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&&&&&&昨天，中国科学报一篇文章《忆阻器取代晶体管引全球技术竞赛&中国严重落后》，引爆许多媒体对忆阻器的强烈关注。简单介绍一下。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&什么是忆阻器？简单的说，就是一种可记忆电流的非线性电阻器。在传统的电路中，电路的基本元件只有3种，即电阻器、电感器、电容器。忆阻器是电路中的第四种元件。&&&&&&&&&&&&&&31年前，华裔科学家蔡绍棠从数学模型上推断电路中应该有第四种元件，命名为忆阻器。经过30年的努力，忆阻器已经经历了从猜想到寻找到试验到实际应用的漫长历程，2013年，比勒菲尔德大学物理学系的高级讲师安迪·托马斯博士研制的忆阻器被内置于比人头发薄600倍的芯片中，利用这种忆阻器作为人工大脑的关键部件，他的研究结果将发表在《物理学学报D辑：应用物理学》杂志上。&&&&&&&&&&&&&&忆阻器有什么意义？&&&&&&&&&&&&&&1，电子工业革命。如果说石墨烯是一场电子工业的材料革命，那么忆阻器则是一场电子工业的元件革命!&&&&&&&&&&&&&&2，忆阻器颠覆电路原理，颠覆逻辑电路。电路中惊现第四种基本元件，那么，则意味着传统电路面临被颠覆的命运。忆阻器具有逻辑运算的功能，理论上可以通过忆阻器完全替代现在所有的数字逻辑电路。&&&&&&&&&&&&&&3，忆阻器可能代替晶体管，忆阻器具有记忆、存储、节能等功能，忆阻器也有望挑战数码设备中普遍使用的闪存器。&&&&&&&&&&&&&&4，忆阻器是人造大脑的关键元件。忆阻器还能让电脑理解以往搜集数据的方式，这类似于人类大脑搜集、理解一系列事情的模式，可让计算机在找出自己保存的数据时更加智能。&&&&&&&&&&&&&&5，忆阻器有望续写摩尔定律。摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔提出来的。其内容为：当价格不变时，积体电路上可容纳的电晶体数目，约每隔24个月（现在普遍流行的说法是“每18个月增加一倍”）便会增加一倍，性能也将提升一倍；或者说，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。科学家根据摩尔定律得出半导体工业到了2020年就达到了极限。&&&&&&&&&&&&&&研究现状。&&&&&&&&&&&&&&国外：忆阻器商业应用开始白热化。据了解，自惠普忆阻器原型问世以来，国际研究迅速升温，至今已有百余所研究机构参与。不仅英、德、韩等国相继加入，Intel、IBM等工业巨头也在美国军方支持下砸下重金。&&&&&&&&&&&&&&国内：忆阻器研究初始阶段。2009年，科技部启动国际合作项目“忆阻器材料及其原型器件”，华中科技大学微电子学系教授、长江学者缪向水是项目负责人。据了解，华中科技大学历经四年研究，“已经能够制备出纳米级性能稳定的忆阻器原型器件。”近期，由该校牵头，联合清华、北大、国防科大、中科院微电子所等单位已在联合申报一个“973”计划项目，一旦获批，将拉开我国忆阻器研发“协同作战”的序幕。&&&&&&&&&&&&&&“忆阻器带来的变革，将在世界电子科技领域引发一场基础性的影响重大的竞赛。如果再不加以重视，惠普一家公司就足以打败我们。”国防科技大学电子科学与工程学院教授徐晖对记者如是说。
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&&&&&&&忆阻器的主要材料：二氧化钛。&&&&&&&&&&&&&&国内主要研究机构：华中科技大学。
老兄&动了&&&&&&&&&&&&&&760)this.width=760" onclick="self.open(this.src);" class="lazy" src="placeHolder.png"
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&&&&&&&忆阻器比肩石墨烯
真龙出世！龙飞凤舞！&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&忆阻器还看！&&&&&&&&&&&&&&忆阻器+3D打印++传感器=科技才能兴国！
忆阻器取代晶体管引全球技术竞赛&中国严重落后&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&日&中国科学报&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&　　目前，国内忆阻器研究仍处于“自由探索”阶段，不仅力量分散，而且主要集中于理论层面和计算机仿真。受研究条件所限，真正物理实现尚不多见。&&&&&&&&&&&&&&　　本报记者&成舸&通讯员&郭媛&&&&&&&&&&&&&&　　5年前《自然》杂志的一篇论文，让“忆阻器”三个字广为人知。这一被美国加州大学伯克利分校教授蔡少棠于1971年预言存在的第四种基本电路元件，在经历晶体管时代漫长的“下落不明”后，被惠普实验室首先“找到”，轰动了全球电子学界。&&&&&&&&&&&&&&　　然而5年过去了，尽管每年都有关于忆阻器机理和应用的重要进展问世，来自中国的声音却鲜有耳闻。&&&&&&&&&&&&&&　　不久前，蔡少棠应邀到访国防科技大学。这位华裔科学家发出提醒：忆阻器绝不只是一个理论模型，而是“实实在在的”。&&&&&&&&&&&&&&　　“忆阻器带来的变革，将在世界电子科技领域引发一场基础性的影响重大的竞赛。如果再不加以重视，惠普一家公司就足以打败我们。”国防科技大学电子科学与工程学院教授徐晖对记者如是说。&&&&&&&&&&&&&&　　有望续写摩尔定律&&&&&&&&&&&&&&　　越来越多科学家认为，最迟至2020年，见证半导体工业长达半个世纪进化的“摩尔定律”将迎来物理极限大考。石墨烯被认为是替代硅最有前途的材料，但究竟哪种元器件堪当此大任，科学家仍在寻找。&&&&&&&&&&&&&&　　2012年，美国电气和电子工程协会邀约3位国际知名学者共同撰写了一篇长文《超越摩尔》，其中专章讲述了忆阻器。这引起了中科院计算技术研究所研究员闵应骅的注意，他在科学网上连续发表5篇博文进行译介。&&&&&&&&&&&&&&　　闵应骅告诉记者，未来半导体工业有可能从“硅时代”进入“碳时代”，而忆阻器这种可记忆电流的非线性电阻，凭借其优越的特性，将成为未来极有希望的存储元件。&&&&&&&&&&&&&&　　不只是存储。2010年惠普实验室再次宣布，忆阻器具有布尔逻辑运算的功能，这一发现震动了计算机学界。曾领衔研制“天河”系列超级计算机的国防科技大学科研人员在跟踪调研后认为，“理论上可以通过忆阻器完全替代现在所有的数字逻辑电路”。&&&&&&&&&&&&&&　　“在很大程度上，我同意忆阻器有可能代替晶体管这种说法，其自动记忆能力和状态转换特性，还将推动人工智能和模拟存储的发展。”西南大学电子信息工程学院教授段书凯认为。&&&&&&&&&&&&&&　　与蔡少棠之间的学术渊源，使段书凯成为国内最早开展忆阻器非线性系统研究的学者之一。&&&&&&&&&&&&&&　　华中科技大学微电子学系教授、长江学者缪向水则表示，忆阻器的确具有给微电子领域带来强大变革的能力，但要彻底取代晶体管，目前看来还不太现实。&&&&&&&&&&&&&&　　“还不太现实”的一个重要原因，在于忆阻器的实际应用还有许多技术问题有待研究。不过几乎所有受访者均认为，这正是一个历史机遇，我国研究者应有所作为。&&&&&&&&&&&&&&　　国内外鲜明对比&&&&&&&&&&&&&&　　“就在忆阻器的机理尚未完全探明时，国外商业竞争已进入白热化阶段了。”提及当前国内外研究态势，徐晖表示。&&&&&&&&&&&&&&　　据了解，自惠普忆阻器原型问世以来，国际研究迅速升温，至今已有百余所研究机构参与。不仅英、德、韩等国相继加入，Intel、IBM等工业巨头也在美国军方支持下砸下重金。&&&&&&&&&&&&&&　　2009年，科技部启动国际合作项目“忆阻器材料及其原型器件”，缪向水是项目负责人。他向记者坦承，“国内忆阻器研究目前还处于初始阶段”。&&&&&&&&&&&&&&　　国内学术界在正式场合引介忆阻器大约在2010年。在该年的中国电子学会第16届电子元件学术年会上，一个重要环节即是由清华大学材料系教授周济介绍忆阻器。尽管这只是一个介绍性报告，却为与会者打开了一扇窗口。随后几年，该篇会议论文的下载量激增，显示出国内同行的极大热情。&&&&&&&&&&&&&&　　记者查阅全国博硕士论文库发现，2009年时，尚只有徐晖团队的一篇硕士论文专门介绍忆阻器；到2012年，这一数字已增至11篇。&&&&&&&&&&&&&&　　不过，在段书凯看来，目前国内研究仍处于“自由探索”阶段，不仅力量分散，而且主要集中于理论层面和计算机仿真。受研究条件所限，真正物理实现尚不多见。&&&&&&&&&&&&&&　　“我们必须在国外厂商实现忆阻器产业化之前，‘强强联合，共同攻关’，取得原创性的自主知识产权成果，以免将来受制于人。”缪向水表示。&&&&&&&&&&&&&&　　据了解，华中科技大学历经四年研究，“已经能够制备出纳米级性能稳定的忆阻器原型器件。”近期，由该校牵头，联合清华、北大、国防科大、中科院微电子所等单位已在联合申报一个“973”计划项目，一旦获批，将拉开我国忆阻器研发“协同作战”的序幕。&&&&&&&&&&&&&&　　鸿沟待跨越&&&&&&&&&&&&&&　　从长远来看，更大的挑战则来自于知识、学科和行业之间的“鸿沟”。&&&&&&&&&&&&&&　　湖南大学信息学院副教授尤志强曾前往美国交流，亲眼目睹惠普等产业界与学术界的密集互动。不料回国后，他却接连遭遇在计算机期刊发表忆阻器论文被拒评的尴尬。他推测，评审专家对忆阻器缺乏了解，特别是计算机专家不熟悉半导体领域进展可能是原因之一。&&&&&&&&&&&&&&　　“忆阻器属于影响长远的应用基础问题，存在大量学科交叉，做计算机的往往很难申请到课题，而做半导体的又太着急出成果。”闵应骅直言不讳告诉记者。&&&&&&&　　而在教学体系设置上，记者发现几乎所有理工科大学生必修的本科基础课程《电路原理》，直到目前仍未将“忆阻器”纳入，以致于不少师生对于忆阻器都普遍感到陌生。&&&&&&&&&&&&&&　　清华大学负责《电路原理》课程的主讲教师、该校电机系副系主任于歆杰认可了上述说法。&&&&&&&&&&&&&&　　于歆杰告诉记者，早在2008年8月，即惠普忆阻器论文刊出3个月后，全国高校举行电路教学年会，首个特邀报告便是由他与北京理工大学教授龚绍文合作的《关于电路第四基本元件的读书报告》，“反响很强烈”。&&&&&&&&&&&&&&　　彼时，由于歆杰等编著的《电路原理》教材刚出版不久，书中有一个非常重要的图，即“电路基本量与电路基本模型间的关系”中的三个基本元件——电容、电阻和电感，“唯独缺忆阻器”。&&&&&&&&&&&&&&　　可实用器件的迟迟未问世，的确给进入教材带来了一定挑战。不过于歆杰透露，他已开始着手教材修订，将忆阻器这一理论上长期“缺失的一环”补上。&&&&&&&&&&&&&&　　徐晖则表示，系统化的知识体系尚未成型是忆阻器进入教材的另一重要障碍。
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&&&&&&&忆阻器的主要材料：二氧化钛。&&&&&&&&&&&&&&国内主要研究机构：华中科技大学。
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&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&原帖由牛冲冲在&09:58发表&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&忆阻器的主要材料：二氧化钛。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&国内主要研究机构：华中科技大学。
新浪科技讯&北京时间3月5日消息，据国外媒体报道，长久以来，科学家一直梦想着造出像大脑一样的电脑。大脑比电脑更加节能，而且还会自主学习，不需要任何编程。来自比勒菲尔德大学物理学系的高级讲师安迪·托马斯博士正在做这方面的努力，他的研究材料是忆阻器(memristor)，一种能够模仿神经功能的微电子元件。托马斯及其同事在一年之前就制作出了一种具有学习能力的忆阻器。现在，安迪?托马斯利用这种忆阻器作为人工大脑的关键部件，他的研究结果将于近期发表在《物理学学报D辑：应用物理学》杂志上。
忆阻器取代晶体管引全球技术竞赛&忆阻器概念股&&&&&&&&&&&&&&发表于&&07:34:38[天下私募]&&&&&&&&&&&　“忆阻器带来的变革，将在世界电子科技领域引发一场基础性的影响重大的竞赛。如果再不加以重视，惠普一家公司就足以打败我们。”国防科技大学电子科学与工程学院教授徐晖对记者如是说。目前，国内忆阻器研究仍处于“自由探索”阶段，不仅力量分散，而且主要集中于理论层面和计算机仿真。受研究条件所限，真正物理实现尚不多见。忆阻器概股：、、（二氧化钛替代硅）；华中科技大学、清华、北大、国防科大、中科院微电子所等单位曾联合参与研发（高校关联股）&&&&&&&&天下私募：http://www.datianxia.cc/
忆阻器的意义&&&&&&&&&&&&&&　　忆阻器不同于电容器、电感器和电阻器这3种基本电路元件的地方是，忆阻器在关掉电源后，仍能记忆通过的电荷。这意味着，如果突然停机，然后重新启动，用户关机之前打开的所有应用程序和文件仍在屏幕上。目前，这种用途还不能被任何电阻器、电容器和电感器的电路组合所复制，因此，有业内专家认为，忆阻器是电子工程领域第4种基本电路元件。
忆阻器对于惠普的发展&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&　　惠普曾展示了自己在Memristor（记忆电阻，简称忆阻）技术方面的进展，这种技术采用了新的架构，可以同时处理逻辑运算和存储任务。忆阻技术的推动者，同时也是惠普的高级研究人员兼惠普信息和量子系统实验室主任斯坦·威廉斯（Stan&Williams）宣称，这种全新的运算典范可以在同一颗芯片中存储数据的地方执行计算功能，而不会是专门设计的CPU。&&&&&&&&&&&&&&　　惠普公司同时还透露他们目前已经设计出了允许多层忆阻状态逻辑的堆栈架构，以此可以增加存储密度。在许多分析师来看，无论是在IT行业的繁荣时期或者是在对芯片行业的发展有阻碍的经济衰退的时期，忆阻器的研究都会令很多担心摩尔定律失效的人们重拾信心。如今，惠普的研究院依然在探索将忆阻架构应用于未来的服务器和构建数据中心的方法，因为数据量的成倍增长已经成为了一种资产管理上的问题。&&&&&&&　　惠普实验室Exascale数据中心的主研究员Partha&Ranganathan表示，“必须对计算机、存储以及通讯间的平衡性问题进行重新考虑，否则将会产生重大的影响”。&&&&&&&　　致力于研究忆阻技术的研究员正试图用一种新的名为“Nanostore”的芯片重新构建起核心系统元件间的平衡。从架构角度来看，“Nanostore”只是一种连接到非易失性随机访问存储器(Non-Volatile&Random&Access&Memory)的处理核心的3D&Stack内存。这种新的处理器存储器被设计在进行数据交换的单元之中，而非CPU中。&&&&&&&&&&&&&&　　随着全新的“状态逻辑（Stateful&Logic）”模式的产生，以CPU作为“大脑”的计算机系统将向着以数据本身作为系统的中心（基于Nanostore概念）来转变。惠普实验室目前已经找到了用相同的能源成本达成十倍性能系数的设计方法，Partha&Ranganathan表示，“这是对3D&Stack内存和忆阻器的早期工作，同时我们确定可以获得更好的性能系数”。&&&&&&&　　Ranganathan同时还表示Nanostore的相关产品用于商业用途要经过5年的时间。他和惠普实验室的其他研究员将在今年晚些时候就最初关于Nanostore的讨论定稿，同时还包括一款新的低电压处理器“Microblade”。惠普实验室目前已经确定了三款不同的服务器，可以根据不同的负载情况进行相应的优化。在能源比例设计中，服务器性能会根据应用程序的需要进行相应的调整。在综合设计中，多任务将被封装到一个系统当中。对于Microblade的设计，每个任务将被分配到高度并行化的处理体系当中，这可以由多个低功耗处理器来完成（比如ARM和英特尔Atom芯片）。这种设计常见于高性能计算（HPC）领域当中，名为“Physicalization”，换句话说，就是采用大量的价格低廉、功耗更低的处理器去作为构建高密集型计算的节点。&&&&&&&&&&&&&&　　当然，Microblade采用的低功耗处理器的数量也是会受到算法如何划分整个任务的能力的限制。在最近的一片来自ArsTechnica的由Jon&Stokes撰写的文章中，他指出结合服务器芯片的高利润以及硬件的整体组织结构，可以开放简化的、便宜的解决方案比如ARM以及英特尔的Atom系列。&&&&&&&　　此外，他也对于英特尔针对高性能计算市场推出的MIC（集成众核）服务器架构进行了相应的评估，但是对于是否MIC将会成为未来主打的高并行化、低功耗的数据中心解决方来这个问题，在惠普批量生产采用忆阻技术的Nanostore之前还不能下定论。
忆阻器技术准备迈向商业化&&&&&&&&&&&&&&新闻出处：电子工程专辑　　发布时间：&&&&&&&&&&&&&&每天新产品&时刻新体验&IC分销商如何选择管理软件&专业PCB打样工厂，24小时加急出货&　　惠普(HP)近日宣布与韩国业者海力士(Hynix)签署合作研发协议，旨在将忆阻器(memristor)技术商业化；这两家公司将共同开发新的材料与制程整合技术，好将HP的忆阻器技术由研发阶段，推向以电阻式随机存取内存(resistive&random&access&memory，ReRAM)形式呈现的商业化开发阶段。&&&&&&&&&&&&&&　　HP表示，双方的合作并非是排他的，该公司也有可能与其它厂商在&ReRAM&领域合作；而HP资深院士暨HP信息与量子系统实验室创始总监Stan&Williams表示，该公司本身并不打算涉足ReRAM&业务。他在接受EETimes美国版采访时透露，未来HP期望将ReRAM运用在自家产品中，但目前尚不能公开是哪种产品。&&&&&&&&&&&&&&　　Williams指出，在初期，HP将与Hynix在芯片方面进行合作；接下来，HP期望将合作范围扩及其它内存厂商。他表示，这将让产业界能以具竞争力的价格买到ReRAM。&&&&&&&&&&&&&&　　Hynix将在自有实验室进行忆阻器的实作；该公司在内存技术方面是多方下注，目前也涉足其它竞争性内存技术的研究，包括与三星电子(Samsung&Electronics)共同研发&MRAM&技术，以及与Grandis合作研发一种称为「自旋转移力矩随机存取内存(spin-transfer&torque&RAM)」的新一代MRAM技术。&&&&&&&&&&&&&&　　ReRAM与FeRAM、MRAM还有相变化内存(phase-change&memory)，都是新一代的内存技术；根据HP的介绍，ReRAM是一种低功耗的非挥发性内存，具备取代闪存的潜力，此外也有机会用以做为通用储存媒介──也就是能扮演目前闪存、DRAM甚至是硬盘机等储存装置的角色。&&&&&&&&&&&&&&　　Williams表示，采用ReRAM的终端产品预计在2013年底问世：「这是一种黑马级的技术，我认为它将会脱颖而出。」HP与Hynix尚未定义出将采用ReRAM的第一批终端产品，但Williams认为，该种内存技术是固态储存、PC主存储器与其它产品的理想选择。
隐藏在电路中多年的第四类元件——忆阻器&&&&&&&&&&&&&&新闻出处：中国电子元件协会　　&&&&&&&发布时间：&&&&&&&&&&&&&&&&&&&基础电子学教科书列出了三种基本的电路元件:电阻器、电容器和电感器.现在随着第四类元件的发现与证实,传统的观念正在发生转变.&&&&&&&&&&&&&&&&&&早在1971年,美国加州大学伯克利分校的华裔科学家蔡少棠教授就发表了题为《忆阻器:下落不明的电路元件》的论文,论文指出,除电容、电感和电阻之外,电路中还应该存在第四种基本元件--忆阻器.这篇论文提供了忆阻器的原始理论架构,推测电路有天然的记忆能力,即使电力中断亦然.概括来说,忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻.通过控制电流的变化可改变其阻值,如果把高阻值定义为&1&,低阻值定义为&0&,则这种电阻就可以实现存储数据的功能.不过这一发现在当时并未引起重视.因此,就像这篇论文的标题一样很快就&下落不明&了.&&&&&&&&&&&&&&&&&&一隔近40年,忆阻器的存在一直无人去证实.直到去年,来自惠普实验室下属的信息和量子系统实验室的4位研究人员,证实了忆阻现象在纳米尺度的电子系统中确实是天然存在的,他们以《寻获下落不明的忆阻器》为论文标题来呼应蔡教授的预测.在这样的系统中,固态电子和离子运输在一个外加偏置电压下是耦合在一起的.这一发现可帮助解释过去50年来在电子装置中所观察到的明显异常的回滞电流-电压行为的很多例子.&&&&&&&&&&&&&&&&&&研究人员表示,忆阻器器件的最有趣特征是它可以记忆流经它的电荷数量.蔡教授原先的想法是:忆阻器的电阻取决于多少电荷经过了这个器件.让电荷以一个方向流过,电阻会增加;如果让电荷以反向流动,电阻就会减小.简单地说,这种器件在任一时刻的电阻是时间的函数---或多少电荷向前或向后经过了它.这一简单想法的被证实,将对信息技术科学产生深远的影响.&&&&&&&&&&&&&&&&&&忆阻器将变革存储方式&&&&&&&&&&&&&&&&&&科学家指出,只有在纳米尺度上,忆阻的工作状态才可以被察觉到.忆阻器最简单的应用就是构造新型的非易失性随机存储器,或当计算机关闭后不会忘记它们曾经所处的能量状态的存储芯片.电脑会回到你关闭时的相同状态.同样原理,忆阻器可让手机在使用数周或更久时间后无需充电,也可使笔记本电脑在电池电量耗尽后很久仍能保存信息.忆阻器也有望挑战目前数码设备中普遍使用的闪存,因为它具有关闭电源后仍可以保存信息的能力.利用这项新发现制成的芯片,将比目前的闪存更快地保存信息,消耗更少的电力,占用更少的空间.概括一下忆阻器的应用前景:如果忆阻器够快,那么DRAM、Flash进博物馆;如果忆阻器成本够低,那么温彻斯特硬盘就得进博物馆.
惠普忆阻器技术取得小突破&&&&&&&&&&&&&&新闻出处：赛迪网　　&&&&&&&发布时间：&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&　　据国外媒体报道，惠普研发人员已经在“忆阻器”下一代内存技术方面取得了小的突破，一些人认为它可能会替代当今普遍应用的闪存和DRAM技术。&&&&&&&&&&&&&&　　周一时候，惠普研发人员《纳米技术》杂志中提到，他们已经掌握了电气操作过程中“忆阻器”内部发生变化时的基本化学性质和结构。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&　　惠普高级研究员Stan&Williams说，在此前，尽管工作的忆阻器已在实验室制成，但是研发人员并不清楚在微小结构内部发生了什么。当惠普有信心可以将此项技术商业化时，这一发现将极大地提高计算机和内存的性能。&&&&&&&&&&&&&&　　忆阻器技术的研究实际上已有数十年的历史。1971年，加州大学伯克利分校Leon&Chua教授预测，在电容、电阻和电感之外，还存在第四种基本元件：记忆电阻（Memristor）。这种电阻能够通过施加不同方向、大小电压，改变其阻值。由于可以使用不同阻值代表数字信号，忆阻器在计算机存储领域应用前景广泛。它使用单个元件就可以实现一组闪存电路的功能，并且耗能更少，速度更快。当把忆阻器与半导体电路混合时，可以大幅降低处理器芯片中用于存储的晶体管数量，明显降低成本。&&&&&&&&&&&&&&　　2006年，惠普终于通过实验证实了忆阻器的存在，并在2008年于自然杂志发表论文得到世界认可。在证明忆阻器存在后，惠普还在不断推动这项技术的进步，包括2009年实现忆阻器电路堆叠，今年上半年又证实忆阻器可实现逻辑电路，即可以在存储芯片中直接实施运算功能。根据今天签订的协议，双方将共同研发忆阻器技术，争取尽快让使用该技术的ReRAM商品化。海力士将在自己的研发和生产制造中逐步应用忆阻器技术。
惠普：忆阻器被视为未来的“通用记忆体”&&&&&&&&&&&&&&新闻出处：电子工程专辑　　&&&&&&&发布时间：&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&　　惠普(HP)资深院士，也是忆阻器的发明者&Stanley&Williams&表示，一些对於HP忆阻器的开关速度能比DRAM&快，且资料保存时间能比快闪记忆体更长数百万倍等特性抱持怀疑的工程师们，现在不必再担心了。&&&&&&&&&&&&&&　　“我们发现电场和电流可共同运作，让记忆体元件能够同时非常迅速地开关并无限期地保持其状态，”Williams说。“不仅仅在元件内施加电压以驱动氧空缺(oxygen&vacancies)的迁移，同时间内电流也会加热到300℃──这恰好足够让非晶薄膜转化为结晶薄膜。”&&&&&&&&&&&&&&　　忆阻器被视为未来的“通用记忆体”，因为它们的运作速度能与DRAM一样快，尺寸和快闪记忆一样小，而耐用性则媲美唯读记忆体，据惠普表示。作为继电阻、电容和电感之後的第四种基础被动电路，忆阻器凭藉在氧化薄膜中导入或移除氧空缺的属性，能够仅保留高或低电阻状态。&&&&&&&&&&&&&&　　以同步X光在100nm具有密集氧空缺的区域内探测忆阻器(图右蓝色部份)，此即为忆阻器开关之处。围绕此一区域，新开发的结构相(红色部份)也发现类似温度计的作用，它可呈现当元件在读取或写入时会变得多热。&&&&&&&&&&&&&&　　使用该公司最喜欢的结构──氧化钛──惠普最近还采用了高能同步X光来关联元件的电气特性及其原子结构、化学和温度。迄今有关接近底部电极的热点在开关期间加热到足够诱导氧化物结晶仍未有定论。在1~2nm厚的区域中驱动空缺(a&1)或传导它们(a&0)後，该薄膜以类似退火的程序冷却，这让该薄膜保持固定结晶态，而且应该能继续保持下去。&&&&&&&&&&&&&&　　“在测试过程中，我们让这些元件进行了超过300亿次的开关和累计，其保留资讯的能力也未见衰退，”Williams说。&&&&&&&&&&&&&&　　惠普目前正与Hynix半导体公司共同以忆阻技术为基础开发商用化记忆体。
缪向水&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&教育部&长江学者&特聘教授,&华中科技大学教授、博士生导师　缪向水，男，1965年7月生，江西九江人，博士。&&&&&&&1982年至1986年华中科技大学（原华中工学院）大学本科学习。&&&&&&&1986年至1989年华中科技大学（原华中理工大学）硕士研究生学习。&&&&&&&1994年至1996年华中科技大学（原华中理工大学）博士学习。&&&&&&&1989年硕士研究生毕业后留校任教，先后任电子科学与技术系（原固体电子学系）助教、讲师，并兼任系学生政治辅导员、系学生党支部书记、系研究生工作秘书等。&&&&&&&1994年由于在科研和教学方面所作出的突出贡献被大学破格提升为副教授。&&&&&&&1996年至1997年任香港城市大学电子工程系副研究员、材料研究中心博士后研究员。&&&&&&&1997年至2007年任新加坡国家数据存储研究院高级工程师，主任工程师，3级科学家，4级科学家。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&2002年入选美国MARQUIS《世界科技名人录》、美国纽约科学院院士，IEEE,OSA,SPIE会员。　&&&&&&&2007年~现在:&教育部“长江学者”特聘教授、华中科技大学电子科学与技术系和武汉光电国家实验室教授,&信息存储材料及器件研究所所长，微电子学与固体电子学、计算机系统与结构、光学工程等专业博士生导师，主要研究方向为相变存储器、光存储材料及光盘，磁记录介质等。&&&&&&&共发表学术论文200余篇,&其中被SCI收录67篇。共申请国际发明专利10个。&&&&&&&科研获奖&&&&&&&1)“Superlattice-like&rewritable&phase-change&optical&media”,&National&Technology&Award(Singapore)&新加坡国家技术奖(年度唯一),&2004年&&&&&&&2)&“XXXX光盘技术研究”,国家科技进步三等奖,&1998年&&&&&&&3)&“XX光记录材料工艺研究”,国家科技进步三等奖,&1992年&&&&&&&4)&“Phase&change&random&access&memory&(PCRAM)&chip”,&DSI&Award&&for&Most&Outstanding&Staff&(R&D),2005年&&&&&&&5)“Nonvolatile&phase&change&memory&nanocell&fabrication&by&femtosecond&laser&writing&assisted&with&near-field&optical&microscopy”,&DSI&FY2005&Best&Paper&of&The&Year,&2005年&&&&&&&6)&“XXXX光盘技术研究”,国家教育委员会科技进步二等奖,&1998年&&&&&&&7)&“XX光记录材料工艺研究”,国家教育委员会科技进步二等奖,&1992年&&&&&&&8)&&The&properties&of&RE-TM&magneto-optical&films&,湖北省自然科学优秀学术论文一等奖,&1994年&&&&&&&9)&&磁光记录的新电介质材料-&AlSiN膜&,中国电子学会年度受奖论文,&1991年&&&&&&&在研科研项目&&&&&&&1)国家863计划重大项目课题：“高速、低功耗相变随机存储器技术”；&&&&&&&2)国家863计划面上项目：“高密度、低功耗电阻式相变存储器技术研究”；&&&&&&&3)国家自然科学基金重大项目课题：“光磁混合存储记录介质、物性及盘片研究”；&&&&&&&3)国家自然科学基金面上项目：“SmCo5垂直磁化膜的制备及其形成机理研究”；&&&&&&&4)国家外专局重点项目：“相变存储器芯片研究与开发”&&&&&&&5)湖北省重大科技攻关项目：“相变随机存储器功能芯片研究”；&&&&&&&6)武汉市科技攻关项目：“相变存储器芯片的关键材料研究”；&&&&&&&7)华中科技大学基金项目“相变存储器专用测试设备”；&&&&&&&8)武汉光电国家实验室创新基金项目“自旋力矩传输随机存储器研究”。
技术又落后了
今天的题材股&怎么啦
国内只有这个股受益吗？&&&&&&&&&&&&&&那意义不大，要有多个股一起，组成团队才有冲击力的
HP将和Hynix合作让使用忆阻器的记忆装置上市。忆阻器被业界认为有望取代晶体管，相关概念股、等盘中展开异动。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&原帖由-07-25&11:42发表&&&&&&&国内只有中核钛白&这个股受益吗？&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&那意义不大，要有多个股一起，组成团队才有冲击力的
今天这个形势&&有点难&&&&&&&&&&&&&&原帖由-07-25&11:42发表&&&&&&&国内只有&这个股受益吗？&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&那意义不大，要有多个股一起，组成团队才有冲击力的
人脑不好使了&&用忆阻器造一个人工大脑&植入超级大数据&炒股绝对比人强&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&原帖由-07-25&11:42发表&&&&&&&国内只有&这个股受益吗？&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&那意义不大，要有多个股一起，组成团队才有冲击力的
股天乐&题目太长&改一改&&&&&&&&&&&&&&石墨烯是材料革命！忆阻器是元件革命，是电路革命!&
&兄好，已修改：）
以前的题目有些啰嗦&谢谢&&辛苦了&&&&&&&&&&&&&&原帖由股天乐在&12:02发表&&&&&&&牛冲冲&兄好，已修改：）
革命！这个字眼好，可惜，今天太孤单了。呵呵，就我们互相顶顶。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&原帖由牛冲冲在&12:00发表&&&&&&&股天乐&题目太长&改一改&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&石墨烯是材料革命！忆阻器是元件革命，是电路革命!&
碳时代来临&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&马雅文预测的新纪元
首选“”，石墨烯&+&三国概念&，今天回调买入
题材是不错，但究竟是卖二氧化钛的正宗，还是搞研究的正宗。。。？？？？
什么意思？&&&&&&&&&&&&&&原帖由bvvv1在&12:22发表&&&&&&&碳时代来临&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&马雅文预测的新纪元
？？？&&&&&&&原帖由路始我手在&12:32发表&&&&&&&题材是不错，但究竟是卖二氧化钛的正宗，还是搞研究的正宗。。。？？？？
　　2012年，美国电气和电子工程协会邀约3位国际知名学者共同撰写了一篇长文《超越摩尔》，其中专章讲述了忆阻器。这引起了中科院计算技术研究所研究员闵应骅的注意，他在科学网上连续发表5篇博文进行译介。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&　　闵应骅告诉记者，未来半导体工业有可能从“硅时代”进入“碳时代”，而忆阻器这种可记忆电流的非线性电阻，凭借其优越的特性，将成为未来极有希望的存储元件。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&　　不只是存储。2010年惠普实验室再次宣布，忆阻器具有布尔逻辑运算的功能，这一发现震动了计算机学界。曾领衔研制“天河”系列超级计算机的国防科技大学科研人员在跟踪调研后认为，“理论上可以通过忆阻器完全替代现在所有的数字逻辑电路”。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&　　“在很大程度上，我同意忆阻器有可能代替晶体管这种说法，其自动记忆能力和状态转换特性，还将推动人工智能和模拟存储的发展。”西南大学电子信息工程学院教授段书凯认为。
如果电路有了第四种元件&欧姆定律还能用吗&&求解
欧姆定律会不会从教科书里边抠出来扔了？
老兄&动了&&&&&&&&&&&&&&760)this.width=760" onclick="self.open(this.src);" class="lazy" src="placeHolder.png"
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谢谢&看到了&&&&&&&&&&&&&&原帖由华岳之巅在&13:17发表&&&&&&&老兄&动了&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&760)this.width=760" onclick="self.open(this.src);"galleryImg="no">
革命尚未成功&&大家还需努力
呼叫打板哥
几只股始终跑不出一个龙头&郁闷呐&&&&&&&原帖由可爱的熊在&13:34发表&&&&&&&呼叫打板哥
加油&努力&&&&&&&原帖由素颜索罗斯在&13:29发表&&&&&&&革命尚未成功&&大家还需努力
惠普计划年内推出忆阻器&&&&&&&&&&&&&&投递人&曾经的梦&发布于&&20:51&评论(2)&有451人阅读&&原文链接&&[收藏]&&？&？&&&&&&&&&&&&&&&&　　惠普将比以前预计的更快商业化忆阻器。忆阻器（Memristor）被认为是电路的第&4&种基本元件，是一种有记忆功能的非线性电阻器，具有关闭电源后仍记忆数据的能力，能替代闪存，但容量更高，其数据传输速度可以达到&16Gbit/s。&&&&&&&&&&&&&&　　忆阻器可使手机使用数周或更久而不需充电；使电脑开机后立即启动；笔记本电脑在电池耗尽之后很久仍记忆上次使用的信息。目前还不知道价格几何。
忆阻器最正宗的股票，什么原材料，科研单位都是虚的，中国科研单位研究了，未必就给你上市公司，给大家推荐一款相对正宗的票，&&&&&&&&&&&&&&2009年7月，太极实业与全球第二大芯片生产商韩国海力士达成协议，双方共同合资设立海太半导体，太极实业现金出资8250万美元。&&&&&&&惠普今天宣布将在2013年左右联合Hynix共同生产以忆阻器技术为基础的非易失性内存ReRAM产品，它带来了比闪存更为低功耗以及更高的性能。高级研究员R.&Stanley&Williams披露了这一消息，并称“数以百计的晶圆”已经诞生，最初版本将带来较慢的速度级别，可以取代手机上的闪存产品，之后还有更快的东西出现。
老兄斧正，谢谢。&&&&&&&&&&&&&&原帖由mzx78在&14:32发表&&&&&&&忆阻器最正宗的股票，什么原材料，科研单位都是虚的，中国科研单位研究了，未必就给你上市公司，给大家推荐一款相对正宗的票，&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&2009年7月，太极实业与全球第二大芯片生产商韩国海力士达成协议，双方共同合资设立海太半导体，太极实业现金出资8250万美元。&&&&&&&&&&&&&&惠普今天宣布将在2013年左右联合Hynix共同生产以忆阻器技术为基础的非易失性内存ReRAM产品
?&&&&&&&&&&&&&&原帖由mzx78在&14:32发表&&&&&&&忆阻器最正宗的股票，什么原材料，科研单位都是虚的，中国科研单位研究了，未必就给你上市公司，给大家推荐一款相对正宗的票，&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&2009年7月，太极实业与全球第二大芯片生产商韩国海力士达成协议，双方共同合资设立海太半导体，太极实业现金出资8250万美元。&&&&&&&&&&&&&&惠普今天宣布将在2013年左右联合Hynix共同生产以忆阻器技术为基础的非易失性内存ReRAM产品
忆阻器横空出世&专家提醒谨防题材炒作风险&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&日&16:13:50&&&&&&&&来源：&新华金融&0【字号：大&中&小】【打印】【纠错】&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&新华网消息&随着早盘创业板指放量跳水，题材类个股纷纷退潮，但、、等钛白粉类个股却逆势走强，实际上钛白粉类个股逆势走强主要是因为新IT技术的兴起——忆阻器。&&&&&&&&&&&&&&&&&&最早提出忆阻器概念的人是华裔的科学家蔡少棠，忆阻器可以简单的理解为记忆电阻，是一种被动电子元件。如同电阻器，忆阻器能产生并维持一股安全的电流通过某个装置。但是与电阻器不同的地方在于，忆阻器可以在关掉电源后，仍能“记忆”先前通过的电荷量。两组的忆阻器更能产生与晶体管相同的功能，但更为细小。目前，国内忆阻器研究仍处于“探索”阶段。但是最新研发表明，忆阻器未来可能取代硅片，在信息处理和电子技术处理上，会取得很大的突破。新技术的亮相，成为市场上关注的焦点。2013年，比勒菲尔德大学的安迪·托马斯博士研制的忆阻器被内置于比人头发薄600倍的芯片中，显示了忆阻器的优异性能，忆阻器已经展现出广泛的应用前景，一旦实现技术突破，将从根本上颠覆现有的硅芯片产业。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&新华网联合分析师周雪松表示，忆阻器技术可能会以二氧化钛等其他材料取代硅材料，目前高校对这块的研究力度较大，比如华光科技、清华紫光等，另外，涉及到二氧化钛的概念，安纳达、佰利联、等，自惠普忆阻器原型问世以来，已有百余所研究机构参与。不仅英、德、韩等国相继加入，Intel、IBM等工业巨头也在美国军方支持下砸下重金。未来二氧化钛等新材料替代硅片材料的技术，有可能会推广和应用，可能会引发市场资金的追捧。期间，投资者一方面可以关注这项技术的研发进度、关注相关概念股的关联程度，另外也要谨防题材概念炒作的风险。（新华网-大智慧财经联合报道）
原帖由牛冲冲在&09:58发表&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&忆阻器的主要材料：二氧化钛。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&国内主要研究机构：华中科技大学。&&&&&&&&&&&&&&.........
美国人搞技术&&中国人搞游戏
华中科技大学历经四年研究，“已经能够制备出纳米级性能稳定的忆阻器原型器件。”近期，由该校牵头，联合清华、北大、国防科大、中科院微电子所等单位已在联合申报一个“973”计划项目，一旦获批，将拉开我国忆阻器研发“协同作战”的序幕。
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