电子只能吸收一光子的能量吗?为什么?
不是,加遏止电压是为了测得逸出电子的动能,产生光电流的条件是“只要光的频率超过某一极限频率,受光照射的金属表面立即就会逸出光电子,发生光电效应.当在金属外面加一个闭合电路,加上正向电源,这些逸出的光电子全部到达阳极便形成所谓的光电流.” 目前有关文献对电子吸收光子的问题做出了一些分析,认为主要原因是同时吸收两个光子的概率太低,一般无法观察到.普通光源光强较弱,从发光机制来讲自发辐射占主导地位.在光电效应过程中,有人实验发现,当入射光的频率大于金属材料的截止频率时,入射10^4数量级的光子才能射出一个电子.对于该问题,有人作了较为详细的计算,计算的结果是普通光源的产生光子的概率也是10^4数量级.而一个电子相继和同时吸收两个光子的概率,是10^8数量级的光子中才出现一次.即在普通光源(即弱光)条件下,电子也有可能吸收两个光子,只是这种概率极小,相应的光电流远远小于测量仪器的灵敏度而不能够通过仪器测量出来.在中学甚至大学物理中所叙述的光电效应规律都是物理学史实上的内容,是针对普通光源来讲的,这也与历史上发现光电效应时没有更强的光源,特别是激光源有很大的关系.激光的问世,相关实验可观测到双光子、甚至四光子吸收现象,也会破坏极限频率的概念,这时候光电效应中的内容发生了很大的变化,所以我们要强调普通光源是当时观察光电效应的实验条件.
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RCD吸收电路的设计原理及参数计算方法
<span class="xi1" style="color:#ff
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分:90475|主题:134|帖子:41458积分:90475版主 14:45:24 在另一个帖子中,争论了很多,最后发现自己的理解竟然是错误的。在别的地方找到一篇有关RCD电路参数选择的原理及计算方法,对于不同电容、电阻的选择会形成的各种后果有详细的介绍,对于理解RCD吸收来说可能有所帮助。个人感觉他的过程还是比较细致的,贴出来,希望对初次设计者能有所帮助。
风之子离线LV3助理工程师积分:323|主题:14|帖子:83积分:323LV3助理工程师 15:09:30&我对反激方面还是要好好学学,有问题再来请教你啊先谢谢了! ||
luyan离线LV6高级工程师积分:1624|主题:123|帖子:615积分:1624LV6高级工程师 16:44:18&一片非常好的文章谢谢楼主! ||
zhjjer离线LV3助理工程师积分:358|主题:32|帖子:225积分:358LV3助理工程师 09:26:18&谢谢楼主分享资料 ||
guyan6175离线LV3助理工程师积分:210|主题:0|帖子:18积分:210LV3助理工程师 09:54:25&谢谢楼主了 ||
balchen离线LV3助理工程师积分:201|主题:0|帖子:2积分:201LV3助理工程师 10:25:11&谢谢楼主 ||
molei0010离线LV3助理工程师积分:202|主题:0|帖子:3积分:202LV3助理工程师 14:45:37&3q ||
xyongzju离线LV6高级工程师积分:470|主题:15|帖子:61积分:470LV6高级工程师 20:48:40&
好文章,值得仔细看看。有个疑问:
文中:电阻功率的选取依据,Pr=1/2*Ll*Ipk*Ipk*f,由此可见电阻消耗的能量全部来自漏感储存的能量。但我认为,RCD吸收的能量
包括漏感储存的能量和副边反射的能量,原理可以借助下图解释:当关断时,电流的通路经图2中的漏感Lk,理想变压器(原边),二极管和电容。其中,漏感和理想变压器都可等效为电动势并提供能量。因此,有RCD吸收计算电阻的公式Pr=1/2*Ll*Ipk*Ipk*f*Vclamp/(Vclamp-Vro)。Vclamp为设定的最大嵌位电压,Vro为副边反射电压。也有功率关系:Wr=Wc+Wl,其中,Wr为吸收电阻消耗的功率,Wc为副边反射的能量,Wl为漏感储存的能量。
||xyongzju离线LV6高级工程师积分:470|主题:15|帖子:61积分:470LV6高级工程师 12:11:13&顶一下,上面的分析是否正确?一般可取Vclamp=2Vr,因此这是电阻消耗的功率为2倍漏感计算得出的功率 ||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分:90475|主题:134|帖子:41458积分:90475版主 13:07:04&从前面的详细分析过程可以看出,即使满足Vclamp=2Vr,电阻消耗的功率是2倍漏感功率还需要满足一个条件,那就是RCD电容上的电压通过电阻R在开通周期内恰好放电到零,如果不满足上述条件,也即使说如果C过大或R过小,即使满足Vclamp=2Vr,电阻消耗的能量也不是2倍漏感功率。 ||
xyongzju离线LV6高级工程师积分:470|主题:15|帖子:61积分:470LV6高级工程师 19:18:25&这样的话,电阻功率的选取依据,Pr=1/2*Ll*Ipk*Ipk*f是否欠妥? ||
pcb-power离线LV4初级工程师积分:351|主题:10|帖子:65积分:351LV4初级工程师 13:49:30&我觉得这样分析是对的,楼上的你觉得不对是吗?那么你的怎么计算的?可以分享下吗? ||
sazou离线LV1本网技工积分:79|主题:0|帖子:0积分:79LV1本网技工 11:06:53&本人刚接触电源,想问一下为什么要乘上“Vclamp/(Vclamp-Vro)”,不解?谢谢 ||
一个小兵离线LV6高级工程师积分:763|主题:37|帖子:255积分:763LV6高级工程师 14:14:13&好资料顶版主!!!! ||
zyandbsb离线LV3助理工程师积分:202|主题:0|帖子:2积分:202LV3助理工程师 16:52:04&电力电子学习中这个问题真是避免不了的,多谢分享,会好好看的 ||
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arronwe7离线LV4初级工程师积分:503|主题:35|帖子:237积分:503LV4初级工程师 15:15:59&谢谢分享学了不少 ||
dianyuanlearner离线LV6高级工程师积分:1397|主题:133|帖子:388积分:1397LV6高级工程师 15:59:52&有全桥开关管的RCD缓冲吸收回路设计计算方法么 ||
jinjin离线LV3助理工程师积分:375|主题:22|帖子:197积分:375LV3助理工程师 08:56:11&谢谢分享,顶版主! ||
离线LV2本网技师积分:200|主题:0|帖子:1积分:200LV2本网技师 13:15:37&谢谢 ||
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wulinmmm离线LV6高级工程师积分:527|主题:8|帖子:162积分:527LV6高级工程师 10:19:32&非常感谢您的奉献! ||
hk2008离线LV6高级工程师积分:856|主题:1|帖子:81积分:856LV6高级工程师 08:30:13&讲的比较详细,可是我觉得那是仿真的结果,对于实际情况,却不好计算。原因为电容上的电压波形并非完全是一RC放电波形, ||
lgdyl1983离线LV8副总工程师积分:3074|主题:108|帖子:633积分:3074LV8副总工程师 08:56:47&下载下来,大致先看了 一下,讲的很详细啊,谢谢分享 ||starmiao71离线LV2本网技师积分:102|主题:0|帖子:2积分:102LV2本网技师 16:39:16&一直很困惑这个方面的,终于找到计算方法了,感谢楼主的贡献!
小弟有个问题啊,是不是电阻需要选取到额定值的4倍作为安全裕量?
比方说,计算得到的电阻功率是2W,实际需要选择一个8W左右的电阻才行?
还有,我们的开关电源吸收电路上还有一个300R的电阻与二极管串联,加上这个二极管后,又有什么好处呢?
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分:90475|主题:134|帖子:41458积分:90475版主 17:00:37&选多大余量,根据工作状况选择,如果是有风吹着那就没必要那么大,如果没有那就需要余量大一些可靠,至于你这个电阻,还是RCD吸收,只是串联一个电阻与二极管,限制吸收瞬间流过二极管的电流峰值,不过300欧姆是不是大了些? ||
liu1875离线LV8副总工程师积分:5782|主题:46|帖子:3417积分:5782LV8副总工程师 17:12:20&俺帮你贴出来 ||
starmiao71离线LV2本网技师积分:102|主题:0|帖子:2积分:102LV2本网技师 17:21:05&多谢指教,我的这个开关电源是在700VDC上取电,开关频率为20K,输出12V,8A.RCD参数是:串的电阻是150R,并联的电容C是2.7nF,R为300K。 ||
liu1875离线LV8副总工程师积分:5782|主题:46|帖子:3417积分:5782LV8副总工程师 17:11:58&
一种有效的反激钳位电路设计方法
单端反激式开关电源具有结构简单、输入输出电气隔离、电压升/降范围宽、易于多路输出、可靠性高、造价低等优点,广泛应用于小功率场合。然而,由于漏感影响,反激变换器功率开关管关断时将引起电压尖峰,必须用钳位电路加以抑制。由于RCD钳位电路比有源钳位电路更简洁且易实现,因而在小功率变换场合RCD钳位更有实用价值。
1 漏感抑制
变压器的漏感是不可消除的,但可以通过合理的电路设计和绕制使之减小。设计和绕制是否合理,对漏感的影响是很明显的。采用合理的方法,可将漏感控制在初级电感的2%左右。
设计时应综合变压器磁芯的选择和初级匝数的确定,尽量使初级绕组可紧密绕满磁芯骨架一层或多层。绕制时绕线要尽量分布得紧凑、均匀,这样线圈和磁路空间上更接近垂直关系,耦合效果更好。初级和次级绕线也要尽量靠得紧密。
2 RCD钳位电路参数设计
2.1 变压器等效模型
图1为实际变压器的等效电路,励磁电感同理想变压器并联,漏感同励磁电感串联。励磁电感能量可通过理想变压器耦合到副边,而漏感因为不耦合,能量不能传递到副边,如果不采取措施,漏感将通过寄生电容释放能量,引起电路电压过冲和振荡,影响电路工作性能,还会引起EMI问题,严重时会烧毁器件,为抑制其影响,可在变压器初级并联无源RCD钳位电路,其拓扑如图2所示。
2.2 钳位电路工作原理
引入RCD钳位电路,目的是消耗漏感能量,但不能消耗主励磁电感能量,否则会降低电路效率。要做到这点必须对RC参数进行优化设计,下面分析其工作原理:
当S1关断时,漏感Lk释能,D导通,C上电压瞬间充上去,然后D截止,C通过R放电。
实验表明R或C值越小就会这样,R太小,放电就快,C太小很快充满,小到一定程度就会这样回到零。
实验表明,C越大,这儿就越平滑
均是将反射电压吸收了部分
就是反射电压
1)若C值较大,C上电压缓慢上升,副边反激过冲小,变压器能量不能迅速传递到副边,见图3(a);
2)若C值特别大,电压峰值小于副边反射电压,则钳位电容上电压将一直保持在副边反射电压附近,即钳位电阻变为死负载,一直在消耗磁芯能量,见图3(b);
3)若RC值太小,C上电压很快会降到副边反射电压,故在St开通前,钳位电阻只将成为反激变换器的死负载,消耗变压器的能量,降低效率,见图3(c):
4)如果RC值取得比较合适,使到S1开通时,C上电压放到接近副边反射电压,到下次导通时,C上能量恰好可以释放完,见图3(d),这种情况钳位效果较好,但电容峰值电压大,器件应力高。
第2)和第3)种方式是不允许的,而第1)种方式电压变化缓慢,能量不能被迅速传递,第4)种方式电压峰值大,器件应力大。可折衷处理,在第4)种方式基础上增大电容,降低电压峰值,同时调节R,,使到S1开通时,C上电压放到接近副边反射电压,之后RC继续放电至S1下次开通,如图3(e)所示。本人认为此分析清楚地说明RC放电时间常数要大于开关周期,至少要大于截止时间,也就是RC振荡频率小于开关频率。
2.3 参数设计
S1关断时,Lk释能给C充电,R阻值较大,可近似认为Lk与C发生串联谐振,谐振周期为TLC=2π,经过1/4谐振周期,电感电流反向,D截止,这段时间很短。由于D存在反向恢复,电路还会有一个衰减振荡过程,而且是低损的,时间极为短暂,因此叮以忽略其影响。总之,C充电时间是很短的,相对于整个开关周期,可以不考虑。本人认为这讲的极有道理,开关管截止时间里充电过后就要放电,所以在实际实验中如果R太小还没到开关管导通C的电已放完了,故出现了一个平台,这时会消耗反射电压的能量,所以R的取值一定要使C的放电电压在开关管导通时不小于反射电压。在进入到导通时间后C的电压为负值,千万不要认为是某个电压对C反向充电,本人认为是开关管导通后呈现的低电位。
对于理想的钳位电路工作方式,见图3(e)。S1关断时,漏感释能,电容快速充电至峰值Vcmax,之后RC放电。由于充电过程非常短,可假设RC放电过程持续整个开关周期。
RC值的确定需按最小输入电压(但有的书上说是按最大值,实际测试表明似乎应是最大值),最大负载,即最大占空比条件工作选取,否则,随着D的增大,副边导通时间也会增加,钳位电容电压波形会出现平台,钳位电路将消耗主励磁电感能量。
对图3(c)工作方式,峰值电压太大,现考虑降低Vcmax。Vcmax只有最小值限制,必须大于副边反射电压
可做线性化处理来设定Vcmax,如图4所示,由几何关系得
为保证S1开通时,C上电压刚好放到需满足
将(1)式代入(2)式可得
对整个周期RC放电过程分析,有
根据能量关系有
式中:Ipk/Lk释能给C的电流峰值将式(1)和式(4)代人式(5),得
同理这公式有错误应是除以LnDon.
结合式(3),得
电阻功率选取依据
式中:fs为变换器的工作频率。
3 实验分析
输入直流电压.30(1±2%)v,输出12V/lA,最大占空比Dmax=0.45,采用UC3842控制,工作于DCM方式,变压器选用CER28A型磁芯,原边匝数为24匝,副边取13
匝。有关实验波形如图5~图8所示。
图7显示在副边反射电压点没有出现平台,说明结果与理论分析吻合。
按照文中介绍的方法设计的钳位电路,可以较好地吸收漏感能量,同时不消耗主励磁电感能量。经折衷优化处理,既抑制了电容电压峰值,减轻了功率器件的开关应力,又保证了足够电压脉动量,磁芯能量可以快速、高效地传递,为反激变换器的设计提供了很好的依据。
网上相关人员讨论:
1.关于吸收电路的问题,很有分析的必要,我也曾对此仔细分析过。我再分析一下,你可以按照这个思路自己进行计算。
开关管漏极上的电压由三部分组成:电源电压,反击感应电压(等于输出电压除以杂比),漏感冲击电压。
吸收电路,一定要让他只吸收漏感冲击电压,而不要对另外电压起作用,那样不仅会增大吸收电阻的负担,还会降低开关电源的效率。
首先计算吸收电阻的功耗,如果能做到只对漏感能量吸收,那么他的功率容量应该是漏感功率的1.5-2倍。
漏感的量能为0.5*Ls*Ip*Ip*f,f=工作频率,Ls=漏感,Ip关断时的开关管峰值电流,这样算出来的结果是很准确的。
由于吸收电容的另一端是接在正电源上的,所以它的电压只有两部分:反击感应电压(等于输出电压除以杂比),漏感冲击电压。电压是一个微分波形,也就是电容放电波形,随着放电,电压会越来越低,当开关管的截止期结束时,一定不要让电压下降到反激感应电压以下,否则就会损耗“本体”能量。
再计算吸收元件的数值,电容太小时,漏感能量灌入后,电压会突升的太高,有可能击穿开关管,可以根据你的开关管耐压,和你希望的振铃高度,确定一个峰值电压,比如100伏,截止期结束时,我们给他定一个终止电压,比如50伏,这样,就可以计算出吸收电容的数值来:
原理是,电容电压变化量所导致的能量差 = 一个周期的漏感能量。(上面的公式5)
假设反激感应电压为U,那么电容电压的最大值就是(U+100),最小值就是(U+50),电容中的能量有一个计算公式,Ec=0.5*C*U*U,
所以,能量差就是:Ech-Ecl=0.5*C*((U+100)*(U+100)-(U+50)*(U+50)),U是已知的,能量差也是已知的,电容还算不出来吗?
最后计算吸收电阻。电容放电公式:u=Uo*exp(-t/τ),t/τ=-ln((U+50)/(U+100))经本人推算应是t/τ=-ln((U+100)/(U+50)),或-t/τ=-ln((U+50)/(U+100)),掉了个负号原文作者在发贴时可能笔误,t=截止期时间(按正常工作时的截止时间计算),可以算出τ,τ=RC吸收时间常数,那么吸收电阻不也就出来吗?本人认为这个讲的有道理.
2.按上述理论进行计算:
变压器初级电感L=632uH,漏感Llou= 29uH。
假定最大输出功率时是DCM模式.
Pin = 0.5*Ls*Ip*Ip*f
= (Pin/0.5*Ls*f)(0.5) = (P0/η*0.5*Ls*f)(0.5)
= (150/0.85*0.5*623*10(-6)*70*10(3))
漏感的能量为0.5*Ls*Ip*Ip*f,f=工作频率,Ls=漏感,Ip关断时的开关管峰值电流
Wlou= 0.5*Ls*Ip*Ip*f
= 0.5 * 29*10(-6) * 2.7 * 2.7 * 70*10(3) = 7.3 W
由上面漏感能量数值可看出,漏感能量太大了,如果此能量全都由电阻来消耗,按两倍功率计算,要15W的电阻。这是无法办到的。
这么大的功耗,从上面计算可以看出,是由于初级Ip太大造成的。如果是几十W的电源,那么功耗就可以接受了。
对以上结果,请问计算有问题没有?有什么办法?
是的,这个功耗是太大,漏感功耗没有别的去处,只能消耗在吸收电阻上。像这种功率较大的开关电源,一般都是工作在连续状态,否则,开关管的功率容量和磁芯的功率容量都得不到充分利用,还有一个问题,就是工作在不连续或者临界状态的变压器,由于其磁通变化量太大,变压器的发热量也是个不容忽视的问题。我上面没说,你的初级电感量太小,变压器可能工作在非连续状态。增大电感量,初级电流自然就降下来了。你可以这样计算:让磁通的变化量(p-p)/磁通平均值=0.3左右。
另外,如果电源的安全系数要求不是太高(医疗仪器要求高),可以适当减小初次级之间的绝缘厚度,以减小漏感,你的漏感量在正常的数值范围内,但不是特别的小,大功率的电源,漏感就是个很麻烦的问题
4.你好,非常感谢。
初级电感和漏感的数值在上面第十贴中写出来了,我是刚测的数据。
测时发现,初次级间不加铜皮屏蔽漏感小。这应是正常的吧。也可能是漏感加大的缘故,加了屏蔽后尖峰反而大了。
5. 初次级间不加铜皮屏蔽漏感小,是正常的。所谓漏感是通过本线圈的磁力线没有完全通过另一线圈所产生的,增加铜皮屏蔽,相当于线圈之间的耦合难度增大,故漏感增大,分布电容减少。
想减少尖峰,最好的办法是减少变压器漏感,其次是在MOS管漏极加磁珠,这样都会减少损耗,还有就是无损吸收,最后就是用RCD这种有损吸收的方式。
6. 是的,铜箔不是磁性材料,它只对电场起作用,对磁场而言,它和绝缘材料差不多.
网上有人这样讲: rcd的rc时间常数必须长于开关周期,也就是rc震荡频率要小于开关频率,这样子防止在管子未开通前放电完毕而导致二极管再次开通,造成系统的震荡.本人仔细分析了一下,这样讲有一定的道理, 但&开关电源设计指南&gt126里讲RC时间常数等于第一个尖峰和第二个尖峰时间的3倍就够了,这个我认为有点错, 因为有人讲振荡频率是指第一个脉冲以后的,从图上看基本差不多,第一个脉冲是漏感往C里面充电的过程,然后根据回复时间D有一个关断过程,当然认为是一个振荡也可以,只是时间和后面的振荡相比就太长了。所以一般认为一两个脉冲之后的才算振荡(前几个脉冲由于单向导电也不象正旋波),因为后面的振荡和RC基本无关了, 只有第一个尖峰脉冲的能量被吸收,后面的脉冲电压都达不到吸收的门槛电平,所以是在自己震荡,与R,C无关了. 只有第一个尖峰脉冲的能量被吸收,后面的脉冲电压都达不到吸收的门槛电平,所以是在自己震荡(本人认为是漏感和分布电容),与R,C无关了.
如果RC时间常数太小了,在截止时间内C的电放完了,那反激电压岂不是又要向C充电而形成振荡?本人认为至少要大于开关管截止时间.
这是电源网上另一个人讲的:RCD是给变压器漏感提供泻放回路的。反激变换同正激有所不同,反激变压器可以看作是一个耦合电感,所以不像正激一样有磁芯复位的要求。但是,由于反激变压器大都开了气隙,所以漏感比较大,漏感能量也比较大需要一个泻放的通路。上面接法的RCD的作用就是当开关管关断时漏感电流通过D对C充电,由于C的存在形成LC谐振。一般来讲是需要限制这个谐振电压的峰值的。应该是输入直流电压最大值+次级按变比折算过来的反射电压+LC谐振峰值电压《MOS的额定电压。R的作用是降低LC的Q值,使震荡衰减。一般控制LC频率在开关频率三倍以上,这不是绝对。频率越高则电容越小,但是谐振峰值大,频率低了谐振的时间就比较长,影响能量传递。R大了衰减的比较慢,增加管子的损耗和干扰(谐振能量)。小了则增加损耗降低效率
piupiu离线LV4初级工程师积分:303|主题:14|帖子:83积分:303LV4初级工程师 20:34:50&多谢楼主。。 ||
geniuschen离线LV3助理工程师积分:228|主题:3|帖子:22积分:228LV3助理工程师 15:02:02& 谢谢楼主的分享,
计算时有提到Dmax,Dmax如何确定?
谢谢 ||andypan1234离线LV2本网技师积分:166|主题:8|帖子:52积分:166LV2本网技师 16:00:09&好帖子,顶一个 ||
chxm8789离线LV6高级工程师积分:1036|主题:12|帖子:230积分:1036LV6高级工程师 19:09:37&正好需要这个,谢谢楼主! ||
tim422离线LV2本网技师积分:102|主题:0|帖子:2积分:102LV2本网技师 22:50:14&RC值的确定需按最小输入电压(但有的书上说是按最大值,实际测试表明似乎应是最大值),最大负载,即最大占空比条件工作选取,否则,随着D的增大,副边导通时间也会增加,钳位电容电压波形会出现平台,钳位电路将消耗主励磁电感能量。
选Dmax计算的话,当D减小时,Toff关断时间增长,是不是会出现图3 c)有平台的情况?
||windh离线LV8副总工程师积分:2678|主题:24|帖子:1191积分:2678LV8副总工程师 23:09:02&呵呵,估计又是国人虾扯但的方法。
RCD吸收,其实就是个反击电源。
这里的关键就是如果令C,也就相当于反击电源的输出电压不震荡的问题。
本质就是L+D+R//C电路设计问题。
如何最快但还没有振荡。
如果认识不到这一点,所谓的RCD吸收,其实就是虾车单。
R的选择,如果阻尼比为0.5的话,R应该等于sqrt(L/C)为好,或更小。
这应该是保守的算法。因为没有考虑D。
||qq离线LV7版主积分:19092|主题:33|帖子:7842积分:19092版主 23:21:14&楼上能具体一点吗?RCD怎么是反击电源?(想说反激电源吧?不清楚)
从哪方面来说RCD是反激电源呢?我也想看看是不是有人“虾扯但”了 ||
windh离线LV8副总工程师积分:2678|主题:24|帖子:1191积分:2678LV8副总工程师 12:10:58&瞎扯蛋的只能是不懂装懂的人!
哪个国家的人最符合这一条,你应该懂得!
你像个sb一样地刻意地刻苦地学习,也证明不了你是个正常人。
所以,本大师总是交到你们说,发现问题,解决问题。
如果这都做不到,你们还真的美酒了!
你们还停留在靠别人说,而相信的地方,而别人也就是听其他别人说的而已。
你应该学会独立思考!
因为,阻你们的国家里,没有真正的专家。
虽然本大师就是你们的专家,但你们打心里不想承认这个现实。
因为你们宁可听国人胡说八道,也你们就是皇帝的新衣厘米的一个叫色巴黎!
你们总是妄想,在开关电源领域里,能有真实的明白人,给你们讲课,这样你们在以后的实践中,就可以坐享其成了,但这是痴心妄想。
虽说条条大路通纽约,但没有人能随随便便便成功。
当然了,如果你只不过是个打工挣钱,养活自己的人,那么你不在本大师的教导之列。
本大师说的是,真的有志于电子技术的人士,你应该认识到,没有人会手把手教你,因为真正的专家就更不可能这样。
但你们在学校里学过电子技术,这就证明了国产教科书及其作者,是不懂装懂的。
因为真正的懂了的人,也真的没啥可说了! ||
anway离线LV3助理工程师积分:296|主题:6|帖子:85积分:296LV3助理工程师 14:45:36&真的大师是不会一口一个称自己大师的,你无非是电源界的一条虫罢了,得不到领导的赏识,也得不到同事的认可,整个人就是一天瞧不这个瞧不起那个,不曾想过其实自己球也不是,还整天这里秀优越,那里秀实力,收手吧,你不适合在这里混,至少说你不应该在电源界混。 ||
luyan离线LV6高级工程师积分:1624|主题:123|帖子:615积分:1624LV6高级工程师 10:44:58倒数8&天天喊自己大师,别人没有人觉得你是大师! ||
windh离线LV8副总工程师积分:2678|主题:24|帖子:1191积分:2678LV8副总工程师 12:27:03&在加入一个调节,就完美了!
那就是RC的时间常数要足够小。
R = sqrt(L/C)
就可以得到RC了。
qq离线LV7版主积分:19092|主题:33|帖子:7842积分:19092版主 18:27:54&大师精辟啊 ||windh离线LV8副总工程师积分:2678|主题:24|帖子:1191积分:2678LV8副总工程师 18:30:11&呵呵,精屁吧?
qq离线LV7版主积分:19092|主题:33|帖子:7842积分:19092版主 18:34:45&确实厉害,估计国内那些个专家都没意思 ||
windh离线LV8副总工程师积分:2678|主题:24|帖子:1191积分:2678LV8副总工程师 18:36:04&这本大师就不知道了!
但能见的到的,大部分都有概念错误,这是的确是个事实。
chwq105离线LV4初级工程师积分:339|主题:2|帖子:107积分:339LV4初级工程师 11:55:34&这个公式对你来说好用吗?
我的L为1.546mH,
t(RC)选择8.2uS,
算出来C=43.5nF,R=188.5R
这两个值合理吗?
我的MOS耐压650V,输入最高电压AC265,输出5V,漏感8%,初次级匝数比16.3 ||sarh2o离线LV2本网技师积分:102|主题:0|帖子:2积分:102LV2本网技师 16:01:43&我的MOS管漏极波形是这样的
请各位大神帮忙看看是哪个地方设计的问题 ||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分:90475|主题:134|帖子:41458积分:90475版主 16:42:44&哎,都是没搞清楚原理就动手的结果,这个波形完全是正确的,是DCM状态下的标准波形。 ||
sarh2o离线LV2本网技师积分:102|主题:0|帖子:2积分:102LV2本网技师 01:05:36&我是初学者,电源也做好了,在静态负载测试下各项指标都相当完美,但是我的电源是用在一个无刷电机驱动上的,当电机转动时这个电源的状态就非常的差。我将示波器的探头和地接在一起,然后靠在我的电源的地上都有相当高的杂波,而且这个杂波影响到了我对霍尔信号的采集,这几天一直在困惑这个问题。 ||
qq离线LV7版主积分:19092|主题:33|帖子:7842积分:19092版主 22:15:53&波形很好看啦 ||
greendot离线LV10总工程师积分:15647|主题:0|帖子:4712积分:15647LV10总工程师 19:25:21&又见此【好】文章。 ||
mxqh333离线LV2本网技师积分:148|主题:2|帖子:5积分:148LV2本网技师 20:46:45&楼组好人正式我需要的 ||zhangguosong4离线LV6高级工程师积分:501|主题:34|帖子:140积分:501LV6高级工程师 07:31:15&不错,学习了。。。。 ||
wenwens离线LV2本网技师积分:198|主题:0|帖子:41积分:198LV2本网技师 20:46:52&不错学习了,谢谢分享 ||LED新手-夏侯离线LV2本网技师积分:119|主题:0|帖子:5积分:119LV2本网技师 15:17:13&不错的帖子。。。谢谢王工!
最近调试一款T8横流电源
100-277VAC
变压器L=1.15mH
漏感过冲电压大概65V
自己计算的参数是C=1.3nF
但是参考别人的是C=1nF
电阻差这么大
是为效率考虑嘛? ||
lswhome离线LV6高级工程师积分:562|主题:14|帖子:109积分:562LV6高级工程师 01:13:43倒数9&计算不怎么靠谱,还是用示波器观察RCD波形然后改变RC参数调试比较靠谱! ||
duck2279448离线LV2本网技师积分:146|主题:2|帖子:19积分:146LV2本网技师 09:17:52&谢谢楼主分享的资料 ||nc965离线LV7版主积分:22874|主题:102|帖子:8059积分:22874版主 13:33:17&这个问题,还是调试靠谱,计算不出啥结果 ||
LED新手-夏侯离线LV2本网技师积分:119|主题:0|帖子:5积分:119LV2本网技师 16:59:57倒数10&嗯,谢谢。。。 ||
一个小兵离线LV6高级工程师积分:763|主题:37|帖子:255积分:763LV6高级工程师 21:09:06倒数7&谢谢分享 ||
ljj1993在线LV6高级工程师积分:1138|主题:3|帖子:126积分:1138LV6高级工程师 10:12:51倒数6&学习!
yikifreda离线LV0禁止发言积分:502|主题:0|帖子:39积分:502LV0禁止发言 12:36:28倒数5&学习学习!
CloseRain离线LV6高级工程师积分:1118|主题:13|帖子:102积分:1118LV6高级工程师 18:30:00倒数4&学习学习
Gege_fly离线LV6高级工程师积分:1208|主题:26|帖子:231积分:1208LV6高级工程师 09:49:16倒数3&真的是太好的资料。一百个赞
lmywlj离线LV6高级工程师积分:735|主题:0|帖子:31积分:735LV6高级工程师 14:53:34倒数2&需要好好学习,不懂再来问
rainword离线LV1本网技工积分:53|主题:0|帖子:2积分:53LV1本网技工最新回复 17:21:45倒数1&好东西,谢谢分享,正学习中
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